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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
161	一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法	CN202410108386.1	2024-01-26	CN117626425A	2024-03-01	刘奇; 龚一夫; 王亚倞; 赵扬; 翟玥; 图布新; 李明达; 傅颖洁; 薛兵; 李杨; 彭永纯; 唐发俊
本发明提供了一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的衬底片上片至刻蚀后的外延炉反应腔室内，烘焙外延炉，之后通入氢气对外延炉反应腔室吹扫；随后在衬底片上生长外延层；外延层生长过程为：第一阶段：在1050～1060℃下以5～6μm/min的生长速度进行生长；第二阶段：在1040～1050℃下以2～3μm/min的生长速度继续生长外延层；第三阶段：在1030～1040℃下以低于1μm/min的生长速度继续生长补足外延层至目标厚度；外延层生长结束后降温取出外延片。本发明所述的制备方法在提高硅外延生长速率的同时，保证外延片厚度和电阻率的可控，并有效降低裂片和滑移线的产生。
162	确认外延反应腔室保养结果的方法、装置、系统及介质	CN202311597040.4	2023-11-27	CN117626423A	2024-03-01	吴凡; 牛景豪
本公开提供了一种确认外延反应腔室保养结果的方法、装置、系统及介质。该方法可以包括：在将所述外延反应腔室重新装配完成之后，获取所述外延反应腔室内与少数载流子寿命具有相关性的腔室环境监测数据；根据所述腔室环境监测数据确定所述外延反应腔室的保养结果是否成功。
163	一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置及方法	CN202410004486.X	2024-01-03	CN117626418A	2024-03-01	胡润光; 李奕铭; 胡动力; 王人松
本发明提供了一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置及方法，包括：PE桶盖和石墨坩埚盖，所述PE桶盖的顶部安装有密封圈，所述密封圈的左右两端外侧设置有压紧固定装置，所述PE桶盖的顶端开设有第一通孔，所述石墨坩埚盖的顶端开设有第二通孔，所述PE桶盖与所述石墨坩埚盖之间设置有PE膜袋。该种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，可以起到防止碳化硅发散则造成减损，提高利用率，避免外部灰尘细菌进入物料内部，对碳化硅纯净度造成影响的作用，实现无尘化装料。
164	碳化硅长晶装置	CN202311044524.6	2023-08-18	CN117626415A	2024-03-01	林志隆; 杨博斐; 刘智生; 林忠豪; 叶幸真; 吴浩文
本发明提供一种碳化硅长晶装置，包含由多个石墨层及碳化硅晶种形成的复合结构，其中每一层石墨的密度或厚度以渐进式调整，减缓石墨与碳化硅的热膨胀系数与杨氏模量的差异，复合结构可以稳固于石墨材质的坩埚顶部或上盖，避免晶体脱落。
165	应用于单晶炉内的晶体生长控制系统及方法	CN202311718842.6	2023-12-14	CN117626412A	2024-03-01	李再兴; 李端科; 张利; 李浩毅; 王剑刚
本发明公开了应用于单晶炉内的晶体生长控制系统及方法，属于晶体生长技术领域。本发明利用激光干涉技术，对单晶炉内的晶体进行实时测量，获取晶体的表面形貌和粗糙度；利用机器学习技术，对晶体的表面形貌和粗糙度进行晶格识别和缺陷检测，评估晶体的晶格结构和缺陷分布；利用数学模型，对晶体的晶格结构和缺陷分布进行结构模拟和优化，预测晶体的结构；将预测的晶体结构与预设的目标结构进行比较，确定晶体生长的质量；根据晶体生长的质量，动态调节单晶炉的工作参数。本发明能够实现对晶体生长过程的全面、自动化和智能化的控制和管理，提高晶体生长的效率和效果，降低晶体生长的成本和风险。
166	非晶相化改质机及单晶材料的加工方法	CN202311067553.4	2023-08-23	CN117620473A	2024-03-01	李建中; 王柏凯; 王上棋; 蔡佳琪; 李依晴
