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首页 / 专利分类库 / 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
61 真空处理装置、微粒去除机构以及微粒去除方法 CN202380013408.X 2023-03-14 CN117898027A 2024-04-16 高桥铁兵; 阪上弘敏; 前平谦
发明的目的在于抑制微粒向真空处理装置内的侵入。为了实现上述目的,本发明的一个方式的真空处理装置具有真空容器、带电粒子产生源、排气机构、微粒去除机构。上述带电粒子产生源在内部生成带电粒子。上述排气机构将上述真空容器内的气体排气。上述微粒去除机构包括中间槽,上述中间槽配置于上述真空容器与上述带电粒子产生源之间并将上述真空容器和上述带电粒子产生源连结,通过气体气流将上述带电粒子产生源所产生的微粒在上述真空容器前排出至上述中间槽之外。
62 一种化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统 CN202410060148.8 2024-01-15 CN117897042A 2024-04-16 李阳; 潘建勇; 牛闳森; 张春伟; 高嵩
发明涉及忆阻器技术领域,提出了一种化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统,制备方法,包括以下步骤:将带有氧化铟涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯清洗设定时间,得到底部电极和柔性衬底;钨靶材和靶材通过直流磁控共溅射在底部电极上,生长得到氧化钨和氧化钛混合薄膜,形成功能层;靶材通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极,形成顶部电极。通过简单的制备方法向氧化钨掺杂氧化钛制备了性能稳定、均一性和可重复性良好、高电阻调节范围的神经形态忆阻器,采用柔性衬底增加了所制备器件在可穿戴设备、软体机器人以及生物医学传感器等领域的应用场景。
63 一种防抗静电发热面料及其制备方法 CN202410065125.6 2024-01-17 CN117888257A 2024-04-16 郭杰; 吴昆明; 张传贵; 吴光正
发明涉及一种防抗静电发热面料及其制备方法,涉及面料技术领域,所述防水抗静电发热面料包括尼龙织布及设于尼龙织布表层上的膜层;所述镀膜层是利用真空溅射镀膜技术,将金属靶材溅射在尼龙织布表层上而形成的纳米金属膜,所述尼龙织布在镀膜前先利用矿物质处理液进行声波整理。本发明在不改变面料手感的前提下,使得面料具备远红外发热、抗菌、抗静电、防水及防钻绒等功能,另外,通过在对尼龙织布镀膜前先利用矿物质处理液进行超声波整理,使覆膜面料的结合牢度及耐磨性得到进一步的提升,进而提高了面料的使用耐久性。
64 一种化抛添加剂、化学抛光液及其应用 CN202410206621.9 2024-02-26 CN117888110A 2024-04-16 殷石见; 谢大成; 赵伟; 肖林; 崔佰春; 韩旺盛
发明提供一种化抛添加剂、化学抛光液及其应用,所述化抛添加剂包括缓蚀剂、光亮剂、粘度调节剂和乳化剂,通过采用上述四种组分进行搭配,使得包含上述化抛添加剂的化学抛光液对金属制品表面进行化学抛光时,可有效解决低密度化抛制程中出现的冲孔、流痕以及出光慢等问题,并可实现连续生产,槽液中途补加回收酸后不需额外做调整。
65 一种用于制备汽轮机转子环密封面耐磨层的工艺方法 CN202410067699.7 2024-01-17 CN117888103A 2024-04-16 王明生; 林慧超; 曾增伟; 郭善赞
发明属于材料表面工程技术领域,具体涉及一种用于制备汽轮机转子环密封面耐磨层的工艺方法。该方法采用激光熔覆技术,将高硬度的合金粉末熔覆施加于汽轮机转子碳环密封位,形成无冶金缺陷的高质量高硬度熔覆层,激光熔覆功率2000~2600W,圆形光斑尺寸4.5~5mm,搭接率40%~50%,熔覆速度8~10mm/s,保护气和送粉气采用纯氩,保护气流量5~8L/min,送粉器转速1~1.2r/min,送粉器流量6~7L/min。本发明可在汽轮机转子碳环密封位制备高硬度的耐磨层,耐磨层与基体为冶金结合,组织细密,无气孔、无裂纹、无夹杂等缺陷;熔覆过程中热输入小,对转子造成的变形可调可控,不会造成转子跳动过大甚至弯曲的情况。
66 一种APCVD设备的晶圆吸附加热装置 CN202410094561.6 2024-01-24 CN117888088A 2024-04-16 刘鹏; 徐文立; 潘建栋; 何程程
