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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
181	一种单晶硅蚀刻制绒添加剂、及包含其的单晶硅蚀刻制绒液、其制备方法及应用	CN202211161128.7	2022-09-23	CN115478327B	2024-02-27	侯军; 吕晶; 任浩楠; 刘海燕; 李思琦; 张洁
本发明提供一种单晶硅蚀刻制绒添加剂、及包含其的单晶硅蚀刻制绒液、其制备方法及应用。本发明单晶硅蚀刻制绒添加剂包括重量配比如下的各组分：主成核剂0.003‑8份；助成核剂0.005‑10份；排泡剂0.5‑10份；表面活性剂0.001‑0.1份；助溶剂3‑10份；超纯水74‑97份。本发明还公开了一种添加有单晶硅蚀刻制绒添加剂的制绒液。本发明制绒液能在单晶硅表面获得紧密排布的金字塔形貌，使硅片具备良好的陷光性和光电转换效率，拥有极高的制绒性能和良好稳定性，在单晶硅处理领域具有广阔的工业应用前景和发展潜力。
182	一种铪氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用	CN202211042086.5	2022-08-29	CN115404545B	2024-02-27	张弛; 姜春波; 吴超
本发明涉及一种铪氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为HfOF4H2，该晶体材料属于四方晶系，空间群为I‑42d，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝8。与现有技术相比，本发0明突破了现有d过渡金属氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料的短波吸收截止边的极限，其紫外吸收截止边在190nm以下，在可见‑紫外激光领域具有广泛的应用前景。
183	用于CVD反应器的蒸汽源	CN202280047738.6	2022-07-01	CN117597468A	2024-02-23	P·S·劳弗
本发明涉及一种用于提供过程气体的装置，该过程气体用于CVD反应器(1、1’、1”)，具有输入端质量流量调节器(10)，(11)用于提供流入蒸发装置(2、2’、2”)的载气流量，该载气流量将储存在蒸发装置(2、2’、2”)的容器(4)中的原料(3)的蒸气通过过程气体输入管路(9、9’、9”)输送到CVD反应器(1、1’、1”)，其中过程气体输入管路(9、9’、9”)中的总压力可以通过压力调节器(8)保持在预定值。为了使输入CVD反应器的原料(3)的质量流量在时间上充分保持恒定，规定通过过程气体输入管路(9、9’、9”)的气流由质量流量调节器调节并且测得在规定的总压力下过程气体输入管路(9、9’、9”)中的原料浓度。
184	具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法	CN202410082124.2	2024-01-19	CN117587522A	2024-02-23	克拉乌斯·亚历山大; 陈建明; 范涛礼; 张江涛; 赵文超
本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
185	一种混合卤素杂化手性钙钛矿单晶及其制备方法	CN202311566839.7	2023-11-23	CN117587520A	2024-02-23	徐加良; 官俊杰; 郑永申; 卜显和
本发明为一种混合卤素杂化手性钙钛矿单晶及其制备方法。该钙钛矿的化学式为DMA4[InCl6]Br；其中，混合卤素位于晶格里，氯位于无机八面体上，溴在游离位点上；所述的混合卤素杂化手性钙钛矿单晶结构空间群为P21212,晶胞参数为：alpha＝90°，beta＝90°，gamma＝90°。本发明制备的单晶能有效避免相分离，保持晶体材料组成和性质稳定性。本发明得到的单晶具有优异的线性和非线性光学性质，晶体尺寸大，所制备钙钛矿不含铅元素，毒性小，制备方法工艺简单，能够大批量生产，适于商业化应用。