本发明提供一种非晶相化改质机及单晶材料的加工方法。所述单晶材料的加工方法包括以下步骤。提供单晶材料作为待改质对象。使用非晶相化改质机射出的飞秒激光束来对待改质对象内部进行加工。所述加工包括，使用飞秒激光束在待改质对象内部形成多条加工线，其中每一条加工线包括的字形的加工，且多条加工线之间的加工线间距在200μm至600μm之间的范围，其中在对待改质对象进行加工后会在待改质对象中形成改质层。对待改质对象中具有改质层的部分进行切割或分离。
167	一种晶体回熔控制方法和设备、拉晶炉以及计算机存储介质	CN202110552586.2	2021-05-20	CN115369478B	2024-03-01	武高峰; 李侨; 徐战军; 赵会刚; 张伟建; 赵阳; 贺瑞环; 刘永生; 李羊飞; 周宏坤; 杨正华
本发明公开一种晶体回熔控制方法和设备、拉晶炉以及计算机存储介质，涉及晶棒拉晶技术领域，以可以自动控制晶棒回熔，不仅使得控制晶棒更加准确，提高回熔效率，而且减少人工成本。所述晶体回熔控制方法包括：在晶体断线的情况下，控制坩埚升降装置将坩埚从晶体断线埚位下降至晶体回熔埚位。当坩埚下降至晶体回熔埚位，控制晶体提拉装置调整晶体的位置，使得晶体与熔体液面接触。当晶体与熔体液面接触时，控制加热器对晶体进行回熔操作。根据晶体吸热参数和加热器放热参数确定加热器的放热量大于或等于晶体的回熔吸热量的情况下，确定晶体转化为熔体。
168	一种r-GeO2 薄膜单晶及其生长方法	CN202211014090.0	2022-08-23	CN115341276B	2024-03-01	王嘉义; 王盛凯
本发明提供了一种r‑GeO2 薄膜单晶的生长方法，包括：A)Ge和GeO2反应，得到气态GeO；B)在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO沉积在预处理的r‑TiO2衬底上，加热生长，即得。本发明通过加热Ge和GeO2的混合物，使之反应生成GeO，再对其进行氧化生成GeO2的生长方式，具有生长条件易控、生长速率高以及晶体质量高等优势，拥有非常广泛的研究和应用场景。
169	一种激光增益介质材料及其制备方法和激光器件	CN202311409305.3	2023-10-27	CN117613658A	2024-02-27	马凤凯; 高泉浩; 谭佩雯; 李真; 陈振强
本发明公开了一种激光增益介质材料，其化学式为(M1‑x‑y‑zNdxRyCrz)F2+x+y+z，其中M为钙或锶离子，R为钇、镧、钆或镥离子；x＝0.10％～1％；y＝0.10％～10％；z＝0.10％～10％。本发明还公开了上述激光增益介质材料的制备方法和包含上述激光增益介质材料的激光器件。本发明通过钕离子和铬离子共掺杂，提高了晶体对超宽带泵浦光的吸收能力，同时铬离子可以将吸收的能量高效地传递给钕离子供其发光，从而大幅提高掺钕氟化钙/锶晶体对能量的利用效率；同时，本发明还解决了掺钕氟化钙/锶晶体荧光寿命低的问题，显著提高了晶体的荧光寿命，有利于泵浦能量的储存和大能量激光输出。
170	一种单晶富锂正极材料及其制备方法与应用	CN202311328280.4	2023-10-13	CN117613179A	2024-02-27	何吴城; 任志敏; 张向军; 王建涛; 李国华; 卓浩翔; 刘星阁; 高振兴
本发明涉及锂电池材料技术领域，尤其涉及一种单晶富锂正极材料及其制备方法与应用。所述单晶富锂正极材料的制备方法包括：将多晶富锂正极材料与复合助剂混合后得到混合物，将所述混合物进行烧结；其中，所述复合助剂包括第一组份与第二组份的混合物，所述第一组份为含硼化合物，所述第二组份为金属氧化物和/或锂盐。本发明通过在多晶富锂材料的重复烧结时添加复合助剂进行共同烧结，更有利于富锂材料在高温烧结中发生重结晶，有效实现单晶的形成，同时显著提升材料的压实密度和循环稳定性。
171	集成在工程化衬底上的RF器件	CN202311489074.1	2018-02-08	CN117613070A	2024-02-27	弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫; 杰姆·巴斯切里; 奥兹古·阿克塔斯
一种用于RF器件的衬底，包括多晶陶瓷芯和夹层结构。所述夹层结构包括：耦合至所述多晶陶瓷芯的第一氧化硅层、耦合至所述第一氧化硅层的多晶硅层、耦合至所述多晶硅层的第二氧化硅层、耦合至所述第二氧化硅层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的第三氧化硅层以及耦合至所述第三氧化硅层的实质单晶硅层。
