所谓“相变型光记录介质”例如是近年的CD-RW、DVD-RW、DVD- RAM或BD-RE(可重写蓝光光盘)，是通过光使形成记录膜的材料在晶 相和非晶相之间可逆地变化，对记录膜记录或者擦除信息的记录介质。 尤其在主要是影像信息这种信息量大的信息的记录、重写(改写)中， 多使用DVD-RW、或DVD-RAM、BD-RE。
为了记录更大的信息量，考虑增大记录密度，在(日本)特开2001 -243655号公报(专利文献1)中记载了多层型光记录介质，在基板的 单面侧叠合2层以上由记录膜和反射膜构成的信息层。
在上述那样的具有多个信息层的多层型光记录介质中，从激光入射 侧看，激光在跟前侧(靠近看的人一侧)的信息层大幅衰减，因此要求 提高跟前侧的信息层的透射率。为此，需要使记录膜或反射膜的厚度比 10nm还薄。
本发明人对将跟前侧的信息层形成为(日本)特开平5-217211号 公报(专利文献2)中所揭示的那样的结构，且记录膜或反射膜小于10nm 的情况进行了研讨，不能得到良好的记录特性以及重写特性。
【专利文献1】(日本)特开2001-243655号公报。
【专利文献2】(日本)特开平5-217211号公报。
若如上述那样在基板上形成多个信息层，则为了提高跟前的信息层 的透射率，需要将记录膜或反射膜形成得比10nm薄，但在这样的条件 下，不能得到良好的记录特性以及重写特性。

因此，本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种 光记录介质，在具有多个信息层的多层型相变光记录介质中，距离光入 射侧近的信息层具有高的光透射率，能够实现最佳的记录再生。
为了解决上述课题，本发明提供以下(a)～(c)光记录介质。
(a)一种通过光记录或者再生信息的光记录介质，其中，包括： 对第1面入射上述光的基板1，以及在上述基板中的与上述第1面对置 的第2面上至少为2层的多个信息层；除从上述基板看位于最里面的信 息层以外的至少一个信息层，从上述基板看按以下顺序至少层叠有：第 1保护膜2、界面膜3、半透射记录膜4、第2保护膜5、第3保护膜6 以及半透射反射膜7，上述半透射反射膜的膜厚小于10nm，上述第1保 护膜、上述界面膜、上述第2保护膜、上述第3保护膜的热传导率分别 是σ1、σk、σ2、σ3时，用成为σ2＞σk＞(σ1，σ3)的材料形成 上述第1保护膜、上述界面膜、上述第2保护膜、上述第3保护膜。
(b)(a)记载的光记录介质，其特征在于：上述第1保护膜的热 传导率σ1小于10W/m/K，上述界面膜的热传导率σk大于等于10W/m/K、 小于50W/m/K，上述第2保护膜的热传导率σ2大于等于50W/m/K、小于 180W/m/K，上述第3保护膜的热传导率σ3小于10W/m/K。
(c)(a)或(b)记载的光记录介质，其特征在于：上述第1保护 膜由包含ZnS和SiO2的至少一种的材料构成，上述界面膜由以GeN为主 成分的材料构成，第2保护膜由以SiC为主成分的材料构成，上述第3 保护膜由包含ZnS和SiO2的至少一种的材料构成。
发明效果如下：
若采用本发明，在具有多个信息层的多层型相变光记录介质中，跟 前侧的信息层具有高透射率，可得到更好的记录再生特性。

图1是表示作为本发明的1个实施方式的多层型光记录介质D的放 大剖面图。
图2是表示作为本发明的1个实施方式的记录脉冲列的图。
附图标记说明
1  第1基板(基板)；
2  第1保护膜
3  界面膜
4  半透射记录膜
5  第2保护膜
6  第3保护膜
7  半透射反射膜

《光记录介质的构成》
作为包括多层具有使用相变材料形成的记录膜的信息层的光记录 介质(以下称为多层型光记录介质)，可列举可反复重写信息的CD-RW、 DVD-RW、BD-RE(可重写蓝光光盘)等相变型光盘、光卡等介质。而 且，在以下说明中，作为本发明的多层型光记录介质的一个实施方式， 使用是DVD-RW的多层型光记录介质D，但对于具有同样多层型的结构、 以比DVD还短的波长的激光来记录的光记录介质(例如BD-RE)也可以 适用本发明。
图1是表示作为本发明的一个实施方式的多层型光记录介质D的放 大剖面图。光记录介质D是基本结构如下的介质：在以记录、再生或者 擦除用激光L入射的入射面1A作为底面的第1基板1上，间隔着第1 信息层D1和中间层9，层叠了第2信息层D2和第2基板14。
在光记录介质D中，位于入射面1A侧的第1信息层D1是顺序层叠 了第1保护膜2、界面膜3、半透射记录膜4、第2保护膜5、第3保护 膜6、半透射反射膜7、光学调整膜8的信息层。从激光L的入射面1A 看位于里侧的第2信息层D2，是形成在以第2基板14的标签面14B为 底面的第2基板14上，顺序层叠了反射膜13、第5保护膜12、记录膜 11、第4保护膜10的信息层。第1信息层D1的光学调整膜8和第2信 息层D2的第4保护膜10间隔着中间层9被对置地粘接。
作为第1基板1的材料可以使用各种透明的合成树脂、透明玻璃等。 由于对第2信息层D2的记录再生是从入射面1A通过第1信息层D1进 行的，因此第2基板14不必是透明的，但也可以是与第1基板1相同 的材料。作为这样的第1基板1以及第2基板14的材料，可以列举例 如玻璃、聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、 聚酰亚胺树脂等。特别是因为光学的双折射以及吸湿性小且成型容易而 优选聚碳酸酯树脂。
第1基板1以及第2基板14的厚度未特别限定，但若考虑与总厚 度是1.2mm的DVD或BD的兼容性，则优选0.01mm～0.7mm，尤其DVD 最优选0.55mm～0.6mm、BD最优选0.05mm～0.10mm。
若第1基板1的厚度小于0.01mm，则用从第1基板1的入射面1A 侧收敛的激光来记录时容易受到尘埃的影响，因此不优选。另外，若不 限制光记录介质D的总厚度，则实用上只要在0.01mm～5mm的范围内即 可。若为5mm以上，则难以使物镜的数值孔径变大，照射激光的光斑尺 寸变大，因此难以提高记录密度。因此，为了使记录密度增大，在设置 了多层的记录膜的本实施方式的光记录介质D中不优选。
第1基板1以及第2基板14可以是挠性的，也可以是刚性的。挠 性的第1基板1以及第2基板14使用在带状、片状、卡状的光记录介 质上。刚性的第1基板1以及第2基板14使用在卡状或者盘状的光记 录介质上。
第1保护膜2、第3保护膜6、第4保护膜10以及第5保护膜12 防止第1基板1、半透射记录膜4、记录膜11等因记录时的发热而变形 导致记录特性劣化。另外，具有通过光学的干涉效应来改善再生信号的 对比度的效果。
优选第1保护膜2、第3保护膜6、第4保护膜10以及第5保护膜 12分别对记录、再生或者擦除用的激光具有透明性，折射率n在1.9≤ n≤2.3的范围。进而，第1保护膜2、第3保护膜6、第4保护膜10 以及第5保护膜12的材料从热特性方面看，优选SiO2、SiO、ZnO、TiO2、 Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物，ZnS、In2S3、TaS4等硫化物，SiC、 TaC、WC、TiC等碳化物，任意的单体或者这些单体的混合物。尤其优选 包含ZnS和SiO2的至少一种的材料，进而特别优选ZnS和SiO2的混合膜， 因为即使经过记录、擦除的反复操作，也难以引发记录灵敏度、C/N、 擦除率等的劣化。而且，在ZnS和SiO2的混合膜中，使SiO2在5％到50 ％的范围内使混合的比例变化即可。