186	一种基于生长组分稳定输运的大尺寸碳化硅晶体生长装置和方法	CN202311771039.9	2023-12-21	CN117587519A	2024-02-23	张永良; 孔海宽; 陈建军; 王升; 忻隽
本发明公开了一种基于生长组分稳定运输的大尺寸碳化硅单晶制备方法及装置，属于晶体生长领域。本发明使用物理气相传输法将高温区的原料气相传输至低温区的籽晶表面进行长晶，该方法包括以下步骤：将装有碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于电阻加热器内，经长晶阶段，制得碳化硅单晶。通过特殊设计的双层电阻加热器和匹配的原料区，使原料均匀的分解，解决了电磁感应加热料区温度梯度大，原料分解不均匀，晶体生长前后期分解速率不一致的问题，使整个生长过程都保持原料均匀分解，生长组分稳定，从而使得碳化硅单晶生长面维持均匀稳定的生长，最终获得高质量的碳化硅单晶晶体。
187	一种改善碳化硅外延片掺杂均匀性的方法及装置	CN202410076756.8	2024-01-19	CN117587507A	2024-02-23	饶威; 浩瀚; 周勋
本申请公开了一种改善碳化硅外延片掺杂均匀性的方法及装置，装置包括外延炉；外延炉内水平设置有用于碳化硅生长的腔室，腔室的前端连通有水平延伸的导气管，导气管适于通过水平延伸的第一管路向腔室内通入第一生长气体；导气管的顶部设置有垂直第一管路进行连通的第二管路，第二管路适于向腔室内通入第二生长气体。方法可以利用上述的装置进行碳化硅外延层的生长以及掺杂。本申请的有益效果：本申请通过在传统方式的基础上增加第二管路，通过第二管路向腔室内通入为外延片生长提供碳原子的第二生长气体。并且通过对第二管路的结构尺寸和位置尺寸进行设计，以及对第二生长气体的气压进行控制，可以有效的改善碳化硅外延片掺杂的均匀性。
188	一种衬底承载机构、托盘组件及碳化硅外延设备	CN202410053126.9	2024-01-15	CN117587506A	2024-02-23	赵鹏; 蒲勇; 卢勇
本申请公开一种衬底承载机构、托盘组件及碳化硅外延设备。该衬底承载机构包括衬底外环、衬底内环及衬底固定部，所述衬底内环的中部具有镂空区，所述衬底内环的内侧具有定位部，所述定位部的两侧分别具有过渡部；所述衬底外环套设于衬底内环上，且所述衬底外环搭接于所述衬底内环上；所述衬底固定部位于所述衬底内环的下方，所述衬底固定部上设置有支撑部，且所述支撑部在所述衬底内环侧投影落在所述镂空区，所述支撑部包括离散的凸起或子凸起，所述凸起或子凸起用于支撑衬底。通过这样的设计可降低衬底在外延生长时发生飞盘、飞片的现象、还可提高衬底侧温度均匀以保证外延质量。
189	一种提高直拉单晶硅成晶率的方法	CN202311841294.6	2023-12-29	CN117587500A	2024-02-23	李国明; 王艺澄; 王军磊; 王鑫; 白一帆
本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体涉及一种提高直拉单晶硅成晶率的方法，包括对硅原料加热全熔的温度调控，对熔接过程中各阶段的温度调控，对引晶和等径液口距的调控，对引晶功率和等径功率的调控以及对引晶拉速和放肩时长的调控。本发明通过对硅原料全熔、熔接、引晶、放肩以及等径生长工序中的参数进行调控，实现减少单晶硅棒断线，提高单晶硅棒产量，提高单晶硅棒成晶率的目的。
190	一种拼接式小口径埚帮结构	CN202311676988.9	2023-12-08	CN117587497A	2024-02-23	兰志勇; 刘忠帅; 刘畅; 王军磊; 王艺澄
