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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
121	一种室温磁性半导体、制备方法及应用	CN202311691772.X	2023-12-11	CN117715504A	2024-03-15	曹立民; 梅光强; 丰敏
本申请涉及一种室温磁性半导体、制备方法及应用，其包括如下步骤：将磁性过渡族金属元素的卤化物与锡单质和硒单质放入反应容器中，抽真空或者充满惰性保护气体后放入加热炉中，将炉温升至第一温度，以熔融成熔体；对所述熔体进行控温，以使其两端形成预设温度梯度；保持该预设温度梯度，按照预设冷却速度，将炉温从所述第一温度降低至第二温度，之后随炉冷却至室温，取出，即得室温磁性半导体。本申请制备的室温磁性半导体，其具有典型半导体特性和室温磁性。
122	一种基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片及其制作方法	CN202311570743.8	2023-11-21	CN117712148A	2024-03-15	应豪; 刘洋博文; 严钰婕; 熊国栋; 黄俊; 杨冰
本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片及其制作方法，上述基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片包括衬底、成核层、二维材料掩膜层及氮化镓层；成核层设于衬底上；二维材料掩膜层设于成核层背离衬底的一侧；氮化镓层设于二维材料掩膜层的表面及间隙处。该外延片能够利用二维材料的优异性能实现柔性器件的制作及提高器件的散热性能，在Si基GaN外延片中，AlN作为缓冲层避免Ga与Si的直接接触，较低生长温度的AlN抑制了Al向Si衬底扩散形成p型导电沟道，降低了射频损耗；并且还作为成核层在后续外延GaN提供成核位点，决定了外延GaN 薄膜的晶体质量；二维材料掩膜可起到阻挡位错的作用。
123	一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件	CN202311705692.5	2023-12-12	CN117702282A	2024-03-15	宋立辉; 皮孝东; 杨德仁; 刘帅; 黄渊超; 熊慧凡
本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
124	碳化硅桨的水平度调节装置、水平度调节方法及控制设备	CN202311727252.X	2023-12-15	CN117702280A	2024-03-15	贺鹏; 张鹏举; 郭超超
本发明提供了一种碳化硅桨的水平度调节装置、水平度调节方法及控制设备，属于半导体技术领域。包括：基座(1)、紧固件、挡板(2)、测距传感器(3)和调节机构(4)；紧固件用于将碳化硅桨(5)的第一端固定在基座(1)上；挡板(2)安装在碳化硅桨(5)的第二端，且挡板(2)与碳化硅桨(5)的下表面相垂直；测距传感器(3)设置在基座(1)上朝向所述挡板(2)的一侧壁上，测距传感器(3)用于测量测距传感器(3)与挡板(2)之间的距离值；调节机构(4)用于根据距离值，调节紧固件的松紧度，以调节碳化硅桨(5)的水平度。本发明的技术方案能够实时地自动调节碳化硅桨的水平度，提高了调节效率。
125	一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法	CN202311644503.8	2023-12-04	CN117702278A	2024-03-15	尹志军; 崔国新; 包晓清; 叶志霖; 汤济; 许家荣; 沈厚军; 吕新杰; 许启诚
本发明公开了一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法，在铁电体晶体表面制备波导，波导通过光纤耦合方式引入主激光，采用短波长的蓝紫光或紫外光作为辅助光源，将辅助光源与铁电体晶体进行集成封装，通过辅助光源照射铁电体晶体；所述集成封装包括以下两种封装方法：一、保持辅助光照射与主激光传输方向同轴；二、保持辅助光照射与主激光传输方向垂直。采用短波长的蓝紫光/紫外光照射的方法，将蓝紫光/紫外光光源与铁电晶体材料进行集成封装，消除铁电晶体中的光折变效应。通过对铁电体材料进行封装，降低激光在铁电晶体中传输时产生的光折变效应。
