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光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器

阅读：111发布：2021-02-16

IPRDB可以提供光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器，在力求提高从光半导体封装取出光的取光效率的同时，能够以高生产效率将高性能且高可靠性的光半导体封装制造成小型且薄型。光半导体封装(1A)具有LED芯片(30)和安装了LED芯片的内插板(10)，LED芯片通过装载在内插板上的反射器(20)来装载在内插板上。反射器具有：平板状的底部(21)；从底部的周边起连续延伸且越到上方则直径变得越大的大致圆锥板状的侧部(22)；由底部和侧部所决定的上面开口的收纳室(24)。用于决定收纳室的壁面能够反射照射光，LED芯片装载在反射器的收纳室内的底部上。，下面是光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种光半导体封装，具有光半导体元件和基体材料，该光半导体元件用于投光或受光，该基体材料上安装有上述光半导体元件，其特征在于，上述光半导体元件隔着元件装载部件装载在上述基体材料上，该元件装载部件直接装载在上述基体材料上，上述元件装载部件包括平板状的底部、从该底部的周边起连续延伸且越到上方则直径越大的圆锥板状的侧部、上面开口且由上述底部和上述侧部所规定的收纳室，用于决定上述收纳室的壁面能够对所照射的光进行反射，上述光半导体元件装载在上述元件装载部件的上述收纳室内的上述底部上，上述元件装载部件是通过对一张金属板状部件进行冲压加工所形成的冲压成形品。

2.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述底部和上述侧部的厚度相等，在0.3mm以下。

3.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述元件装载部件还包括凸缘部，该凸缘部从上述侧部的一侧端部起向外侧连续延伸，其中，上述一侧端部是指，与上述侧部的上述底部一侧的端部相反一侧的端部。

4.如权利要求3所述的光半导体封装，其特征在于，上述底部、上述侧部和上述凸缘部的厚度相等，在0.3mm以下。

5.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述光半导体元件通过经由上述元件装载部件的上述上面开口引出的键合线，与设在上述基体材料上的电路电连接。

6.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述光半导体元件隔着绝缘粘结层粘结在上述元件装载部件上。

7.如权利要求6所述的光半导体封装，其特征在于，上述绝缘粘结层由含有透光树脂材料的粘结层构成。

8.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述元件装载部件隔着绝缘粘结层粘结在上述基体材料上。

9.如权利要求1至8中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，用于决定上述收纳室的上述壁面被第一覆盖膜覆盖，其中，该第一覆盖膜的反射率比该壁面的反射率大。

10.如权利要求9所述的光半导体封装，其特征在于，上述第一覆盖膜是金属材料或树脂材料的镀膜。

11.如权利要求9所述的光半导体封装，其特征在于，上述第一覆盖膜是金属电镀膜。

12.如权利要求11所述的光半导体封装，其特征在于，上述金属电镀膜含有选自由锡、银、镍和金组成的组中的一种以上的金属。

13.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述元件装载部件由导电部件构成，

上述光半导体元件通过上述元件装载部件与设在上述基体材料上的电路电连接。

14.如权利要求13所述的光半导体封装，其特征在于，上述光半导体元件通过焊接材料、导电粘结剂或导电膏粘结在上述元件装载部件上，上述元件装载部件通过焊接材料、导电粘结剂或导电膏粘结在上述基体材料上。

15.如权利要求14所述的光半导体封装，其特征在于，上述元件装载部件的与上述光半导体元件相粘结的粘结面被第二覆盖膜覆盖，其中，该第二覆盖膜用于减小上述光半导体元件和上述元件装载部件之间的接触电阻。

16.如权利要求15所述的光半导体封装，其特征在于，上述第二覆盖膜还覆盖用于决定上述收纳室的上述壁面上除了上述粘结面之外的部分，上述第二覆盖膜的反射率比用于决定上述收纳室的上述壁面的反射率大。

17.如权利要求15所述的光半导体封装，其特征在于，上述第二覆盖膜还覆盖上述元件装载部件的与上述基体材料相粘结的粘结面。

18.如权利要求15所述的光半导体封装，其特征在于，上述第二覆盖膜是金属电镀膜。

19.如权利要求18所述的光半导体封装，其特征在于，上述金属电镀膜含有选自由锡、银、镍和金组成的组中的一种以上的金属。

20.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，在上述基体材料上除了装载有上述元件装载部件的部分以外的部分，安装有无源元件或有源元件。

21.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，上述光半导体元件被透光树脂密封层密封。

22.如权利要求21所述的光半导体封装，其特征在于，上述透光树脂密封层对安装在上述基体材料的主面上的所有的部件进行密封，其中，该主面是指，上述基体材料的安装有上述光半导体元件的一侧的面。

23.如权利要求21所述的光半导体封装，其特征在于，上述树脂密封层包括透镜部，该透镜部位于与上述光半导体元件的位置相对应的位置。

24.如权利要求21所述的光半导体封装，其特征在于，上述元件装载部件具有延伸部，该延伸部从上述侧部的一侧端部起向外侧连续延伸且到达上述树脂密封层的侧面，其中，上述一侧端部是指，与上述侧部的上述底部一侧相反一侧的端部。

25.如权利要求1所述的光半导体封装，其特征在于，在上述基体材料上装载有多个上述元件装载部件，其中，上述元件装载部件上装载有上述光半导体元件。

26.一种光电传感器，其特征在于，具有权利要求1至25中任一项所述的光半导体封装。

27.一种光半导体封装的制造方法，用于制造权利要求1至25中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，包括：准备一张金属板状部件的步骤；

对上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；

将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

28.一种光半导体封装的制造方法，用于制造权利要求9至12中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，包括：准备一张金属板状部件的步骤；

在上述板状部件的表面上形成上述第一覆盖膜的步骤；

对形成有上述第一覆盖膜的上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；

将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

29.一种光半导体封装的制造方法，用于制造权利要求9至12中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，包括：准备一张金属板状部件的步骤；

对上述板状部件进行冲压加工，在冲压加工后的该板状部件的表面上形成上述第一覆盖膜，以此形成上述元件装载部件的步骤；

将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

30.一种光半导体封装的制造方法，用于制造权利要求15至19中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，包括：准备一张金属板状部件的步骤；