本发明公开了一种拼接式小口径埚帮结构，包括拼接的上埚帮（11）和下埚帮（12），上埚帮（11）为圆筒状结构，下埚帮（12）的下部设有R弧结构（121），R弧结构（121）的底部向埚帮的中部平缓延伸形成埚底延伸部（122），埚底延伸部（122）的中部设有小口径开口（123），小口径开口（123）内采用石墨埚芯（3）填充；下埚帮（12）的下方设有相互配合的埚托（4），埚托（4）正对着埚底延伸部（122）设置，且埚托（4）的长度大于小口径开口（123）的直径。本发明的优点是减小埚帮底部漏硅面积，进而减小漏硅速度，降低漏硅损失，减弱反应气体的腐蚀程度，延长石墨件寿命，降低埚帮使用成本。
191	一种引下管中装配铂金坩埚的简易装置及装配方法	CN202311567000.5	2023-11-22	CN117587491A	2024-02-23	郭海生; 宋克鑫; 徐卓; 李飞; 栾鹏; 庄永勇
本发明公开了一种引下管中装配铂金坩埚的简易装置及装配方法，包括震动装料平台和置于震动装料平台上的铂金坩埚导向管；所述铂金坩埚导向管由两个对称的半圆弧管道组成，铂金坩埚导向管的内径尺寸与待装配的铂金坩埚外径相匹配，铂金坩埚导向管的外径尺寸与待装配的引下管内径相匹配。本发明能够解决现有坩埚装配方法装配装置结构复杂、操作繁琐的问题，简化了铂金坩埚装配装置，优化了安装操作，同时可以有效控制铂金坩埚与引下管之间的装配精度。
192	一种晶体与坩埚同向旋转的长晶方法	CN202311672479.9	2023-12-07	CN117364225B	2024-02-23	徐秋峰; 徐耀辉; 张忠伟; 钱煜; 沈浩; 孔辉
本发明公开一种晶体与坩埚同向旋转的长晶方法，属于晶体生长领域，是一种有效控制晶棒氧含量的长晶方法，该方法包括备料、引晶、放肩、等径和收尾步骤。长晶过程中，采用坩埚与晶体同向旋转的方式进行晶体生长，自引晶前稳温开启坩埚旋转，坩埚与晶体旋转方向都为籽晶安装于籽晶轴的旋紧方向，在放肩过程中根据晶体与熔汤的雷诺系数比，对晶体和坩埚转速进行分阶段设定，并在转肩阶段对PID设定提出较优解。等径步骤中，依照模拟结果保持最优坩埚与晶体旋转速度，直至收尾。通过晶体和坩埚转速的调整并配合温度PID调节，研发了一种晶体与坩埚同向旋转的方式进行长晶，有效降低晶棒氧含
193	单晶硅生长界面形状控制方法及其装置	CN202311525987.4	2023-11-16	CN117230525B	2024-02-23	请求不公布姓名
一种单晶硅生长界面形状控制方法及其装置，涉及单晶硅生长技术领域。该单晶硅生长界面形状控制方法包括：计算标准重量差；获取实际重量增量；判断实际重量增量是否等于标准重量差；若否，通过调节所述单晶硅的生长工艺参数以增大或减小实际重量增量，以使实际重量增量趋近标准重量差。该单晶硅生长界面形状控制方法能够解决单晶硅生长界面形状不能实时监测的问题，实现晶体生长过程中生长界面为近平面的形态，从而实现径向电阻率均匀、减少氧等杂质生成，提高晶体产品质量。
194	一种含铅的单斜无机化合物晶体及其制备方法、作为非线性光学材料的应用	CN202210927240.0	2022-08-03	CN115287764B	2024-02-23	刘彬文; 郭国聪; 姜小明; 邱智鑫; 徐忠宁
本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
195	占吨酮类柔性晶体材料及其制备方法和应用	CN202210879534.0	2022-07-25	CN115286607B	2024-02-23	李倩倩; 黄阿瑞; 李振
本发明公开了占吨酮类柔性晶体材料及其制备方法和应用。该有机室温磷光材料基本结构由占吨酮为核，不同长度烷氧基链作为取代基团。通过将所述粉末状材料以合适的溶剂溶解并缓慢挥发培养得到所述的不同柔性的荧光或室温磷光晶体材料。本发明制备的室温磷光材料原料廉价易得，制备方法简便，塑性晶体可任意弯
196	多孔透气石墨及其制备方法和应用	CN202210702344.1	2022-06-21	CN114988402B	2024-02-23	巩前明; 龚明; 王同鑫