126	一种修复蓝宝石晶片面型的方法	CN202311445881.3	2023-11-01	CN117702277A	2024-03-15	秦俊; 童川; 翟虎
本发明涉及蓝宝石晶片加工技术领域，公开了一种修复蓝宝石晶片面型的方法。该方法包括：将蓝宝石晶片进行研磨处理和退火处理；研磨处理的方法包括：采用双面研磨；退火处理的方法包括：蓝宝石晶片的翘曲度为16‑25μm，退火处理在研磨处理之后进行；或者，蓝宝石晶片的翘曲度大于25μm，退火处理包括退火处理I和退火处理II，退火处理I的保温温度高于退火处理II的保温温度。本发明提供的修复蓝宝石晶片面型的方法能够改善蓝宝石晶片的翘曲度，从而能够极大地提高对翘曲度超标晶片进行修复的合格率。
127	一种碲化镁合金及其制备方法	CN202311720795.9	2023-12-14	CN117702276A	2024-03-15	徐祥炎; 文崇斌; 童培云; 廖湘东
本发明公开了一种碲化镁合金及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：按照摩尔比为1：(1～1.25)准备镁块、碲块；将镁块均匀的分成n块，将碲块均匀的分成n‑1块，将镁块和碲块采用交替叠块的方法进行叠块；将叠块后的物料置于单晶炉中，先将单晶炉抽真空后充氩气，重复3～5次，升温至680～800℃，保温2～3h，再升温至850～1200℃，保温4～6h，冷却，得到碲化镁合金；n为3或4。本发明按照特定的摩尔比将镁块、碲块均匀的分成n块、n‑1块，采用交替叠块的方法进行叠块，而后在氩气保护下，进行二段加热保温，得到了纯度高、无杂相，成分均匀的碲化镁合金。
128	一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法	CN202410168348.5	2024-02-06	CN117702272A	2024-03-15	陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙; 张江涛
本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。
129	降低厚层碳化硅外延材料表面微坑缺陷数量的生长方法	CN202311740424.7	2023-12-18	CN117702264A	2024-03-15	赵志飞; 王翼; 李赟; 熊瑞; 周平; 曹越; 姜海涛
本发明公开了降低厚层碳化硅外延材料表面微坑缺陷数量的生长方法，在完成常规厚层碳化硅外延薄膜生长后，基于氯化氢辅助超低速SiC外延工艺原位生长一层修复层对表面微坑缺陷进行外延修复；在完成修复层生长后，进行修复层原位氯化氢辅助氢气刻蚀处理，并通过进行多个周期的原位修复刻蚀处理，最终将修复层部分去除或者完全去除，还原原始外延结构，并达到进一步降低厚层SiC外延薄膜表面微坑缺陷数量的效果。本发明适用于现有商业化SiC外延炉，工艺兼容于现有常规外延工艺，可以用于商业化SiC外延片的批量生产，具有极大的推广价值。
130	异常确定方法、装置、电子设备及存储介质	CN202311100341.1	2023-08-29	CN117702254A	2024-03-15	郭力; 李广砥; 王正远; 杨正华; 周宏坤; 卓珍珍
本发明实施例提供了一种异常确定方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶过程中，获取等径阶段的预设时长内的至少两个单晶棒图像，检测每个单晶棒图像中的亮环区域，根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度，确定单晶棒的异常情况，使得利用多个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度，分析单晶棒的生长变化大小来发现单晶棒出现的异常情况，从而减少了异常情况后的异常工时，继而提高单产，避免划弧严重时发生掉棒砸埚的风险，为生产安全提供更好的保障。