在此，所谓“记录灵敏度”是指对于在记录中使用的激光L的功率， 记录膜从结晶状态到非结晶状态，或者从非结晶状态到结晶状态进行相 变的可逆变化的程度，使即使低功率也能良好地进行记录、擦除的记录 膜的记录灵敏度高(高灵敏度)。
另外，第1保护膜2、第3保护膜6、第4保护膜10以及第5保护 膜12可以不是相同的材料、组成，也可以由不同种类的材料构成。
第1保护膜2及第4保护膜10的厚度大概在5nm～500nm的范围即 可。进而，第1保护膜2及第4保护膜10的厚度，优选为可得到所希 望的光学特性，且难以从第1基板1、半透射记录膜4、中间层9或记 录膜11上剥离，难以发生裂缝等缺陷。若考虑这些，则优选第1保护 膜2及第4保护膜10的厚度在20nm～300nm的范围。若比20nm薄，则 难以确保所希望的光学特性，若比300nm厚，则发生裂缝或剥离，进而 生产性恶化。
尤其，优选第1保护膜2在能够满足光学对比度以及透射率双方的 40nm～80nm的范围，优选第4保护膜10在可得到高反射率的100nm～ 170nm的范围。进而，第4保护膜10使折射率不同的材料形成的多个膜 组合，来实现高反射率也可以。
优选第3保护膜6以及第5保护膜12的厚度在0.5nm～50nm的范 围，以便使C/N、擦除率等记录特性良好，且可以稳定地多次重写。若 比0.5nm薄，则半透射记录膜4以及记录膜11的热确保变难，因而使 C/N或擦除率好的最佳记录功率上升，若比50nm厚，则热容易积存，因 而使半透射记录膜4以及记录膜11的因热而导致的损伤变大，招致重 写时的C/N或擦除特性的恶化，不优选。
尤其，由于能够防止因半透射反射膜7的放热性，所以优选第3保 护膜6是在2nm～10nm的范围的厚度，；优选第5保护膜12是在20nm～ 40nm的范围的厚度，以便使半透射记录膜4成为高灵敏度。
作为界面膜3的材料重要的是不包含硫磺物。若使用含有硫磺物的 材料作为界面膜，则经过反复的重写，包含在界面膜中的硫磺扩散在半 透射记录膜4中，记录特性劣化，因此不优选。
例如优选包含氮化物、氧化物、碳化物之中至少一种的材料，具体 地优选包含氮化锗、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化铬、碳化 硅、碳之中至少一种的材料。另外，也可以使这些材料中含有氧、氮、 氢等。上述氮化物、氧化物、碳化物也可以不是化学计量组成，氮、氧、 碳也可以过多或不足。
尤其，因为氧化物、氮化物一般比在第1保护膜2或第3保护膜6 中使用的材料的热传导率大，比在下述的第2保护膜5中使用的材料的 热传导率小，且熔点高，因此优选包含GeN、SiN、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、 TiO2、Al2O3的一种以上的材料、或者由以上述材料之中的一种作为主成 分的材料构成。在此，所谓“主成分”是指构成界面膜3的全部材料之 中上述材料所占的比例超过全部材料的50％的情况，优选90％以上的 情况。
进而，优选界面膜3使用熔点高的材料，以便在记录时不与变为高 温的半透射记录膜4熔融。
半透射记录膜4以及记录膜11是由Sb-Te合金中包含Ag、Si、 Al、Ti、Bi、Ga、In、Ge之中至少一种以上的组成，或者Ge-Sb中包 含In、Sn、Bi之中至少一种以上的组成，或者Ga-Sb中包含In、Sn、 Bi之中至少一种以上的组成而构成的合金膜。在半透射记录膜4中使用 以Sb-Te合金为主成分的材料时，优选在界面膜3中特别使用GeN。
优选半透射记录膜4的膜厚大于等于3nm、小于等于10nm。若膜厚 比3nm薄，则结晶化速度下降、记录特性变差，若比10nm厚，则第1 信息层D1的透射率下降。另外，优选记录膜11的膜厚为10nm～25nm。 若比10nm薄，则光吸收变少难以发热，因此记录灵敏度恶化，若比25nm 厚，则在记录时需要大的激光功率。
半透射记录膜4以及记录膜11可以不是相同的材料、组成，也可 以由不同种类的材料构成。
另外，也可以设置与记录膜11的激光L的入射面侧的单面或者两 面相接的界面膜(未图示)。优选界面膜使用上述同样的材料。
在本实施方式中，第1信息层D1使用尽可能薄(小于10nm)的半 透射反射膜7以便具有高透射率。为此，在半透射记录膜4上记录信息 时，在半透射记录膜4上通过激光L积存热(蓄热)，热不能充分放出 (放热)而容易变得冷却不足。为此，可考虑通过具有热传导率比半透 射记录膜4还高的材料来形成半透射记录膜4和半透射反射膜7之间的 膜，以便容易从透射记录膜4散热。
但是，若只用热传导率高的材料来形成半透射记录膜4和半透射反 射膜7之间的膜，则不能充分积蓄记录时所需的热，不能形成良好的记 录标记(非结晶标记)。因此，光记录介质D再生时的再生信号强度(以 下称为信号强度)减弱，记录特性也不理想。
在本实施方式中，在形成在半透射记录膜4和半透射反射膜7之间 的、第2保护膜5中使用高传导率的材料，在第3保护膜6中使用热传 导率比第2保护膜5低的材料，保持在上述半透射记录膜4中的放热和 蓄热的平衡以使记录特性变得良好。
作为第2保护膜5的材料，如上所述那样优选热传导率比第3保护 膜6的材料还高。进而，优选热传导率比第1保护膜2或界面膜3的材 料还高。
例如优选氮化锗或碳化硅的单体或者以这些单体为主成分的混合 物，特别优选从经时稳定性的面不包含氮的碳化硅的单体或与以碳化硅 为主成分的氧化物等的混合物。在此，所谓“主成分”是指在构成第2 保护膜5的全部材料之中上述材料所占的比例超过全部材料的50％的 情况，优选90％以上的情况。
第2保护膜5的厚度依赖于在第2保护膜5中使用的材料的热传导 率或折射率，优选在1nm～10nm的范围。若比1nm薄，则削减了记录特 性或重写特性的改善效果，若比10nm厚，则妨碍半透射记录膜4的放 热性，不能得到良好的信号强度，因此不优选。特别在第1保护膜2以 及第3保护膜6中使用ZnS和ZiO2的混合物的情况下，优选第2保护膜 5的厚度小于5nm，进而更优选2nm～4nm。半透射记录膜4的放热和蓄 热的热平衡变得良好，能够抑制再生信号的不均匀以便不依存于重写的 次数而变动。
而且，构成第1信息层D1的第1保护膜2、界面膜3、第2保护膜 5、第3保护膜6(各保护膜)的各材料的熔点必须是1500℃以上。这 是为了防止在下述的初始化时这些组成物熔融与半透射记录膜4的组成 物混合。
另外，优选各保护膜的各材料的衰减系数是1以下。若使用这样的 材料构成第1信息层D1，则对第2信息层D2记录信息或者从第2信息 层D2中再生信息时，能够提高激光L的透射率。
作为半透射反射7以及反射膜13的材料，可以列举具有光反射特 性的Al、Au、Ag等金属、以这些金属作为主成分且包含由一种以上的 金属或半导体构成的添加元素的合金、以及在这些金属中混合了Al、Si 等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫族化合物等金属化合物的混合物 等。在此，所谓“主成分”是指在构成半透射反射膜7的全部材料之中 Al、Au、Ag等金属所占的比例超过全部材料的50％的情况，优选90％ 以上的情况。
尤其优选Au、Ag等金属、以及以这些金属作为主成分的合金，因 为光反射特性高，且能够提高热传导率。作为合金的例子，一般是在Al 中混合Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等之中至少一 种元素的合金，或者，在Au或Ag中混合Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、 In等之中至少一种元素的合金等。