在上述板状部件的表面上形成上述第二覆盖膜的步骤；

对形成有上述第二覆盖膜的上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；

将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

31.一种光半导体封装的制造方法，用于制造权利要求15至19中任一项所述的光半导体封装，其特征在于，包括：准备一张金属板状部件的步骤；

对上述板状部件进行冲压加工，在冲压加工后的该板状部件的表面上形成上述第二覆盖膜，以此形成上述元件装载部件的步骤；

将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

说明书全文

光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器

技术领域

[0001] 本发明涉及对以投光元件或受光元件为代表的光半导体元件进行封装处理的光半导体封装(optical semiconductor package)、具有该光半导体封装的光电传感器以及用于制造该光半导体封装的制造方法。

背景技术

[0002] 近年来，随着对于电子仪器的小型化和薄型化的要求，表面安装器件(Surface Mount Devices)受到关注。包括以投光元件或受光元件为代表的光半导体元件的光电传感器也不例外，正在研究对于光半导体元件能够进行表面安装的各种封装结构。

[0003] 通常，光电传感器不但要满足如上所述的装置的小型化和薄型化的要求，而且还要满足使检测距离变长以及能够检测出更微小的部件等的要求。为了满足这些要求，除了要实现装载在光电传感器上的光半导体封装的小型化和薄型化之外，还要在这样构成的情况下使投光器射出光量足够的检测光。即，在力求提高从光半导体封装取出的检测光的取光效率(Light ExtractionEfficiency)的同时，还要实现光半导体封装的小型化和薄型化。

[0004] 作为应对这种要求的一个解决方法，有利用反射器(反射部件)的方法。所谓反射器是指，为了将LED(Light-Emitting Diode：发光二级管)芯片射出的光高效率地导向规定的方向，在从LED芯片以放射状射出的光中使没有朝向上述规定的方向射出的光反射以导向上述规定的方向的光学部件。通过在光半导体封装上装载该反射器，能够大幅度提高上述检测光的取光效率。

[0005] 作为公开了一种装载有这种反射器的光半导体封装的文献，例如有JP特开2001-177155号公报(专利文献1)等。

[0006] 在上述专利文献1中，公开了具有如下结构的光半导体封装，即，在作为基体材料的基板上安装LED芯片，在基板上以包围该LED芯片的方式设置内周面呈圆锥形状的筒状部件(相当于反射器)，并利用树脂密封层对由该筒状部件和基板所决定的空间进行密封。

[0007] 专利文献1：JP特开2001-177155号公报

[0008] 在上述专利文献1所记载的光半导体封装中，采用内周面呈圆锥形状的筒状部件作为反射器。在采用这种筒状部件作为反射器的情况下，由于在基板自身装载该LED芯片，因此有助于实现光半导体封装的薄型化。然而，存在这样的问题，即，在采用这种封装结构的情况下，由于在用于决定收纳LED芯片的空间的部分中底面(即基板表面)部分不发挥反射面的作用，所以导致不能充分改善射出效率。另外，若在制造的观点上看该封装结构，则存在这样的问题，即，需要将LED芯片和筒状部件分别定位装载在基板上，其结果，导致LED芯片和筒状部件之间的定位精度下降。

发明内容

[0009] 因此，本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的在于，力求提高从光半导体封装取出光的取光效率，同时能够以高生产效率将高性能且高可靠性的光半导体封装制造成小型且薄型，另外，由此能够提供更加小型且高性能的光电传感器。

[0010] 基于本发明的光半导体封装具有光半导体元件和基体材料，该光半导体元件用于投光或受光，该基体材料上安装有上述光半导体元件。上述光半导体元件隔着元件装载部件装载在上述基体材料上，该元件装载部件直接装载在上述基体材料上。上述元件装载部件包括平板状的底部、从该底部的周边起连续延伸且越到上方则直径越大的大致圆锥板状的侧部、上面开口且由上述底部和上述侧部所规定的收纳室。用于决定上述收纳室的壁面能够对所照射的光进行反射。上述光半导体元件装载在上述元件装载部件的上述收纳室内的上述底部上。

[0011] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述底部和上述侧部的厚度实质上相等，此时这些底部和侧部的厚度都在0.3mm以下。

[0012] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述元件装载部件还包括凸缘部，该凸缘部从上述侧部的一侧端部起向外侧连续延伸，其中，上述一侧端部是指，与上述侧部的上述底部一侧的端部相反一侧的端部。

[0013] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述底部、上述侧部和上述凸缘部的厚度实质上相等，此时，这些底部、侧部和凸缘部的厚度都在0.3mm以下。

[0014] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述元件装载部件是通过对一张金属板状部件进行冲压加工而形成的冲压成形品。

[0015] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述光半导体元件通过经由上述元件装载部件的上述上面开口引出的键合线，与设在上述基体材料上的电路电连接。

[0016] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述光半导体元件隔着绝缘粘结层粘结在上述元件装载部件上。此时，更优选地，上述绝缘粘结层由含有透光树脂材料的粘结层构成。

[0017] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述元件装载部件隔着绝缘粘结层粘结在上述基体材料上。

[0018] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，用于决定上述收纳室的上述壁面被第一覆盖膜覆盖，而且，该第一覆盖膜的反射率比该壁面的反射率大。此时，更优选地，上述第一覆盖膜是金属材料或树脂材料的镀膜。

[0019] 另外，上述第一覆盖膜可以是金属电镀膜，此时，优选地，上述金属电镀膜含有选自由锡、银、镍和金组成的组中的一种以上的金属。

[0020] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述元件装载部件由导电部件构成，此时，上述光半导体元件通过上述元件装载部件而与设在上述基体材料上的电路电连接。

[0021] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述光半导体元件通过焊接材料、导电粘结剂或导电膏粘结在上述元件装载部件上，另外，上述元件装载部件通过焊接材料、导电粘结剂或导电膏粘结在上述基体材料上。

[0022] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，述元件装载部件的与上述光半导体元件相粘结的粘结面被第二覆盖膜覆盖，其中，该第二覆盖膜用于减小上述光半导体元件和上述元件装载部件之间的接触电阻。此时，优选地，上述第二覆盖膜还覆盖用于决定上述收纳室的上述壁面上除了上述粘结面之外的部分，此时，上述第二覆盖膜的反射率比用于决定上述收纳室的上述壁面的反射率大。进而，上述第二覆盖膜还可以覆盖上述元件装载部件的与上述基体材料相粘结的粘结面。