131	一种单晶拉制方法、装置、电子设备和存储介质	CN202310444611.4	2023-04-23	CN117702248A	2024-03-15	周永波; 杨东; 吴苗苗; 王依岗
本发明实施例提供了一种单晶拉制方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：根据引晶阶段平均拉速从预设多组放肩降温功率参数集中选择一组与平均拉速相匹配的放肩降温功率参数子集；在放肩直径未达到目标放肩直径前，根据放肩降温功率参数子集合实际放肩长度，对实际晶升速度、实际埚升速度和实际降温功率进行调整；在放肩直径达到目标放肩直径后，根据当前时刻的等径长度、预设晶升速度以及预设的等径阶段埚升速度变化曲线，对实际晶升速度和实际埚升速度进行调整，直至等径长度达到等径长度阈值，得到拉制完成的单晶。从而根据晶体不同的状态调整埚升速度和晶升速速度，使单晶拉制工艺的工步时长减少，同时降低了断棱现象。
132	单晶炉	CN202311727030.8	2023-12-15	CN117702243A	2024-03-15	杨文武; 梁万亮
本发明涉及一种单晶炉，包括炉体和位于炉体内的坩埚组件，所述坩埚组件的上方设置有导流筒，所述导流筒的内部设置有晶棒提升区域，所述晶棒提升区域和所述导流筒之间设置有水冷套，所述水冷套呈筒状结构，所述水冷套包括外表面和内表面，在所述水冷套的径向方向上，所述外表面的截面形状为圆形，所述内表面的截面形状为椭圆形。在所述水冷套的径向方向上，所述水冷套的外表面的截面形状为圆形，所述水冷套的内表面的截面形状为椭圆形。在拉晶过程中，晶棒在旋转过程时将在椭圆形内周形成稳定对称的温度场，加快晶棒中热量辐射至水冷套并及时带走，提高了热交换效率。
133	一种层状氧化物材料及制备方法	CN202311733512.4	2023-12-18	CN117431633B	2024-03-15	蔡伟华; 赖正杰; 赵建明; 郭启涛
本发明涉及一种层状氧化物材料及其制备方法。本发明所述层状氧化物材料，化学通式为：NaxMniMyO2+β；M为除锰以外的其他金属元素，具体为Li、K、Ca、Zn、Al、Ni、Fe、Cu、Ti、Mg、Co、Ba、Sr、B、Cr、Co、V、Zr、Nb中的至少3种；0.67≤x≤1；0.6≤i<1，i＞y，i+y=1，‑0.02≤β≤0.02；层状氧化物材料的颗粒内核区域的体心与颗粒体心重合，锰含量由颗粒体心朝颗粒表面呈降低的浓度梯度。本发明能调控颗粒表面元素种类和分布，具有一定锰元素浓度梯度，能够有效的降低表面锰溶出现象，有利于提高材料结构稳定性和产品一致性，又能有效提高材料的倍率性能和循环性能，生产成本低。
134	晶体生长装置及方法、TGS类晶体	CN202210852486.6	2022-07-20	CN115233285B	2024-03-15	周成; 何亮; 李建敏; 毛伟; 张存新; 徐云飞; 雷琦; 罗鸿志; 李小平; 刘亮; 甘胜泉; 熊仁根
本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
135	金属硝酸盐晶体生产线	CN202311698414.1	2023-12-11	CN117684266A	2024-03-12	丘芊芊; 聂海韬; 吴伟平
提供一种金属硝酸盐晶体生产线，金属硝酸盐晶体生产线包括溶解釜、除杂釜、过滤器、蒸发釜、结晶釜、分离器、干燥器、第一管线、第二管线、第三管线、第四管线、第五管线、第六管线；除杂釜经由第一管线与溶解釜连通；过滤器经由第二管线与除杂釜连通；蒸发釜经由第三管线与过滤器连通；结晶釜经由第四管线与蒸发釜连通；分离器经由第五管线与结晶釜连通；干燥器经由第六管线与分离器连通；溶解釜、除杂釜、蒸发釜各具有彼此分立且一起配置成控制各自温度的加热机构和冷却机构。由此能够更为精确地控制反应温度，能够减少冷却结晶的跑冒滴漏现象。
136	硅晶体生长炉的观察与控制方法	CN202311831511.3	2023-12-28	CN117684263A	2024-03-12	金太薰