但考虑到高线速记录时，从记录特性方面看，特别优选以热传导率 高的Ag作为主成分的金属或合金。另外，半透射反射膜7优选对于记 录光的波长容易透射的材料，特别优选折射率小于1的Au、Ag。
半透射反射膜7的厚度因形成半透射反射膜7的材料的热传导率的 大小而变化，但优选为大于等于3nm、小于10nm。若半透射反射膜7的 厚度比3nm薄，则不能充分吸收半透射记录膜4的放热，因而不能使半 透射记录膜4骤冷，记录特性差，不优选。若比10nm厚，则第1信息 层D1的透射率差，因而不优选。
另外，反射膜13的厚度也因形成反射膜13的材料的热传导率的大 小而变化，但优选为50nm～300nm。如果反射膜13的厚度是50nm以上， 则反射膜13不光学地变化，不会影响反射率的值，若反射膜13的厚度 增加，则对冷却速度的影响变大。另外，形成超过300nm的厚度在制造 上需要许多时间。因此，通过使用热传导率高的材料，使反射膜13的 层厚控制在上述最佳范围内。
但是，在半透射反射膜7或者反射膜13中使用纯银或银合金时， 为了防止成为出错率要因的AgS化合物的生成，优选与半透射反射膜7 或者反射膜13相接的膜使用不含有S的材料。
在此，当在半透射反射膜7或者反射膜13中使用Ag或者Ag合金， 在第3保护膜6或者第5保护膜12中使用ZnS的单体或混合物时，优 选在第3保护膜6和半透射反射膜7之间或者第5保护膜12和反射膜 1 3之间插入扩散防止膜(未图示)。这是为了抑制第3保护膜6或第5 保护膜12中的S与半透射反射膜7或反射膜13中的Ag发生化学反应 而生成的AgS化合物所造成的反射率的降低。
扩散防止膜的材料与上述界面膜相同，重要的是不含硫磺物的材 料，具体的材料可以使用与界面膜材料相同的材料、金属、半导体、氮 化硅、氮化锗、氮化锗铬。
为了使第1信息层D1的透射率提高，优选光学调整膜8具有比半 透射反射膜7的材料还高的折射率，且衰减系数比1还小。另外，优选 光学调整膜8的膜厚在20nm～300nm的范围，考虑光学调整膜8的折射 率或透射的激光的波长，设定为第1信息层D1的透射率变大。例如， 当激光具有660nm的波长，光学调整膜8的折射率是2.1时，优选40nm～ 60nm或者190nm～210nm的范围的膜厚。
作为光学调整膜8的材料，SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、 ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC 等碳化物的单体或混合物的折射率比较高，所以优选。尤其因为溅射速 度快，生产性高，所以特别优选ZnS和SiO2的混合膜。
《光记录介质D的制造方法》
作为将第1保护膜2、界面膜3、半透射记录膜4、第2保护膜5、 第3保护膜6、半透射反射膜7、光学调整膜8、第4保护膜10、记录 膜11、第5保护膜12、反射膜13等叠膜在第1基板1或第2基板14 上的方法，可以列举公知的在真空中的薄膜形成法。例如，真空蒸镀法 (电阻加热型或电子束型)、离子镀法、溅射法(直流或交流溅射、反 应性溅射)，因为组成、膜厚的控制容易，所以特别优选溅射法。
另外，优选在真空槽内将多个基板同时成膜时的批量法、或使用一 次处理一枚基板的枚叶式(单片式)成膜装置。所形成的各个膜的膜厚 控制能够容易地通过控制溅射电源的投入功率和时间，或用水晶振动型 膜厚计监测淀积状态来进行。
另外，上述各膜的形成可以在固定了基板的状态或者移动、旋转了 基板的状态下进行。因为膜厚的面内的均匀性良好，所以优选使基板自 转，而且更优选与公转组合。能够按照成膜时的基板发热状况，根据需 要进行第1基板1或第2基板14的冷却和减少第1基板1或第2基板 14的弯曲量。
为了形成光记录介质D有如下方法：间隔着由黏接片或紫外线固化 树脂形成的中间层9，将在第1基板1上顺序成膜了第1保护膜2、界 面膜3、半透射记录膜4、第2保护膜5、第3保护膜6、半透射反射膜 7、光学调整膜8的构件体，与在第2基板14上顺序成膜了反射膜13、 第5保护膜12、记录膜11、第4保护膜10的构件体粘接(第1形成方 法)。
另外，其他的形成方法有如下方法：在第1基板1上顺序成膜第1 保护膜2、界面膜3、半透射记录膜4、第2保护膜5、第3保护膜6、 半透射反射膜7、光学调整膜8后，涂敷紫外线固化树脂，压上用于槽 转印的透明压模(clear stamper)的同时，通过紫外线照射以固化而 形成中间层9，剥离透明压模；其后，在中间层9上顺序成膜第4保护 膜10、记录膜11、第5保护膜12、反射膜13，最后由黏接片或紫外线 固化树脂粘接第2基板14(第2形成方法)。
若考虑生产性，则第1形成方法比第2形成方法更优选。
为了使利用上述形成方法形成的光记录介质D初始化，需要继续在 半透射记录膜4以及记录膜11上照射激光、或氙闪光灯等的光，加热 半透射记录膜4以及记录膜11的构成材料使其结晶化。因为再生噪声 少，所以优选通过激光初始化。
《各保护膜的热传导率的研究》
本发明人为了使在光记录介质D中距离激光L的入射侧近的第1信 息层D1为高透射率，以小于10nm的膜厚形成半透射反射膜7。在本实 施方式的光记录介质D的第1信息层D1中，根据以下的各实施例以及 各比较例调查出使半透射记录膜4的记录特性以及重写特性良好的第1 保护膜2、界面膜3、第2保护膜5、第3保护膜6(各保护膜)的条件。
如下那样求得以下的各实施例以及比较例中的各保护膜的热传导 率的值。制作在硅基板上将与各保护膜相同的材料溅射成膜为200nm的 厚度的样品，使用アルバツク(ulvac)理工株式会社制作的2ω法纳米 薄膜热传导率计(TCN-2ω)，测量热传导率。
另外，使用装载了波长是660nm的激光二极管、NA＝0.60的光学 镜头的パルステック(pulstec)工业株式会社制作的光盘驱动单元(ODU -1000)进行记录。使用记录线速度是7.7m/s(DVD-ROM两层规格， 相当于两倍速)，最短记录标记长是0.440μm的8-16(EFM+)调制随 机模式，对第1信息层D1的半透射记录膜4进行与DVD-ROM同密度的 记录。此时，本实施方式的光记录介质D的容量是两层，相当于8.5G 字节。
记录在最佳记录条件下，包含邻接轨道地进行0次、1次、10次以 及1000次重写后，以该再生信号的振幅的中心进行切片，测量时钟到 数据的抖动(clock to data jitter)。而且，再生功率是1.4mW，为一 定。
記录策略使用如图2所示的记录脉冲列。记录脉冲列以1T多脉冲 列为基准，具有擦除起始脉冲Tet。
记录脉冲列由如下构成：从擦除功率Pe上升、最初用记录功率Pw 将激光施加到记录膜上的顶部脉冲Ttop；作为接着顶部脉冲Ttop的脉 冲、并交替施加记录功率Pw和底部功率Pb的多脉冲Tmp；从底部功率 Pb到擦除功率Pe使激光上升的冷却功率Tc1；以及其后施加擦除顶部 功率Pet的擦除顶部脉冲Tet；其中，擦除顶部脉冲Tet为对应于各标 记的记录脉冲列的终端。顶部脉冲Ttop和多脉冲Tmp为用于对记录膜 形成记录标记的加热脉冲(记录脉冲)。而且，也有不用多脉冲Tmp而 只用顶部脉冲Ttop形成记录脉冲列的情况。
各记录参数使用记录功率Pw＝23.0[mW]、擦除功率Pe＝4.6[mW]、 底功率Pb＝0.0[mW]、擦除顶部功率Pet＝23.0[mW]、顶部脉冲Ttop＝ 0.23[T]、多脉冲Tmp＝0.23[T]、冷却脉冲Tcl＝0.73[T]、擦除顶部脉 冲Tet＝0.23[T]。1T(单位时钟时间)是19.1ns。