[0023] 另外，优选地，上述第二覆盖膜是金属电镀膜，此时，上述金属电镀膜含有选自由锡、银、镍和金组成的组中的一种以上的金属。

[0024] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，在上述基体材料上除了装载有上述元件装载部件的部分以外的部分，安装有无源元件或有源元件。

[0025] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述光半导体元件被透光树脂密封层密封。

[0026] 上述基于本发明的光半导体封装，优选地，上述透光树脂密封层对安装在上述基体材料的主面上的所有的部件进行密封，其中，该主面是指，上述基体材料的安装有上述光半导体元件的一侧的面。

[0027] 上述基于本发明的光半导体封装，上述树脂密封层可以包括透镜部，该透镜部位于与上述光半导体元件的位置相对应的位置。

[0028] 上述基于本发明的光半导体封装，上述元件装载部件具有延伸部，该延伸部从上述侧部的一侧端部起向外侧连续延伸且到达上述树脂密封层的侧面，其中，上述一侧端部是指，与上述侧部的上述底部一侧相反一侧的端部。

[0029] 上述基于本发明的光半导体封装，在上述基体材料上可以装载有多个上述元件装载部件，其中，上述元件装载部件上装载有上述光半导体元件。

[0030] 基于本发明的光电传感器具有上述任意一种光半导体封装。

[0031] 本发明的第一方面的光半导体封装的制造方法是用于制造上述本发明的光半导体封装的方法，包括：准备一张金属板状部件的步骤；对上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

[0032] 本发明的第二方面的光半导体封装的制造方法用于制造在上述本发明的光半导体封装中元件装载部件的表面被上述第一覆盖膜覆盖的光半导体封装，包括：准备一张金属板状部件的步骤；在上述板状部件的表面上形成上述第一覆盖膜的步骤；对形成有上述第一覆盖膜的上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

[0033] 本发明的第三方面的光半导体封装的制造方法用于制造在上述本发明的光半导体封装中元件装载部件的表面被上述第一覆盖膜覆盖的光半导体封装，包括：准备一张金属板状部件的步骤；对上述板状部件进行冲压加工，在该冲压加工后的板状部件的表面形成上述第一覆盖膜，以此形成上述元件装载部件的步骤；将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

[0034] 本发明的第四方面的光半导体封装的制造方法用于制造在上述本发明的光半导体封装中元件装载部件的表面被上述第二覆盖膜覆盖的光半导体封装，包括：准备一张金属板状部件的步骤；在上述板状部件的表面上形成上述第二覆盖膜的步骤；对形成有上述第二覆盖膜的上述板状部件进行冲压加工，以此形成上述元件装载部件的步骤；将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

[0035] 本发明的第五方面的光半导体封装的制造方法用于制造在上述本发明的光半导体封装中元件装载部件的表面被上述第二覆盖膜覆盖的光半导体封装，包括：准备一张金属板状部件的步骤；对上述板状部件进行冲压加工，在冲压加工后的该板状部件的表面上形成上述第二覆盖膜，以此形成上述元件装载部件的步骤；将上述元件装载部件装载在上述基体材料上的步骤。

[0036] 根据本发明，不仅能够提高从光半导体封装取出光的取光效率，而且能够以高生产效率将高性能且高可靠性的光半导体封装制造成小型且薄型。

附图说明

[0037] 图1是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的外观结构的示意性立体图。

[0038] 图2是表示图1所示的光半导体封装的内部结构的图，是图1所示的II-II线的示意性剖视图。

[0039] 图3A、图3B分别是表示图1所示的反射器形状的俯视图和剖视图。

[0040] 图4A～图4D是表示图3A、图3B所示的反射器的制造方法的工序图。

[0041] 图5A～图5E是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的制造方法的工序图。

[0042] 图6是安装了本发明第一实施方式的光半导体封装的安装基板的剖视图。

[0043] 图7是表示本发明第一实施方式的光电传感器的投光器的组装结构的分解立体图。

[0044] 图8是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第一变形例的示意性立体图。

[0045] 图9是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第二变形例的示意性剖视图。

[0046] 图10是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第三变形例的示意性剖视图。

[0047] 图11是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第四变形例的示意性俯视图。

[0048] 图12是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第五变形例的示意性俯视图。

[0049] 图13是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的第六变形例的示意性俯视图。

[0050] 图14是表示本发明第二实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。

[0051] 图15是用于说明本发明第三实施方式的光半导体封装的制造方法的工序图。

[0052] 图16A～图16E是表示采用图15所示的制造方法时所使用的反射器在制造过程中的形状的俯视图。

[0053] 图17是表示利用图15所示的制造方法制造的一个光半导体封装的示意性俯视图。

[0054] 图18是表示本发明第四实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。

[0055] 图19A～图19D是表示图18所示的反射器的制造方法的工序图。

[0056] 图20A～图20E是表示图18所示的反射器的制造方法的其它例子的工序图。

[0057] 图21A、图21B是表示第一比较例的反射器的制造方法的工序图。

[0058] 图22A、图22B是表示第二比较例的反射器的制造方法的工序图。

[0059] 图23是表示本发明第五实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。

具体实施方式

[0060] 下面，参照附图，详细说明本发明的实施方式。此外，在下面所述的实施方式中，作为光半导体封装，特别举例说明在光电传感器的投光器上组装的光半导体封装。

[0061] (第一实施方式)

[0062] 图1是表示本发明第一实施方式的光半导体封装的外观结构的示意性立体图。图2是表示图1所示的光半导体封装的内部结构的图，是图1所示的II-II线的示意性剖视图。另外，图3A、图3B是表示图1所示的反射器的形状的图，其中，图3A是俯视图，图3的B是剖视图。首先，参照图1至图3B，对本发明第一实施方式的光半导体封装的结构进行说明。

[0063] 如图1和图2所示，本实施方式的光半导体封装1A的外形为大致长方体形状，是一种能够向安装基板进行表面安装的电子部件。光半导体封装1A主要包括：作为基体材料的内插板(interposer)10、作为元件装载部件的反射器20、作为光半导体元件的LED芯片30、树脂密封层60。

[0064] 内插板10例如由大致矩形的平板状的印刷布线基板构成。作为该印刷布线基板，优先使用环氧玻璃基板等的有机基板。在内插板10的主表面10a上形成有焊盘11，该焊盘11经由以贯通内插板10的方式形成的通孔(throughhole)12，与形成在内插板10的背面的焊盘13电连接。此外，优先采用厚度大致为0.1mm～0.8mm左右的内插板10。