发明公开一种APCVD设备的晶圆吸附加热装置,涉及常压化学沉积技术领域,包括壳体;壳体的底部敞口设置;真空吸附系统包括真空发生器;运动机构包括真空发生器固定环和导向环;导向环设置于真空发生器固定环的周围,真空发生器固定环设置于真空发生器的周围;加热器组件设置于壳体的底部。本发明中的APCVD设备的晶圆吸附加热装置,倒吸式吸附晶圆,可有效降低灰尘等杂质对晶圆的污染;运动机构可带动真空发生器和真空发生器固定环上下运动,降低了真空发生器及真空发生器固定环的维护难度,提高了真空发生器及真空发生器固定环清理的便捷性,提高了设备可维护性,降低了后期维护保养成本。
67 一种海洋防腐膜层的制备方法 CN202410220803.1 2024-02-28 CN117888085A 2024-04-16 李家霖; 闫驰; 柳翠; 袁晓; 吴加强
发明公开了一种海洋防腐膜层的制备方法。本发明所述制备方法包括:(1)对基板进行超声清洗、烘干后,再放置于等离子体增强原子层沉积膜设备的反应室中,调整反应室温度,经氩气吹扫反应室后,使用等离子体轰击样品表面,得到待镀膜的样品;(2)打开四(乙基甲基基)铪管道,设置四(乙基甲基氨基)铪管道流量、时间,使四(乙基甲基氨基)铪在步骤(1)得到的样品表面发生反应,使用氩气吹扫反应室;(3)之后打开臭氧管道,设置臭氧管道流量、时间,使臭氧继续与样品表面发生反应,使用氩气吹扫反应室;(4)循环步骤(2)和步骤(3),得到镀有海洋防腐膜层的金属基板。本发明所制备的膜层具有抵御海洋腐蚀的性能。
68 蒸气输送设备和相关的气相反应器及其使用方法 CN202311310198.9 2023-10-10 CN117888082A 2024-04-16 L·罗德里格斯
公开了配置用于在流化床中从固体源前体颗粒产生气态前体的蒸气输送设备。此外,还公开了包括蒸气输送设备的气相反应器,蒸气输送设备包括固体前体的流化床。还公开了用于监测和控制包括流化床的蒸气输送系统的方法。
69 薄膜及其制备方法 CN202410294017.6 2024-03-14 CN117888080A 2024-04-16 夏志强; 余辉; 朱洪力; 胡家兴; 洪悦; 邹黎明; 穆堂杰
申请公开薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺,包括如下:S1)将衬底置于反应腔内,加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值,并保持第一预设时长;S2)对反应腔抽真空至第一压预设值,反应腔内的温度值为第一温度预设值;S3)向反应腔内通入TEOS气体,反应腔内的温度值为第二温度预设值,真空度为第二压力预设值;S4)开启射频电源,反应腔内的温度值为第三温度预设值,以及反应腔内的真空度为第三压力预设值,在衬底上沉积二氧化硅薄膜,以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件,形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
70 一种热导检测器用热丝及其制备方法 CN202311843307.3 2023-12-28 CN117888076A 2024-04-16 郑展超; 高晨曦; 赵伟军; 周伟; 汪小知
发明公开了一种热导检测器用热丝及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:对原料热丝进行刻蚀;在热丝表面及刻蚀孔洞沉积低维纳米材料。本发明将热导检测器用热丝刻蚀出微纳米空洞后沉积低维纳米材料生成复合纳米结构,在微观界面上均匀复合从而实现电导率在各方向各界面处的均匀性,从而保证整体热导器件的稳定性;增强金属在高温下的机械性能,如抗拉强度等,从而可以制备更细的复合热导丝,实现更灵敏的检测;使用该热丝的热导检测器具有更强的抗腐蚀,从而增加了使用寿命。
71 一种高功率脉冲溅射源离子磁控溅射装置 CN202410222239.7 2024-02-28 CN117888069A 2024-04-16 彭长明; 陈雪影
发明公开了一种高功率脉冲溅射源离子磁控溅射装置,涉及磁控溅射技术领域,包括离子磁控溅射膜装置主体,所述离子磁控溅射镀膜装置主体的顶部安装有高功率脉冲溅射电源。本发明通过连接有高功率脉冲溅射电源,高功率脉冲溅射电源是一种高功率密度的脉冲等离子体电源,高功率脉冲溅射电源使用矩形波电压的脉冲电源代替传统的直流电源进行后续的磁控溅射沉积,极大地改善了薄膜沉积工艺,可以有效地抑制电弧的产生,消除由此产生的薄膜缺陷,同时能够提高溅射沉积速度,并降低沉积温度,通过金属离子高能轰击可以杜绝弧源大颗粒粒子带来的光泽度不良和附着不良的情况出现,使得薄膜具备高度细腻光泽表面,装饰效果优异。