在本实施方式中，根据记录脉冲列，用4个值(记录功率Pw、擦 除功率Pe、底功率Pb、擦除顶部功率Pet)的激光强度来调制，用对应 于所希望的标记长使脉冲数增减的多脉冲列在半透射记录膜4上记录。 对距离激光L的入射侧近的第1信息层D1的记录特性以及重写特性进 行评价。
(实施例1)
在直径为120mm、板厚为0.6mm的聚碳酸酯树脂制的第1基板1上 形成下述各膜。在第1基板1上以轨道间距为0.74μm来形成空槽。该 槽深度是25nm，凹槽(groove)宽度和凸区(land)宽度之比大约是 50∶50。而且凹槽从激光L的入射方向看成凸状。
首先，将真空槽内排气至3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的Ar气体环 境中，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶，利用高频磁控溅射法，在第 1基板1上形成厚度70nm的第1保护膜2。接着，使用氩气和氮气的混 合气(其中氩气流量∶氮气流量＝3∶7)，利用高频磁控溅射法，使用 GeN靶形成的厚度2nm的界面膜3。接着，使用Ag-In-Sb-Te的合金 靶形成的厚度8nm的半透射记录膜4。接着，顺序层叠使用SiC靶形成 的厚度2nm的第2保护膜5、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚 度7nm的第3保护膜6、使用Ag-Pd-Cu的合金靶形成的厚度7nm的半 透射反射膜7、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度60nm的光学 调整膜8，来制作第1信息层D1。
接着，用与第1信息层D1相同条件的溅射，在与第1基板1相同 地成型的第2基板14上，顺序层叠使用与半透射反射膜7相同的材料 形成的厚度90nm的反射膜13、使用与第1保护膜2相同的材料形成的 厚度30nm的第5保护膜12、使用与半透射反射膜4相同的材料形成的 厚度20nm的记录膜11、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度 140nm的第4保护膜10，来制作第2信息层D2。
接着，将丙烯类紫外线固化树脂(大日本ィンキ化学工业株式会社 制SD661)旋转涂敷在第1信息层D1的光学调整膜8上，利用紫外线照 射使膜厚50μm的中间层9固化而形成，使第2信息层D2的第4保护 膜10与光学调整膜8相对地贴在一起而得到图1所示的光记录介质D。
将形成为轨道方向的光束宽度比光记录介质D的半径方向的光束 宽度宽的形状的宽束激光，照射在这样制作的光记录介质D上，加热半 透射记录膜4和记录膜11到结晶化温度以上，进行初始化处理。接着， 从第1基板1的入射面1A侧使激光L的焦点对准凹槽(groove)上的 半透射记录膜4，记录信息。
在表1中示出在实施例1的光记录介质D的各膜中使用的材料的热 传导率，在重写0次、1次、10次、1000次时的抖动。在此，抖动以对 出错率影响少、能使被记录的信息再生的13.0％作为上限值，比这个值 小的值为良好。判定栏中，在全部的重写时只要抖动是13.0％以下即标 记为良好，对其他标记为不良。在表1中也同样示出下述的实施例以及 比较例的测量值。
表1
    第1保护膜2     界面膜3     第2保护膜5   第3保护膜6     热传导率比较     改写抖动      判定     材料 热传导率σ1     材料 热传导率σK     材料 热传导率σ2     材料 热传导率σ3   0次     1次   10次   1000次   [W/m/k]   [W/m/k]   [W/m/K]   [W/m/K]     [％]     [％]     [％]    [％] 实施例1     ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5 σ2＞σk＞σ1＝σ3     7.1     8.2     7.6     8.8     良好 实施例2     ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60   SiO2     1.4 σ2＞σk＞σ1＞σ3     7.6     9.2     7.9     10.2     良好 实施例3     InC8O     9.0     GeN     11     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5 σ2＞σk＞σ1＞σ3     8.6     10.0     9.1     10.8     良好 实施例4     Ta2O5     15     Al2O3     29     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5 σ2＞σk＞σ1＞σ3     8.9     10.4     9.6     12.3     良好 实施例5     ZnS-SiO2     5.5     SiC-Al2O3     45     AlN     170   ZnS-SiO2     5.5 σ2＞σk＞σ1＝σ3     8.8     9.6     8.2     10.5     良好 比较例1     ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     没有     -   ZnS-SiO2     5.5 σk＞σ1＝σ3     6.9     13.4     8.1     10.4     不良 比较例2     ZnS-SiO2     5.5     SiO2     14     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5 σ2＞σ1＝σ3＞σk     7.3     14.1     8.4     10.9     不良 比较例3     ZnS-SiO2     5.5     SiC     60     GeN     11   ZnS-SiO2     5.5 σk＞σ2＞σ1＝σ3     7.4     13.4     9.8     13.8     不良 比较例4     ZnS-SiO2     5.5     SiC     60     SiO2     1.4   ZnS-SiO2     5.5 σk＞σ1＝σ3＞σ2     8.7     14.4     11.8     16.7     不良 比较例5     AlN     170     GeN     11     SiC     60   AlN     170 σ1＝σ3＞σ2＞σk     10.2     16.4     12.8     17.4     不良 比较例6     AlN     170     SiC     60     GeN     11   AlN     170 σ1＝σ3＞σk＞σ2     13.2     19.2     15.3     21.1     不良
使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶的第1保护膜2的热传导率σ1 以及第3保护膜6的热传导率σ3是5.5W/m/K，使用GeN的界面膜3的 热传导率σk是11W/m/K，使用SiC靶的第2保护膜5的热传导率σ2 是60W/m/K。因此，在本实施例1中各膜的热传导率满足σ2＞σk＞σ1 ＝σ3的关系。