[0065] 在内插板10的主表面10a上装载有反射器20。更详细地讲，反射器20隔着粘结层41粘结在内插板10上，其中，该粘结层41是将作为芯片焊接材料的具有绝缘特性或者导电特性的粘结剂固化而成的层。

[0066] 如图1和图2所示，反射器20由大致有底圆锥状的形状的部件构成，更详细地讲，如图3A和图3B所示，具有底部21、侧部22和凸缘部23。从上面看，底部21具有圆形的平板状的形状，其上表面和下表面大致平行。侧部22具有从底部21的周边起连续延伸且越到上方则直径越大的大致圆锥板状的形状，而且其内周面与外周面大致平行。凸缘部23从侧部22的一侧端部起向外侧连续延伸，而且其上表面与下表面大致平行，其中，上述一侧端部是指，侧部22的与底部21一侧的端部相反一侧的端部。

[0067] 参照图3B，反射器20的底部21、侧部22和凸缘部23各自的厚度t1、t2和t3实质上都相等。该厚度优选为0.3mm以下，更优选在0.05mm～0.1mm的范围内。另外，底部21与侧部22所成的角θ大致在20°～70°的范围内。

[0068] 反射器20具有由其底部21和侧部22决定的上面开口的收纳室24。用于决定收纳室24的壁面(即底部21的上表面和侧部22的内周面)，发挥用于使所照射的光反射的反射面的功能。更优选地，将该壁面加工成使照射的光发生镜面反射的镜面。因此，反射器20的材质例如优先采用铜、铜合金、铝、铝合金等金属。此外，该反射器20优先采用后述的冲压成形品，其中，该冲压成形品是指，通过对一张金属板状部件进行冲压加工而得到的部件。

[0069] 如图1和图2所示，在反射器20的收纳室24内收纳有LED芯片30。更详细地讲，LED芯片30隔着粘结层42粘结在反射器20的底部21上，其中，该粘结层42是将作为芯片焊接材料的具有绝缘特性或者导电特性的粘结剂固化而成的层。LED芯片30相当于以放射状射出光的光源。

[0070] 在LED芯片30的上表面形成有未图示的一对电极(阳极(anode)和阴极(cathode))，这一对电极分别通过键合线(bonding wire)50与设在内插板10的主表面10a上的焊盘11电连接。在此，将键合线50从LED芯片30的上表面经由反射器20的上面开口，以环(loop)状向反射器20的外部引出，并且键合线50与反射器20处于非接触状态。键合线50优先使用金线。

[0071] 在内插板10的主表面10a上形成有树脂密封层60。树脂密封层60由透光树脂部件构成，并且将上述反射器20、LED芯片30、键合线50等密封在其内部。更具体地讲，树脂密封层60由能够使LED芯片30所射出的光透过的树脂材料形成，例如优线使用环氧树脂等的树脂材料。

[0072] 通过采用以上结构的封装结构，能够飞跃提高从光半导体封装1A取出光的取光效率。这是由于，如图2所示，在LED芯片30射出的光中，能够将向侧方射出的光由反射器20的侧部22的内周面反射至上方，由此能够增加从光半导体封装1A射出的光量。另外，只要将反射器20的底部21的外形设置成比LED芯片30的外形大，则在LED芯片30射出的光中，也能够将向下方射出的光由反射器20的底部21的上表面反射至上方。另外，如果利用由透光树脂材料构成的粘结剂来构成粘结层42，则能够使向下方射出的光更有效地向上方射出。因此，如果采用这样的结构，则能够进一步提高从光半导体封装1A取出光的取光效率。如上所述，通过使用上述结构的光半导体封装1A作为光电传感器的投光器，能够在以下的性能上得到改善：使光电传感器的检测距离变长；实现对于更微小部件的检测。

[0073] 另外，在上述结构的封装结构中，由于能够使光半导体封装1A的厚度非常薄，因此有助于实现光电传感器的薄型化。进而，由于反射器20的形状为大致有底圆锥形状，因此能够在反射器20的侧部22和凸缘部23的下方形成布线图案或安装其它安装部件(例如无源元件、有源元件)。因此，与以往的光半导体封装相比，能够提高安装密度，从而能够实现小型化，而且有助于实现光电传感器的小型化。

[0074] 另外，在上述结构的封装结构中，反射器20所占体积与以往的光半导体封装相比大幅度减少，因此能够抑制发生树脂密封层60和反射器20之间界面处的线膨胀系数差所引起的剥离，从而能够大幅度提高可靠性。因此，有助于提高光电传感器的可靠性。

[0075] 进而，通过采用如上所述的封装结构，使反射器的制造变得容易，从而能够提高生产效率，而且能够消减制造成本。以下，针对本实施方式的光半导体封装的制造方法进行说明，并对反射器的制造变得容易的理由进行详细说明。

[0076] 图4A～图4D是表示上述反射器的制造方法的工序图。首先，参照图4A～图4D，说明反射器的制造方法。如图4A～图4D所示，在制造反射器20时优先使用冲压加工。

[0077] 首先，如图4A所示，在冲压机上设置金属板状部件300，其中，该冲压机具有在冲压面上形成了多个凹部201a的下模201和在冲压面上形成了多个凸部202a的上模202。在此，设置在冲压机上的金属板状部件300经过加工后成为反射器20，因此该金属板状部件300优先采用由上述铜、铜合金、铝、铝合金等构成的板状部件，而且其板厚在0.3mm以下。

[0078] 接着，如图4B所示，利用下模201和上模202来冲压金属板状部件300。通过该冲压处理，金属板状部件300发生塑性变形，并成为沿着冲压机的下模201和上模202的冲压面的形状。然后，如图4C所示，从冲压机上取出金属板状部件300，沿着图4C所示的切割线400切割金属板状部件300，从而制造出如图4D所示的反射器20。此外，利用上述这种具有多个凹部和凸部的下模和上模进行冲压处理，能够高生产效率地一次获得大量的反射器。

[0079] 在上述冲压处理中，利用厚度薄的金属板状部件做成反射器的形状。因此，能够容易做成反射器的形状，即使是作为微小部件的反射器，也能够高精度地再现其形状。另外，也容易实现反射器底部的薄型化。其结果，能够廉价地制造小型且薄型的反射器。