72 一种限域薄层二维材料的制备方法及应用 CN202410275685.4 2024-03-12 CN117888060A 2024-04-16 何聪丽; 张琦琦; 许洪军; 霍玉萍; 李嘉辉; 胡超群; 申世鹏; 王守国
一种限域薄层二维材料的制备方法及应用,包括以下步骤:S1.在衬底上定位纳米材料:将纳米材料分散于溶剂中形成悬浮液;将悬浮液分散在衬底上,所述纳米材料被衬底吸附;去除溶剂,以使所述纳米材料定位在衬底上;S2.在纳米材料限定的区域内,采用物理气相沉积方法原位生长金属膜;S3.将衬底升温至150‑220℃,退火处理3‑60min,纳米材料与金属膜受控反应形成限域薄层二维材料。本发明以纳米材料充当牺牲模板,限域原位制备与其他材料复合的高质量界面异质结构的薄层二维材料及其异质结构,制备完成的限域薄层二维材料异质结构可有效避免二维材料在剥离‑转移过程中的化问题。
73 封闭式热锌生产线 CN202311789104.0 2023-12-22 CN117888050A 2024-04-16 廖兴利; 黄培海; 麻静海; 胡盈盈; 张渊; 刘侠; 卢承宏
发明提供了一种封闭式热锌生产线,包括有热镀锌系统热镀锌系统中设置有热镀锌装置,热镀锌装置包括有安装台、锌锅、支撑框架和壳体,壳体的内侧设置有保温层,保温层的上下两端处分别连接至锌锅上边沿和底部处,且保温层中部和锌锅之间间隔形成火道,支撑框架设置在壳体外宽度方向的两侧处,支撑框架包括有若干顶锅棒,若干顶锅棒呈沿壳体的长度方向延伸的矩阵排布设置,顶锅棒伸缩设置,且顶锅棒能够穿过壳体、保温层以及火道与锌锅之间抵接配合。针对现有技术的不足,本发明提供了一种热镀锌装置保温能更好、稳定性更强的封闭式热镀锌生产线。
74 一种新能源储能柜用高强及其制备方法 CN202311857304.5 2023-12-29 CN117888026A 2024-04-16 韩赟; 邱木生; 朱国森; 滕华湘; 刘华赛; 阳锋; 邹英; 刘李斌; 张伟; 韩龙帅; 吕利鸽; 姜英花; 潘丽梅; 谢春乾; 桑贺; 李钊; 周纪名; 张天越; 程鹏飞; 翟晓波
发明提供了一种新能源储能柜用高强及其制备方法,属于高强钢制备领域,所述钢的厚度为2.5mm~3.0mm,所述高强钢的化学成分包括:C、Si、Mn、Cr、Ti、Nb、Alt、P、S以及Fe;以质量分数计,C的含量为0.10%~0.18%,Si的含量为0.1%~0.6%,Mn的含量为1.7%~3.0%,Cr的含量为0.2%~0.6%,Ti的含量为0.01%~0.04%,Nb的含量为0.01%~0.04%,Alt的含量为0.03%~0.06%,P的含量≤0.010%,S的含量≤0.006%。本申请提供的新能源储能柜用高强钢,选择性的添加Nb/Ti微合金元素,在钢的制备过程中以化物形式析出,能够显著提高素体的强度和硬度,有利于获得高屈强比及优异的折弯性能。与传统厚度规格(3mm~6mm)的低强度级别结构钢相比,具有更高的强度,不仅提高了储能柜的安全性,而且实现了轻量化,节约了成本。
75 机的平升降装置 CN202311768891.0 2023-12-20 CN117886251A 2024-04-16 周磊; 丁媛
发明公开了一种蒸机的平升降装置,属于蒸镀机领域,本蒸镀机的水平升降装置包括机架;固定机构,固定机构与机架连接,固定机构与蒸镀机底座固定连接;承重机构,承重机构可升降地设置在机架上,承重机构包括横梁;导向机构,导向机构设置在机架上,导向机构包括两个导轨,两个导轨上均滑动设置有滑,两个滑块和横梁位于同一水平线上;驱动机构,驱动机构设置在机架上,驱动机构与承重机构传动连接,驱动机构用于驱动承重机构上升和下降。因此,在更换蒸镀机与蒸镀机底座之间的蒸发垫块时,能够使蒸镀机一直处于水平的状态进行升降,避免了蒸镀工艺作业过程中使膜厚分布产生较大误差,也提高了蒸镀的质量和效率。
76 一种光谱选择性低发射率的红外隐身涂层及其制备方法和应用 CN202310196455.4 2023-03-03 CN116430498B 2024-04-16 吴晓宏; 李杨; 卢松涛; 秦伟; 洪杨
77 复合材料结构件及其加工方法、电子设备 CN202310206709.6 2023-02-24 CN116381825B 2024-04-16 缪灯奎; 许文彬; 乔艳党; 张洪
78 一种带表面脱脂清洗设备 CN202211156058.6 2022-09-22 CN115627482B 2024-04-16 朱协彬; 吴平; 陈志浩; 吴小兵; 王邦伦; 杜少奇
79 一种基于背向沉积的磁控溅射膜装置和方法 CN202211141704.1 2022-09-20 CN115466931B 2024-04-16 马雷; 张武胜; 刘锦; 鄢童
80 冲压成形体 CN202080100006.X 2020-02-27 CN115461488B 2024-04-16 光延卓哉; 高桥武宽; 真木纯