本发明涉及一种硅晶体生长炉的观察与控制方法，所属硅片加工技术领域，硅晶体生长炉包括坩埚，坩埚外围设有热屏蔽的隔热炉体，坩埚侧边与隔热炉体间设有若干加热器，坩埚下端与隔热炉体间设有与隔热炉体相插嵌固定的坩埚驱动座，隔热炉体上端设有观察炉罩，坩埚内填满硅熔液，坩埚上部设有延伸出观察炉罩上端的提拉架，通过提拉架将硅晶体放置到坩埚内的硅熔液中进行生长工艺，提拉架两侧与观察炉罩间设有延伸至坩埚内的尺寸杆，尺寸杆下端设有间距测定块，尺寸杆上部侧边设有观察照相机。具有结构紧凑、操作便捷和效果好的特点。解决了用相机观察时发生测量或者操纵引起误差的问题。实现利用相机观察后，满足硅晶体在生长炉均匀的生长。
137	一种径向浓度渐变高光束质量中红外激光器	CN202311823398.4	2023-12-28	CN117477338B	2024-03-12	陈薪羽; 刘景良; 张晓雷; 邱基斯; 李小宁; 于永吉; 金光勇; 姜相宇; 何洋
本发明公开了一种径向浓度渐变高光束质量中红外激光器，属于优化激光器技术领域，包括：基础Er：YAG激光器主体、谐振腔、输出镜，其特征在于，在所述谐振腔内部，还包括被动调Q晶体Fe：ZnSe晶体、Er：YAG侧面泵浦模块；所述谐振腔中，所述Er：YAG侧面泵浦模块采用侧面泵浦和掺铒激光晶体棒对种子光源进行放大处理，并通过所述Fe：ZnSe晶体进行处理得到高质量的脉冲激光；其中，所述Fe：ZnSe晶体为套筒结构；所述Fe：ZnSe晶体的浓度沿径向方向逐渐提高。本发明在腔内增加了被动调Q晶体Fe：ZnSe晶体，在Fe：ZnSe晶体的边缘部分对输出激光有强吸收效果，使输出激光有孔径光阑效应，达到提高光束质量的效果。
138	一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途	CN202310815204.X	2023-07-05	CN116732610B	2024-03-12	李寒莹; 赵裕杰; 彭博宇
本发明涉及有机半导体技术领域，特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法，包括如下步骤：1)富勒烯和溶剂混合，形成混合液；2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长，获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度，并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜，其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点，此外，具有优异的电子传输性能，能满足光电领域的应用需求。
139	不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法	CN202111179012.1	2021-10-09	CN113981523B	2024-03-12	韩家贤; 王顺金; 韦华; 赵兴凯; 何永彬; 柳廷龙; 刘汉保; 黄平; 陈飞鸿; 李国芳
不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。
140	在衬底上生产氧化镓层的方法	CN202280050682.X	2022-07-12	CN117677737A	2024-03-08	W·黑克尔; T·周; A·波普
一种在衬底上生长β‑Ga2O3层的方法，包括以下步骤：(1)提供衬底，(2)使用氧气和包含Ga的前体以第一生长速率进行第一沉积循环，所述第一沉积循环具有至少3个原子层的β‑Ga2O3且最多20个原子层的β‑Ga2O3的厚度，其中使用由测得的第一层表面反射率和对应的第一层厚度组成的多个元组来确定层表面反射率的回归曲线，以及(3)以预定的第二生长速率进行第二沉积循环，其包括测量第二层厚度和第二层表面反射率，所述预定的第二生长速率由第一生长速率乘以校正因子F确定，其中所述校正因子F大于被计算为Ll＝0.995‑Ref×0.475的下限Ll并且小于被计算为Lu＝1‑Ref×0.25的上限Lu，其中Ref表示由从测得的第二层表面反射率与根据在第二层厚度处评估的回归曲线外推的层表面反射率的商计算出来的无量纲层表面反射率指数。

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