本发明涉及多孔材料技术领域，具体而言，涉及一种多孔透气石墨及其制备方法和应用。多孔透气石墨的制备方法包括以下步骤：将软炭材料和造孔剂进行一次混捏后，加入粘结剂进行二次混捏，形成混合物料，软炭材料、造孔剂和粘结剂的质量比为(60～90)：(1～50)：(10～40)；以及将混合物料压制成预设形状，并依次进行炭化和石墨化处理。上述多孔透气石墨的制备方法制得了具有高机械强度，且形状可控的多孔透气石墨块材。
197	硅酸铋晶体压电切型及其在高温导波压电换能器中的应用	CN202311549239.X	2023-11-17	CN117580437A	2024-02-20	于法鹏; 武广达; 樊梦迪; 赵显
本发明属于压电晶体和结构健康监测领域，具体涉及一种硅酸铋晶体压电切型及其在高温导波压电换能器中的应用。所述硅酸铋晶体化学通式为Bi12SiO20，结晶于立方晶系，所述硅酸铋晶体压电切型为晶体的X‑切型、Y‑切型和Z‑切型绕着X轴旋转角度α或绕着Y轴旋转角度β或绕着Z轴旋转角度γ进行切割获得的晶体，所述X轴、Y轴和Z轴分别平行于<100>、<010>和<001>晶体学轴。本发明针对硅酸铋晶体的压电振动模态，设计了兼具高压电响应和纯面切变振动模态晶体切型。本发明设计的压电晶体切型能够在宽频率范围内激励和检测出高信噪比的单模态的SH0波，且具有高的服役温度，在高温结构健康监测技术领域有明朗的应用前景。
198	一种太阳能级N型硅的制备方法	CN202311523745.1	2023-11-16	CN117577733A	2024-02-20	周同义; 杨堋堋; 徐睿; 王波; 周云龙; 陈佳佳; 姜俊平
本发明公开了一种太阳能级N型硅的制备方法，涉及单晶硅的制备方法技术领域。该太阳能级N型硅的制备方法，具体包括以下步骤：商用硅铁粉用球磨机球磨，经梯度离心后得到颗粒度均一的硅铁粉末，硅铁粉末与球磨后的镁粉按照一定质量比混合均匀后置于坩埚并放入管式炉中，坩埚采用的是28英寸石英坩埚，刚玉坩埚的规格为800ml，硅铁粉末粒径为0.8‑20μm，但功率器件的电阻率范围过大50—100Ωcm，远大于太阳能的1‑3Ωcm，功率器件的属于轻掺，掺杂量非常少，控制精度对结果影响较大；本发明对于太阳能级N型单晶，提出在初始投料量中加入适量镓的方法，由于镓的分凝系数较磷小，后期熔液中的镓浓度的增长速度远快于磷，从而使更好地中和磷。
199	晶体的连续生产方法及系统	CN202410064268.5	2024-01-17	CN117568940A	2024-02-20	刘金波; 毋子涵; 袁东秀; 蒋庆欢; 赵永波
本发明涉及晶体生产技术领域，尤其涉及一种晶体的连续生产方法及系统，包括如下步骤：获取若干设备的规格、操作步骤和使用状态；根据所述设备的操作步骤判断所述设备的第一位置信息，根据所述设备的规格判断所述设备的第二位置信息，根据所述设备的使用状态判断接入信息，进而规划形成生产线；获取待生产的晶体的参数，根据所述晶体的参数选定对应的生产线，通过所述生产线生产晶体。本发明提供一种晶体的连续生产方法，解决了传统施工中部分设备故障造成停工的问题，提高了晶体的生产效率。
200	一种DD6单晶高温合金的热处理方法	CN202311522401.9	2023-11-15	CN117568938A	2024-02-20	王晓钢; 姜潮; 刘志成; 冯鑫; 李文芳
本发明属于高温合金性能技术领域，具体涉及一种DD6单晶高温合金的热处理方法，通过在一次短时过热过载处理中获取最佳加载应力，进而得到具有最佳拉伸性能的DD6单晶高温合金试棒；或者通过多次短时过热过载处理，获取最佳的短时过热过载处理次数；进而也可得到当前DD6单晶高温合金试棒的最佳加载应力、以及最佳短时过热过载处理次数，进而能够获得更优的高温力学性能。

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