重写0次时的抖动是7.1％、重写1次时的抖动是8.2％、重写10 次时的抖动是7.6％、重写1000次时的抖动是8.8％，全都低于13.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例2)
除用SiO2靶形成的厚度4nm的第3保护膜6以外，以与实施例1 相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第3保护膜6的热传导率σ 3是1.4W/m/K，各膜的热传导率满足σ2＞σk＞σ1＞σ3的关系。
重写0次时的抖动是7.6％、重写1次时的抖动是9.2％、重写10 次时的抖动是7.9％、重写1000次时的抖动是10.2％，全都低于13.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例3)
除使用InCeO靶以最佳的膜厚形成第1保护膜2以外，以与实施例 1相同的条件制作光记录介质D。而且，在本实施方式中，所谓“最佳 的膜厚”是指使抖动为最小的厚度。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1是9.0W/m/K，各膜的热传导率满足σ2＞σk＞σ1＞σ3的关系。
重写0次时的抖动是8.6％、重写1次时的抖动是10.0％、重写 10次时的抖动是9.1％、重写1000次时的抖动是10.9％，全都低于13.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例4)
除使用Ta2O5靶以最佳的膜厚形成第1保护膜2，使用Al2O3靶以最 佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质 D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1是15W/m/K，界面膜3的热传导率σk是29W/m/K，各膜的热传导率满 足σ2＞σk＞σ1＞σ3的关系。
重写0次时的抖动是8.9％、重写1次时的抖动是10.4％、重写 10次时的抖动是9.6％、重写1000次时的抖动是12.3％，全都低于13.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例5)
除使用SiC-Al2O3靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用AlN靶以最 佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录 介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 45W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是170W/m/K，各膜的热传导率 满足σ2＞σk＞σ1＝σ3的关系。
重写0次时的抖动是6.8％、重写1次时的抖动是9.6％、重写10 次时的抖动是8.2％、重写1000次时的抖动是10.5％，全都低于13.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(比较例1)
不形成第2保护膜5，除此以外，以与实施例1相同的条件制作光 记录介质D。
因为未设置第2保护膜5，因此比较例1的光记录介质D各膜的热 传导率成为σk＞σ1＝σ3的关系。
重写0次时的抖动是6.9％、重写1次时的抖动是13.4％、重写 10次时的抖动是8.1％、重写1000次时的抖动是10.4％，重写1次时 的抖动超过13.0％，重写特性不好。
(比较例2)
除使用SiO2靶以最佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相同 的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 1.4W/m/K，各膜的热传导率成为σ2＞σ1＝σ3＞σk的关系。
重写0次时的抖动是7.3％、重写1次时的抖动是14.1％、重写 10次时的抖动是8.4％、重写1000次时的抖动是10.9％，重写1次时 的抖动超过13.0％，重写特性不好。
(比较例3)
除使用SiC靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用GeN靶以最佳的膜 厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 60W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是11W/m/K，各膜的热传导率成 为σk＞σ2＞σ1＝σ3的关系。
重写0次时的抖动是7.4％、重写1次时的抖动是13.4％、重写 10次时的抖动是9.8％、重写1000次时的抖动是13.8％，重写1次、 1000次时的抖动超过13.0％，重写特性不好。
(比较例4)
除使用SiC靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用SiO2靶以最佳的膜 厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 60W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是1.4W/m/K，各膜的热传导率 成为σk＞σ1＝σ3＞σ2的关系。
重写0次时的抖动是8.7％、重写1次时的抖动是14.4％、重写 10次时的抖动是11.8％、重写1000次时的抖动是16.7％，重写1次、 1000次时的抖动超过13.0％，重写特性不好。
(比较例5)
除使用AlN靶形成厚度100nm的第1保护膜2，使用AlN靶形成厚 度12nm的第3保护膜6以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介 质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1和第3保护膜6的热传导率σ3是170W/m/K，各膜的热传导率成为σ1 ＝σ3＞σ2＞σk的关系。
重写0次时的抖动是10.2％、重写1次时的抖动是16.4％、重写 10次时的抖动是12.8％、重写1000次时的抖动是17.4％，重写1次、 1000次时的抖动超过13.0％，重写特性不好。
(比较例6)
除使用AlN靶形成厚度100nm的第1保护膜2，使用SiC靶以最佳 的膜厚形成界面膜3，使用GeN靶以最佳的膜厚形成第2保护膜5，使 用AlN靶形成厚度12nm的第3保护膜6以外，以与实施例1相同的条 件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1和第3保护膜6的热传导率σ3是170W/m/K，界面膜3的热传导率σk 是60W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是11W/m/K，各膜的热传导率 成为σ1＝σ3＞σk＞σ2的关系。
重写0次时的抖动是13.2％、重写1次时的抖动是19.2％、重写 10次时的抖动是15.3％、重写1000次时的抖动是21.1％，在全部的重 写中抖动超过了13.0％，因此记录特性及重写特性不好。