[0080] 图5A～图5E是表示本实施方式的光半导体封装的制造方法的工序图。接下来，参照该图5A～图5E，对本实施方式的光半导体封装的制造方法进行说明。

[0081] 在制造本实施方式的光半导体封装时，如图5A所示，首先，准备预先形成了规定的电路图案的内插板10，并在其上利用树脂制粘结剂装载反射器20。接着，如图5B所示，在反射器20的底部21上利用树脂制粘结剂装载LED芯片30。此外，也可以预先在反射器20上装载LED芯片30，然后将装载了LED芯片30的反射器20装载在内插板10上。

[0082] 接着，如图5C所示，利用键合线50将LED芯片30的电极与内插板10的焊盘11连接。接着，如图5D所示，利用透光树脂材料进行转模(Transfer-molding)处理，利用树脂密封层60对装载在内插板10上的各种部件进行密封。然后，沿着图5D所示的切割线401进行切割处理，从而得到如图5E所示的光半导体封装1A。

[0083] 通过采用上述的制造方法，能够以小型且薄型的方式，高生产效率地制造高性能且高可靠性的光半导体封装。

[0084] 接着，对具有上述结构的光半导体封装的光电传感器进行详细说明。图6是安装了本实施方式的光半导体封装的安装基板的剖视图，图7是表示本实施方式的光电传感器的投光器的组装结构的分解立体图。

[0085] 如图6所示，本实施方式的光半导体封装1A能够表面安装在安装基板70上。在光半导体封装1A的下表面形成有焊盘13。因此，利用焊锡等粘合层90，将该焊盘13与设在安装基板70上的焊盘71粘合，从而将光半导体封装1A表面安装在安装基板上。此外，在安装基板70上，也能够表面安装其它电子部件(例如图6所示的附图标记81～83所示的电子部件)。

[0086] 表面安装了该光半导体封装1A的安装基板70例如被组装在光电传感器的投光器上。如图7所示，将安装基板70收纳并固定在具有上面开口的箱形状的壳体110的内部。在壳体110上安装有盖体120，该盖体120封闭了壳体110的上面开口。就盖体120而言，需至少将其大致中央部由透光材料形成，使得LED芯片30发出的光能够投射到投光器100的外部。盖体120的材质优选聚碳酸酯(polycarbonate)树脂、丙烯酸树脂、多芳基化(polyarylate)树脂等。

[0087] 通过做成具有上述结构的投光器的光电传感器，能够实现小型且高性能的光电传感器。

[0088] 图8至图13分别是表示本实施方式的光半导体封装的第一至第六变形例的图。其中，图8是第一变形例的光半导体封装的示意性立体图，图9和图10分别是第二和第三变形例的光半导体封装的示意性剖视图。另外，图11至图13分别是第四至第六变形例的光半导体封装的示意性俯视图。接着，参照图8至图13，对本实施方式的第一至第六变形例的光半导体封装的结构进行说明。

[0089] 如图8所示，本实施方式的第一变形例的光半导体封装1B与上述本实施方式的光半导体封装1A之间的不同点在于，键合线50的引出方向不同。在上述本实施方式的光半导体封装1A中，向着与大致矩形状的内插板10的端边平行的方向引出了键合线50，但在本变形例的光半导体封装1B中，向着与大致矩形状的内插板的对角线平行的方向引出键合线50。如果采用这样的结构，则能够更小型地构成光半导体封装的外形，有助于实现光电传感器的小型化。

[0090] 如图9所示，本实施方式的第二变形例的光半导体封装1C与上述本实施方式的光半导体封装1A之间的不同点在于，树脂密封层60的形状不同。在本变形例的光半导体封装1C中，在透光树脂密封层60的上表面形成有向上方突出的透镜部62。该透镜部62是在形成树脂密封层60时同时形成的部分，具有将LED芯片30射出的光导向规定方向的投光透镜的功能。通过这样的结构，由于不需要另外设置透镜，因此具有能够简化装置结构的优点。

[0091] 此外，在光半导体封装上设置透镜部的情况下，除了采用如上述图9所示的光半导体封装1C那样，在树脂密封层60的一部分上一体地设置透镜部62的方法以外，也可以采用将与树脂密封层分开形成的透镜粘结固定在树脂密封层上的方法。在该情况下，将与树脂密封层分开形成的透镜定位安装在LED芯片的上方，并利用紫外线固化型的粘结剂将该透镜粘结固定在树脂密封层上，从而能够稳定光半导体封装所射出的光的光轴。

[0092] 如图10所示，本实施方式的第三变形例的光半导体封装1D与上述本实施方式的光半导体封装1A之间的不同点在于，在内插板10上安装有其它电子部件。本变形例的光半导体封装1D是所谓的多重芯片封装，在内插板10的主表面10a上装载有反射器20的部分以外的部分上，装载有除了LED芯片30以外的所谓无源元件或有源元件的电子部件84、85。对于这些电子部件84、85，与LED芯片30和反射器20同样地，也利用树脂密封层60来进行密封处理。通过这样的结构，能够容易地实现多重芯片封装。

[0093] 如图11和图12所示，本实施方式的第四和第五变形例的光半导体封装1E、1F在内插板10上具有多个反射器20和LED芯片30。并且，这些反射器20和LED芯片30被透光树脂密封层60密封。在图11所示的第四变形例的光半导体封装1E中，3组反射器20和LED芯片30配置在一条直线上，在图12所示的第五变形例的光半导体封装1F中，3组反射器20和LED芯片30配置在与正三角形的顶点位置相当的位置上，使得彼此距离相等。通过这样的结构，能够得到满足各种规格的光半导体封装，上述各种规格是指，例如通过设置多个同一种类的LED芯片来使出射光的光量增大，或者通过组合发出不同颜色光的LED芯片(例如发出红色(R)光、绿色(G)光、蓝色(B)光的LED芯片)来得到白色光。

[0094] 如图13所示，本实施方式的第六变形例的光半导体封装1G与上述本实施方式的第四变形例的光半导体封装1E的结构相似，但是不同点在于，通过连接部25连接各个反射器20。具体地说，如图13所示，相邻配置的反射器20通过分别从凸缘部23延伸的连接部25连接成一个部件。该连接部25能够通过如下方法制造，即，在图4中所说明的反射器的制造工序中，通过改变在成形的金属板状部件的切割工序中要切割的部位，能够制造该连接部25。在这样构成的情况下，能够省略在光半导体封装1G内的各个反射器20的定位，从而能够获得高精度地定位安装相邻LED芯片30的效果。