从表1所示的实施例1～实施例5以及比较例1～比较例6的结果 可知，若第1保护膜2、第2保护膜5、第3保护膜6以及界面膜3的 各热传导率如实施例1～实施例5那样，满足第2保护膜5的热传导率 σ2最大，界面膜3的热传导率σk其次大，第1保护膜2的热传导率 σ1和第3保护膜6的热传导率σ3比σk小的关系，则抖动是良好的。 可知所谓“第1保护膜2的热传导率σ1和第3保护膜6的热传导率σ3”， 无论σ1比σ3大，还是σ1和σ3同样大，只要是σ2最大σk其次大 的关系，就不会对抖动有影响。由此，在本实施方式中，示出上述关系 为σ2＞σk＞(σ1，σ3)。
另一方面，如比较例1那样未形成第2保护膜5、在半透射记录膜 4和半透射反射膜7之间只是一层第3保护膜6的光记录介质D，重写1 次时的抖动超过13.0％，重写特性不好。另外，若如比较例2～比较例 6那样各膜的热传导率未满足σ2＞σk＞(σ1，σ3)的关系，则重写 特性同样不好。
这是第1次重写时，在半透射记录膜4中重写信息的范围，但考虑 到已经形成记录标记，光吸收率因是非结晶状态还是结晶状态而不同。 半透射记录膜4的光吸收率在结晶状态比在非结晶状态大，因此半透射 记录膜4的温度上升而达到一定的最高温度也是在结晶状态下更高。另 外，在非结晶状态和结晶状态下，从停止激光L的照射的时刻的半透射 记录膜4被冷却的速度也不同。
上述那样，最高温度因重写的范围的半透射记录膜4的相状态(非 结晶或者结晶)而不同，因此在重写而形成的记录标记中发生失真(重 写失真)。若象比较例2～比较例6那样各保护膜的热传导率不满足σ2 ＞σk＞(σ1，σ3)的关系，则使半透射记录膜4的放热和蓄热不平 衡，不能修正重写失真，因此第1次的重写特性恶化。
由上述原因，若在光记录介质D的第1信息层D1中形成各保护膜 以满足热传导率是σ2＞σk＞(σ1，σ3)的关系，则记录信息时的半 透射记录膜4中的放热和蓄热的平衡为最佳，能够将半透射记录膜4在 优选的状态下冷却。因此，能够形成所希望的大的记录标记，也能够修 正重写失真，记录特性以及重写特性为良好。
在以上的实施例1～5以及比较例1～6中，作为一个实施例，将两 层DVD-RW作为多层型相变光记录介质来验证，但在具有三层以上的信 息层的多层型相变光记录介质的情况下也能够得到同样良好的特性。在 具有三层以上的信息层时，从记录、再生激光的入射侧看，对于除最里 侧的信息层以外的跟前侧的具有半透射特性的各信息层，只要使各保护 膜的热传导率满足σ2＞σk＞(σ1，σ3)的关系而形成即可。另外， 在记录、再生中使用的激光波长比DVD短时也可同样得到良好的特性。
<各保护膜的热传导率的范围的研究>
接着，使用第1保护膜2、第2保护膜5、第3保护膜6以及界面 膜3的各热传导率满足σ2＞σk＞(σ1，σ3)的关系的光记录介质D， 研究可得到各热传导率良好的记录特性以及重写特性的范围。
首先，对第2保护膜5的热传导率σ2的优选范围进行研究。在表 2中示出在实施例1中使用的光记录介质D以及在下述的实施例6、实 施例7、比较例7、比较例8中使用的各光记录介质D的测量值。
在此，抖动以能充分取得再生兼容余裕的11.0％为上限值。所谓 “再生兼容”是指在各种的光记录介质再生装置中能够再生的意思。
表2
    第1保护膜2     界面膜3     第2保护膜5     第3保护膜6     改写抖动   判定     材料 热传导率σ1     材料 热传导率σ3     材料  热传导率σ2     材料 热传导率σ3    0次   1次   10次   1000次   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]    [％]    [％]    [％]    [％] 实施例1   ZnS-SiO2     5.5      GeN     11     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5     7.1     8.2     7.6     8.8     良好 实施例6   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC-AlN     110   ZnS-SiO2     5.5     8.8     9.2     7.8     9.8     良好 实施例7   ZnS-SiO2     5.5     SiC-Al2O3     45     AlN     170   ZnS-SiO2     5.5     6.8     9.6     8.2     10.5     良好 比较例7   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     Al2O3     29   ZnS-SiO2     5.5     8.8     12.6     10.6     12.8     不良 比较例8   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC-Al2O3     45   ZnS-SiO2     5.5     8.3     11.1     9.5     12.1     不良
实施例1的光记录介质D在全部的重写时抖动低于11.0％，记录 特性以及重写特性是良好的。
(实施例6)
除使用SiC-AlN混合物以最佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以 与实施例1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第2保护膜5的热传导率σ 2是110W/m/K。
重写0次时的抖动是6.8％、重写1次时的抖动是9.2％、重写10 次时的抖动是7.8％、重写1000次时的抖动是9.6％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例7)
除使用SiC-Al2O3靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用AlN靶以最 佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录 介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 45W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是170W/m/K。
重写0次时的抖动是6.8％、重写1次时的抖动是9.6％、重写10 次时的抖动是8.2％、重写1000次时的抖动是10.5％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(比较例7)
除使用Al2O3靶以最佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1 相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第2保护膜5的热传导率σ 2是29W/m/K。
重写0次时的抖动是8.8％、重写1次时的抖动是12.6％、重写 10次时的抖动是10.6％、重写1000次时的抖动是12.8％，重写1次、 1000次时的抖动超过11.0％，重写特性不好。
(比较例8)
除使用SiC-Al2O3靶以最佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以与实 施例1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第2保护膜5的热传导率σ 2是45W/m/K。
重写0次时的抖动是8.3％、重写1次时的抖动是11.1％、重写 10次时的抖动是9.5％、重写1000次时的抖动是12.1％，重写1次、 1000次时的抖动超过11.0％，重写特性不好。
由以上的实施例1、6、7以及比较例7、8可知第2保护膜5的热 传导率σ2的优选范围是大于等于50W/m/K、小于180W/m/K。若第2保 护膜5的热传导率σ2小于50W/m/K，则妨碍从半透射记录膜4的放热， 半透射记录膜4不能骤冷。因此，难以修正重写失真，所以重写第1次 的抖动恶化。另外，若第2保护膜5的热传导率σ2大于等于180W/m/K， 则记录时因照射的激光L而产生的热不能积存在半透射记录膜4中，因 此不能形成良好的记录标记，信号强度也低。
接着，对界面膜3的热传导率σk的优选范围进行研究。在表3中 示出在实施例1中使用的光记录介质D以及在下述的实施例8、实施例 9、比较例9、比较例10中使用的各光记录介质D的测量值。
实施例1的光记录介质D在全部的重写时抖动低于11.0％，记录 特性以及重写特性是良好的。
表3
     第1保护膜2     界面膜3     第2保护膜5     第3保护膜6     改写抖动   判定     材料 热传导率σ1     材料 热传导率σ3     材料 热传导率σ2     材料 热传导率σ3     0次   1次   10次   1000次   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]     [％]    [％]    [％]     [％] 实施例1   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5     7.1     8.2     7.8     8.8     良好 实施例8   ZnS-SiO2     5.5     Al2O3     29     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5     7.0     6.8     6.0     9.6     良好 实施例9   ZnS-SiO2     5.5     SiC-Al2O3     45     AlN     170   ZnS-SiO2     5.5     6.8     9.6     8.2     10.5     良好 比较例9   ZnS-SiO2     5.5     InCeO     9.0     SiC     60   ZnS-SiO2     5.5     7.8     11.1     8.1     10.6     不良 比较例10   ZnS-SiO2     5.5     SiC     60     AlN     170   ZnS-SiO2     5.5     7.9     11.3     8.4     10.9     不良
(实施例8)
除使用Al2O3靶以最佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相 同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 29W/m/K。
重写0次时的抖动是7.0％、重写1次时的抖动是8.8％、重写10 次时的抖动是8.0％、重写1000次时的抖动是9.8％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例9)
除使用SiC-Al2O3靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用AlN靶以最 佳的膜厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录 介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 45W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是170W/m/K。
重写0次时的抖动是6.8％、重写1次时的抖动是9.6％、重写10 次时的抖动是8.2％、重写1000次时的抖动是10.5％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(比较例9)
除使用InCeO靶以最佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相 同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 9.0W/m/K。
重写0次时的抖动是7.8％、重写1次时的抖动是11.1％、重写 10次时的抖动是8.1％、重写1000次时的抖动是10.6％，重写1次时 的抖动超过11.0％，因此重写特性不好。
(比较例10)
除使用SiC靶以最佳的膜厚形成界面膜3，使用AlN靶以最佳的膜 厚形成第2保护膜5以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，界面膜3的热传导率σk是 60W/m/K，第2保护膜5的热传导率σ2是170W/m/K。
重写0次时的抖动是7.9％、重写1次时的抖动是11.3％、重写 10次时的抖动是8.4％、重写1000次时的抖动是10.9％，重写1次时 的抖动超过11.0％，因此重写特性不好。
由以上的实施例1、8、9以及比较例9、10可知界面膜3的热传导 率σk的优选范围是大于等于10W/m/K、小于50W/m/K。若热传导率σk 大于等于10W/m/K，则能够修正半透射反射膜7的冷却不足，因此能够 良好地形成用于记录信息记录标记，可得到良好的记录特性。进而，因 为小于50W/m/K，热传导率比第2保护膜5还低，可得到良好的重写特 性。
若界面膜3的热传导率σk小于10W/m/K，则为了形成良好的记录 标记而不能充分地进行必要的半透射记录膜4的冷却，信号强度恶化。 若大于等于50W/m/K，则记录时因照射的激光L而产生的热不能积存在 半透射记录膜4中，信号强度低。若热传导率σk小于10W/m/K或者大 于等于50W/m/K，则不能保持在半透射记录膜4中的放热和蓄热的平衡， 难以修正重写失真，因此重写第1次的抖动高于11.0％若干而恶化。
接着，对第1保护膜2的热传导率σ1的优选范围进行研究。在表 4中示出在实施例1中使用的光记录介质D以及在下述的实施例10、实 施例11、比较例11中使用的各光记录介质D的测量值。
实施例1的光记录介质D在全部的重写时抖动低于11.0％，记录 特性以及重写特性是良好的。
表4