[0095] (第二实施方式)

[0096] 图14是表示本发明第二实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。接着，参照该图14对本发明第二实施方式的光半导体封装进行详细说明。此外，对于与上述第一实施方式的光半导体封装相同的部分，在图中标注相同附图标记，并不在重复其说明。

[0097] 如图14所示，本实施方式的光半导体封装1H与上述第一实施方式的光半导体封装1A同样地，具有大致长方体形状的外形，是能够向安装基板进行表面安装的电子部件。光半导体封装1H主要具有：作为基体材料的内插板10、作为元件装载部件的反射器20、作为光半导体元件的LED芯片30以及树脂密封层60。

[0098] 在本实施方式的光半导体封装1H中，反射器20隔着导电粘结层43而与设在内插板10的主表面10a上的焊盘14相粘结，另外，LED芯片30隔着导电粘结层44而粘结在反射器20的底部21。在此，作为LED芯片30，使用分别在上表面和下表面形成了一对电极(阳极和阴极)的芯片，其中形成在下表面的电极隔着导电粘结层44而与反射器20相粘结，由此，该电极隔着导电粘结层44、反射器20和导电粘结层43而与内插板10的焊盘14电连接。作为导电粘结层43、44，可以使用以焊锡为代表的焊锡材料、导电粘结剂、导电膏等。此外，在LED芯片30的上表面上形成的电极与上述第一实施方式的光半导体封装1A的情况同样地，经由键合线50与内插板10的焊盘11电连接。

[0099] 通过这样的结构，能够得到与上述第一实施方式的光半导体封装相同的效果，并且由于减少了键合线的数目，因此能够更小地构成光半导体封装。

[0100] (第三实施方式)

[0101] 图15是用于说明本发明第三实施方式的光半导体封装的制造方法的工序图，图16A～图16E是表示在采用该制造方法时所利用的反射器在制造过程中的形状的俯视图。
另外，图17是表示利用图15所示的光半导体封装的制造方法制造的一种光半导体封装的示意性俯视图。接下来，参照图15至图17，对本实施方式的光半导体封装的制造方法进行详细说明。

[0102] 如图15所示，本发明第三实施方式的光半导体封装的制造方法与上述第一实施方式的光半导体封装的制造方法相似。然而，此时使用的反射器20的形状与上述第一实施方式的光半导体封装的制造方法不同。

[0103] 如图16A～图16E所示，本实施方式的光半导体封装的制造方法所使用的反射器20配置为矩阵状，而且通过连接部25将相邻的反射器20相互连接。该连接部25能够通过如下方法来制造，即，在图4所说明的反射器的制造工序中，通过改变在所成形的金属板状部件的切割工序中要切割的部位来制造该连接部25。

[0104] 另外，利用图15所示的形状的反射器20，经过图16A～图16E所示的制造工序，形成光半导体封装1I。即，如图16A所示，准备预先形成了规定的电路图案的内插板10，在其上利用树脂粘结剂装载图15所示的形状的反射器20，接着如图16B所示，利用树脂粘结剂将LED芯片30装载在反射器20的底部21上。接着，如图16C所示，利用键合线50连接LED芯片30的电极和内插板10的焊盘11，接着，如图16D所示，利用透光树脂材料进行转模处理，利用树脂密封层60对装载在内插板10上的各种部件进行密封。然后，沿着图16D所示的切割线401进行切割处理，从而得到如图16E所示的光半导体封装1I。

[0105] 利用上述制造方法制造的光半导体封装，例如采用了图17所示的光半导体封装1I的结构。即，采用了连接部25从反射器20的凸缘部向外侧延伸的状态的结构。该连接部25相当于到达树脂密封层60的侧面为止的延伸部(延設部)。在此，连接部25由金属部件构成，因此LED芯片30在工作时产生的热会向该连接部25传递，从而能够高效率地向树脂密封层60散热。因此，在这样构成的情况下，不仅能够得到与上述第一实施方式的光半导体封装1A相同的效果，而且另外还能够得到提高散热性的效果。

[0106] (第四实施方式)

[0107] 图18是表示本发明第四实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。接下来，参照该图18，对本发明第四实施方式的光半导体封装进行详细说明。此外，对于与上述第二实施方式的光半导体封装相同的部分，在图中标注相同的附图标记，不重复对其说明。

[0108] 如图18所示，本实施方式的光半导体封装1J与上述第二实施方式的光半导体封装1H同样地，具有大致长方体形状的外形，是能够向安装基板进行表面安装的电子部件。光半导体封装1J主要具有：作为基体材料的内插板10、作为元件装载部件的反射器20、作为光半导体元件的LED芯片30以及树脂密封层60。在此，反射器20隔着导电粘结层43而与设在内插板10的主表面10a上的焊盘14相粘结，另外，LED芯片30隔着导电粘结层44而粘结在反射器20的底部21。

[0109] 在本实施方式的光半导体封装1J中，反射器20被金属电镀膜26覆盖。更具体地讲，包括用于决定收纳室24的壁面的反射器20的LED芯片30一侧的主面(以下称为上表面)以及反射器20的内插板10一侧的主面(以下称为下表面)均都被同一种类的金属电镀膜26覆盖。因此，导电粘结层43、44都与覆盖反射器20表面的金属电镀膜26相连接。在此，包括反射器20的底部21、侧部22和凸缘部23的基体部分例如由铜、铜合金、磷青铜、42合金(alloy)等金属构成，金属电镀膜26优先采用锡、银、镍、金等的金属薄膜(membrane)。

[0110] 在这些金属电镀膜26中，对作为用于决定收纳室24的部分的底部21和侧部22的上表面侧进行覆盖的部分的金属电镀膜相当于第一覆盖膜，该第一覆盖膜用于高效率地反射LED芯片30射出的光，其反射率比用于决定收纳室24的基体部分的壁面的反射率大。因此，通过利用上述金属电镀膜26来覆盖反射器20的基体部分的表面，能够飞跃性地提高从光半导体封装1J取出的光的取光效率。