    第1保护膜2     界面膜3     第2保护膜5     第3保护膜6     改写抖动   判定     材料 热传导率σ1     材料 热传导率σ3     材料 热传导率σ2     材料 热传导率σ3     0次     1次     10次   1000次   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]   [W/m/K]     [％]     [％]     [％]     [％] 实施例1     ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60  ZnS-SiO2     5.5     7.1     8.2     7.6     8.8     良好 实施例10     SiO2     1.4     GeN     11     SiC     60  ZnS-SiO2     5.5     8.3     9.9     9.3     10.3     良好 实施例11     InCeO     9.0     GeN     11     SiC     60  ZnS-SiO2     5.5     8.6     10.0     9.1     10.9     良好 比较例11     Ta2O5     15     Al2O3     29     SiC     60  ZnS-SiO2     5.5     8.9     10.4     9.6     12.3     不良
(实施例10)
除使用SiO2靶以最佳的膜厚形成第1保护膜2以外，以与实施例1 相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1是1.4W/m/K。
重写0次时的抖动是8.3％、重写1次时的抖动是9.9％、重写10 次时的抖动是9.3％、重写1000次时的抖动是10.3％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例11)
除使用InCeO靶以最佳的膜厚形成第1保护膜2以外，以与实施例 1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1是9.0W/m/K。
重写0次时的抖动是8.6％、重写1次时的抖动是10.0％、重写 10次时的抖动是9.1％、重写1000次时的抖动是10.9％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(比较例11)
除使用Ta2O5靶以最佳的膜厚形成第1保护膜2，使用Al2O3靶以最 佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质 D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第1保护膜2的热传导率σ 1是15W/m/K，界面膜3的热传导率σk是29W/m/K。
重写0次时的抖动是8.9％、重写1次时的抖动是10.4％、重写 10次时的抖动是9.6％、重写1000次时的抖动是12.3％，重写1000 次时的抖动超过11.0％，因此重写特性不好。
由以上的实施例1、10、11以及比较例11可知第1保护膜2的热 传导率σ1的优选范围是小于10W/m/K。若第1保护膜2的热传导率σ1 大于等于10W/m/K，则半透射记录膜4不能充分蓄热，因此，已经形成 了的记录标记在重写时不能擦除，在这样的半透射记录膜4中持续多次 重写后，重写特性恶化。
接着，对第3保护膜6的热传导率σ3的优选范围进行研究。在表 5中示出在实施例1中使用的光记录介质D以及在下述的实施例12、实 施例13、比较例12中使用的各光记录介质D的测量值。
实施例1的光记录介质D在全部的重写时抖动低于11.0％，记录 特性以及重写特性是良好的。
表5
    第1保护膜2     界面膜3   第2保护膜5     第3保护膜6     改写抖动   判定     材料   热传导率σ1   [W/m/K]     材料 热传导率σ3     材料 热传导率σ2     材料 热传导率σ3     0次     1次     10次     1000次   [W/m/k]   [W/m/K]   [W/m/K]     [％]     [％]     [％]     [％] 实施例1   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60     ZnS-SiO2     5.5     7.1     8.2     7.6     8.8     良好 实施例12   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60     SiO2     1.4     7.6     9.2     7.9     10.2     良好 实施例13   ZnS-SiO2     5.5     GeN     11     SiC     60     InCeO     9.0     7.4     8.9     8.6     10.7     良好 比较例12   ZnS-SiO2     5.5     Al2O3     29     SiC     60     Ta2O5     15     7.6     11.6     9.4     12.4     不良
(实施例12)
除使用SiO2靶以最佳的膜厚形成第3保护膜6以外，以与实施例1 相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第3保护膜6的热传导率σ 3是1.4W/m/K。
重写0次时的抖动是7.6％、重写1次时的抖动是9.2％、重写10 次时的抖动是7.9％、重写1000次时的抖动是10.2％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(实施例13)
除使用InCeO靶以最佳的膜厚形成第3保护膜6以外，以与实施例 1相同的条件制作光记录介质D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第3保护膜6的热传导率σ 3是9.0W/m/K。
重写0次时的抖动是7.4％、重写1次时的抖动是8.9％、重写10 次时的抖动是8.6％、重写1000次时的抖动是10.7％，全都低于11.0 ％，记录特性以及重写特性是良好的。
(比较例12)
除使用Ta2O5靶以最佳的膜厚形成第3保护膜6，使用Al2O3靶以最 佳的膜厚形成界面膜3以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质 D。
当与实施例1相同地测量热传导率时，第3保护膜6的热传导率σ 3是15W/m/K，界面膜3的热传导率σk是29W/m/K。
重写0次时的抖动是7.6％、重写1次时的抖动是11.6％、重写 10次时的抖动是9.4％、重写1000次时的抖动是12.4％，重写1次、 1000次时的抖动超过11.0％，因此重写特性不好。
由以上的实施例1、12、13以及比较例12可知第3保护膜6的热 传导率σ3的优选范围是小于10W/m/K。若第3保护膜6的热传导率σ3 大于等于10W/m/K，则在对半透射记录膜4的记录时因激光产生的热不 能在半透射记录膜4中充分蓄热，而向半透射反射膜7放热，妨碍半透 射记录膜4的放热和蓄热的平衡。因此，难以修正重写失真，使重写第 1次的抖动若干恶化。
进而，象实施例1的光记录介质D那样，若第1保护膜2以及第3 保护膜6的材料包含ZnS和SiO2中的至少一种，界面膜3的材料以GeN 为主成分，第2保护膜5的材料以SiC为主成分，则如表1所示，重写 0次、1次、10次、1000次时的抖动都低于9.0％，可得到更优选的结 果。