[0111] 另外，在金属电镀膜26中，覆盖底部21的上表面侧和下表面侧的部分的金属电镀膜相当于第二覆盖膜，该第二覆盖膜用于减小反射器20的基体部分与导电粘结层43、44之间的接触电阻。通常，在铜、铜合金、磷青铜或者42合金等的金属部件的表面容易形成比较厚的氧化膜，由于存在该氧化膜因此会导致接触电阻增大。从而，通过利用上述金属电镀膜26来覆盖反射器20的基体部分的表面，从而能够减小导电粘结层43、44和接触上述粘结层
43、44的金属电镀膜26之间的接触电阻，因此能够使LED芯片30经由反射器20与内插板
10的焊盘14以低电阻电连接，从而能够实现良好的电连接特性。

[0112] 即使在采用上述结构的封装结构的情况下，也不会使反射器的制造变得复杂，而能够高生产效率低成本地制造反射器。以下，对图18所示的结构的反射器的制造方法进行详细说明。

[0113] 图19A～图19D是表示图18所示的反射器的制造方法的工序图，图20A～图20E是表示图18所示的反射器的制造方法的其它例子的工序图。如图19A～图19D和图20A～图20E所示，即使在制造图18所示的反射器20的情况下，也优先使用冲压加工。

[0114] 在图19A～图19D所示的反射器的制造方法中，首先，如图19A所示，在冲压机上设置金属板状部件300，其中，该冲压机具有在冲压面上形成有多个凹部201a的下模201和在冲压面上形成有多个凸部202a的上模202，该金属板状部件300是通过预先实施金属电镀处理(电解电镀处理或无电解电镀处理)而在其上表面及下表面形成了金属电镀膜301的部件。在此，设置在冲压机上并且表面被金属电镀膜301覆盖的金属板状部件300于加工后成为反射器20的部件，因此使用由上述的铜、铜合金、磷青铜或者42合金等构成的部件并作为金属板状部件，优选地，其板厚在0.3mm以下，采用锡、银、镍、金等的金属薄膜作为金属电镀膜301，其膜厚在0.1μm以上且10μm以下的范围内。

[0115] 接着，如图19B所示，利用下模201和上模202对金属板状部件300进行冲压。通过该冲压处理，金属板状部件300发生塑性变形，从而成为沿着冲压机的下模201和上模202的冲压面的形状。此时，由于构成反射器20的基体部分的金属板状部件300的板厚非常薄，因此在其表面上形成的金属电镀膜301不会被剥落，在冲压后也能够保持由金属电镀膜301覆盖金属板状部件300的状态。

[0116] 然后，如图19C所示，从冲压机中取出冲压后的金属板状部件300，沿着图19C所示的切割线400切割金属板状部件300，从而制造出如图19D所示的反射器20。此外，如上所述，使用预先进行金属电镀处理而在其表面形成了金属电镀膜301的金属板状部件300，利用具有多个凹部和凸部的下模和上模进行冲压处理，从而能够高生产效率地一次获得大量反射器。

[0117] 在图20A～图20E所示的反射器的制造方法中，首先，如图20A所示，在冲压机上设置金属板状部件300，其中，该冲压机具有在冲压面上形成有多个凹部201a的下模201和在冲压面上形成有多个凸部202a的上模202，该金属板状部件300是没有形成金属电镀膜的金属板状部件。在此，设置在冲压机上的金属板状部件300是加工后成为反射器20的基体部分，因此优选地，利用由上述的铜、铜合金、磷青铜或者42合金等构成的板状部件，其板厚在0.3mm以下。

[0118] 接着，如图20B所示，利用下模201和上模202对金属板状部件300进行冲压。通过该冲压处理，金属板状部件300发生塑性变形，成为沿着冲压机的下模201和上模202的冲压面的形状。然后，如图20C所示，从冲压机中取出金属板状部件300。

[0119] 接着，如图20D所示，对实施了冲压加工的金属板状部件300进行金属电镀处理(电解电镀处理或无电解电镀处理)，从而在其上表面和下表面形成金属电镀膜301。作为此时形成的金属电镀膜301，优选地，采用锡、银、镍、金等的金属薄膜，其膜厚在0.1μm以上且10μm以下的范围内。

[0120] 然后，沿着图20D所示的切割线400切割被金属电镀膜301覆盖的金属板状部件300，从而制造出如图20E所示的反射器20。此外，如上所述，利用具有多个凹部和凸部的下模和上模进行冲压处理，然后进行金属电镀处理，从而能够高生产效率地一次获得大量反射器。

[0121] 图21A、图21B和图22A、图22B是表示相对于本实施方式的反射器的制造方法的比较例的反射器的制造方法的工序图。图21A、图21B所示的反射器的制造方法是对具有相当厚的厚度的片(block)状的金属部件进行冲压处理从而成形反射器的制造方法；图22A、图22B所示的反射器的制造方法是对具有相当厚的厚度的片状的金属部件实施切削加工从而成形反射器的制造方法。

[0122] 在图21A、图21B所示的第一比较例的反射器的制造方法中，首先，如图21A所示，在冲压机上设置金属片状部件300，其中，该冲压机具有冲压面为平面状的下模201和在冲压面上形成了多个凸部202a的上模202，该金属片状部件300是具有相当厚的厚度(0.35mm以上)的金属片状部件，而且预先对其实施金属电镀处理(电解电镀处理或无电解电镀处理)而在其上表面和下表面形成了金属电镀膜301。然后，如图19B所示，利用下模201和上模202对金属片状部件300进行冲压。通过该冲压处理，金属片状部件300发生塑性变形，成为沿着冲压机的上模202的冲压面的形状。一个一个地切出冲压处理后的该金属片状部件300，由此能够制造反射器。

[0123] 然而，在采用上述第一比较例的反射器的制造方法的情况下，在进行上述冲压处理时，在金属片状部件300的表面上形成金属电镀膜301的一部分会剥落。这是因为构成反射器的基体部分的金属片状部件300的厚度厚的原因，因为在冲压加工时金属片状部件300的表面会产生局部应力集中现象。在这种产生应力集中的部分，由于金属电镀膜301薄，因此其一部分会断裂，在进行冲压处理时剥落。因此，上述本实施方式的反射器的制造方法与该第一比较例的反射器的制造方法相比，在成品率这点上占有明显优势。

[0124] 另外，在图22A、图22B所示的第二比较例的反射器的制造方法中，首先，如图22A所示，准备通过预先实施金属电镀处理(电解电镀处理或无电解电镀处理)而在其上表面和下表面形成了金属电镀膜301的相当厚的厚度(0.35mm以上)的金属片状部件300，利用锤钻500依次对其进行切削。由此，如图22B所示，在切割后，在金属片状部件300的上表面侧形成了作为反射器的收纳室的凹部。通过一个一个地切出经过切削处理的该金属片状部件300，能够制造出反射器。

[0125] 然而，在采用上述第二比较例的反射器的制造方法的情况下，在进行上述切削处理时，理所当然地，在金属片状部件300的表面上形成的金属电镀膜301被切削除去。因此，第二比较例的反射器的制造方法无法在用于决定反射器的收纳室的壁面上形成金属电镀膜，在这点上，与上述本实施方式的反射器的制造方法相比，第二比较例的反射器的制造方法具有缺点。

[0126] 如上述说明，通过采用本实施方式的光半导体封装1J，不仅能够获得采用上述第二实施方式的光半导体封装时的效果，而且还能够获得进一步提高从光半导体封装1J取出的光的取光效率的效果，并且能够获得使LED芯片30经由反射器20，与内插板10的焊盘14以低电阻电连接的效果。另外，采用上述本实施方式的制造方法通过冲压处理形成反射器20，从而容易做成反射器20的形状，即使是作为微小部件的反射器，也能够高精度地实现其形状，并且能够在反射器20的上表面和下表面良好地形成金属电镀膜26。因此，不但能够容易且廉价地制造小型且薄型的高性能的反射器，而且还能够容易并廉价地制造光半导体封装。

[0127] (第五实施方式)

[0128] 图23是表示本发明的第五实施方式的光半导体封装的内部结构的示意性剖视图。接着，参照该图23，对本发明的第五实施方式的光半导体封装进行详细说明。此外，对于与上述第一实施方式的光半导体封装相同的部分，在图中标注相同的附图标记，不重复对其说明。

[0129] 如图23所示，本实施方式的光半导体封装1K与上述第一实施方式的光半导体封装1A同样地，具有大致长方体形状的外形，并且构成能够向安装基板进行表面安装的电子部件。光半导体封装1K主要具有：作为基体材料的内插板10、作为元件装载部件的反射器20、作为光半导体元件的LED芯片30、树脂密封层60。在此，反射器20隔着粘结层41粘结在内插板10上，其中，该粘结层41是使作为芯片焊接材料的绝缘粘结剂固化而形成的层；
LED芯片30隔着粘结层42粘结在反射器20的底部21上，其中，该粘结层42是通过使作为芯片焊接材料的绝缘粘结剂固化而形成的层。

[0130] 在本实施方式的光半导体封装1K中，反射器20被金属电镀膜26覆盖。更具体地讲，包括用于决定收纳室24的壁面的反射器20的位于LED芯片30一侧的主面被金属电镀膜26覆盖。该金属电镀膜26相当于第一覆盖膜，该第一覆盖膜用于高效率地反射LED芯片30射出的光，而且其反射率比用于决定收纳室的基体部分的壁面的反射率大。因此，利用该金属电镀膜26覆盖反射器20的包括用于决定收纳室的壁部的上表面，从而能够飞跃性地提高从光半导体封装1K取出的光的取光效率。此外，优选地，金属电镀膜26采用锡、银、镍、金等的金属薄膜，而且其膜厚在0.1μm以上且10μm以下的范围内。

[0131] 在这样构成的情况下，不仅能够获得采用上述第一实施方式的光半导体封装时的效果，而且还能够获得进一步提高从光半导体封装1K取出的光的取光效率的效果。这样，在反射器20上形成金属电镀膜26的情况下，不需如上述第四实施方式那样在反射器20的上表面和下表面都形成金属电镀膜26，而可以根据实际情况只在上表面形成金属电镀膜26。

[0132] 在上述第四和第五实施方式中举例说明了这样的结构，即，对冲压成形前或冲压成形后的反射器实施金属电镀处理，从而用金属电镀膜覆盖反射器。然而，为了提高发挥反射器的反射面的作用的侧部的内周面和/或底部的上表面的反射率，在冲压成形后，当然也可以将反射率高的金属材料或树脂材料通过电镀处理以外的其他方法镀膜(coating)在该反射器上。该镀膜方法，可以采用蒸镀、涂敷(浸渍镀膜、旋涂等)等各种方法。如果使用实施了这种镀膜处理过的反射器，则用于决定反射器的收纳室的壁面被反射率比该壁面的反射率大的膜所覆盖，从而能够更有效地从光半导体封装中取出LED芯片射出的光。

[0133] 另外，在上述第一至第五实施方式中，举例说明了具有凸缘部的反射器，在这样设置凸缘部的情况下，不仅能够提高加工能力和生产效率，还能够增强反射器的刚性，从而能够获得在操作时不易变形的效果。然而，这种凸缘部23不是必要的结构，当然也可以做成没有凸缘部的反射器。

[0134] 另外，在上述第一至第五实施方式中，举例说明了对作为投光元件的内置有LED芯片的光半导体封装应用本发明的情况，但也可以对内置有取代LED芯片而作为受光元件的PD(Photo Diode：光电二极管)芯片的光半导体封装应用本发明。在做成这种光半导体封装的情况下，能够提高受光效率，另外能够消除杂散光(stray light)。此外，例如可以将内置有该PD芯片的光半导体封装作为光电传感器的受光器来使用。

[0135] 这样，本次公开的上述各实施方式及其变形例全部是举例说明，因此并不局限于此。本发明的技术范围被权利要求书限定，并且包括与权利要求书的记载等价的意义及其范围内的全部变更。

标题	发布/更新时间	阅读量
光电传感器-专利编号CN109596151A	2020-05-11	811
光电传感器-专利编号CN107430955B	2020-05-12	463
光电传感器-专利编号CN108917798A	2020-05-13	199
光电传感器-专利编号CN110275216A	2020-05-11	886
光电传感器-专利编号CN104865611B	2020-05-13	817
光电传感器-专利编号CN109506776A	2020-05-12	943
光电传感器-专利编号CN110274616A	2020-05-11	734
光电传感器-专利编号CN110612609A	2020-05-11	841
光电传感器-专利编号CN105588607B	2020-05-13	484
光电传感器-专利编号CN109581392A	2020-05-12	913

光半导体封装及其制造方法、具有该封装的光电传感器

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