172	一种通过磁畴重构提高铁基合金单晶磁致伸缩均匀性的方法	CN202311592384.6	2023-11-27	CN117604644A	2024-02-27	王敬民; 赵烁宇; 蒋成保
本发明开发了一种通过磁畴重构提高铁基合金单晶磁致伸缩均匀性的方法，所述方法为应力退火法。本发明利用在温度场中对铁基合金单晶施加的合适的单轴压力，在单晶中引入单向内应力，在单轴压力作用下消除单晶中的杂散磁畴，使所有磁畴均沿着垂直于单轴压力的方向取向，从而实现磁畴重构，提高铁基合金单晶磁致伸缩性能的均匀性。该方法包括如下步骤：(1)按目标成分加烧损进行配料；(2)将配制的原料熔炼成母合金铸锭；(3)通过真空感应电磁悬浮熔炼炉将母合金铸锭熔化并浇铸成母合金棒材；(4)母合金棒材的定向凝固；(5)铁基合金单晶的应力退火。
173	恢复外延反应炉的方法	CN202311605236.3	2023-11-28	CN117604633A	2024-02-27	刘凯; 张海博
本公开涉及恢复外延反应炉的方法，其包括：步骤S1：对外延反应炉的反应腔室进行吹扫；步骤S2：使反应腔室升温至第一温度；步骤S3：在第一温度下向反应腔室通入H2并烘烤预定时间；步骤S4：在第二温度下向反应腔室通入H2和HCL；步骤S5：对反应腔室进行吹扫；步骤S6：在第三温度下向反应腔室通入H2和硅源气体；步骤S7：对反应腔室进行吹扫；步骤S8：在第二温度下向反应腔室通入H2和HCL；步骤S9：对反应腔室进行吹扫；步骤S10：在第三温度下向反应腔室通入H2和硅源气体；步骤S11：对反应腔室进行吹扫，其中，步骤S4至步骤S11被循环执行多次；以及步骤S12：对反应腔室进行降温。通过该方法，能够节省恢复过程中的时间和材料成本。
174	一种光子晶体材料及其制备方法和应用	CN202311501752.1	2023-11-10	CN117604631A	2024-02-27	钟玖平; 刘振; 许锦涛; 谢锦程
本发明公开了一种光子晶体材料。所述光子晶体材料的化学式为Al2O3/RE(1‑x)AlO3:xLn3+，光子晶体材料由基质晶相和发光晶相周期排列组成，基质晶相为Al2O3，发光晶相为稀土铝酸盐晶体RE(1‑x)AlO3:xLn3+；其中，RE选自Sc、Y、La、Gd、Lu中的一种或多种，Ln3+选自稀土激活离子Tb3+或Eu3+，x的取值范围为0.01～0.15。所述光子晶体材料具有周期排列的两晶相分离微纳结构，两晶相的折射率不同，且发光晶相的直径尺寸与可见光波长具有相同数量级。该光子晶体材料在蓝光激光照射下能够产生绿光或红光，荧光光束几乎不发生扩展，而沿发光晶相定向传播，可用于激光显示。
175	一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟及使用方法	CN202311378467.5	2023-10-24	CN117604627A	2024-02-27	孙科伟; 王再恩; 王双; 张嵩
本发明涉及一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟及使用方法，内筒包括上铝凹槽和下铝凹槽，上铝凹槽和下铝凹槽的底部为网状，下铝凹槽设置在石英筒内底部，在下铝凹槽顶端叠放上铝凹槽；在上铝凹槽和石英顶盖之间设置环形隔板；在上铝凹槽下方和下铝凹槽上方及下铝凹槽下方与石英筒底部之间分别设置台阶隔板；台阶隔板的边沿有台阶；石英顶盖中心的进气管穿过顶部环形隔板的中心孔，石英筒底部的出气管穿过底部台阶隔板的中心孔。本发明铝舟采用分体式可拆卸设计，通过多层隔板结构，提高氯化氢与铝粒的反应概率，增加铝原料的输送效率；降低高温加热器对铝舟的热辐射，减少铝舟内金属铝的熔化，实现气相外延的快速生长和长时间稳定性。
176	一种单颗粒金刚石的制备方法	CN202311160638.7	2023-09-11	CN117604624A	2024-02-27	王一佳; 魏秋平; 马莉; 邓泽军
本发明公开了一种单颗粒金刚石的制备方法，于光滑的衬底表面设置一层能够与碳产生固溶的金属获得含金属层的衬底，然后将含金属层的衬底置于含碳源的气氛中进行第一次化学气相沉积生长金刚石，从衬底上剥离金刚石，获得单颗粒金刚石A，将单颗粒金刚石A进行第二次化学气相沉积生长获得单颗粒金刚石B，本发明通过化学气相沉积工艺制备单颗粒金刚石，制备工艺流程简单，所得单颗粒金刚石晶型可控，尺寸从μm至mm级别可调，在生长金刚石的过程中，金属固溶碳后形成疏松的碳层，很容易从光滑衬底上刮下，可省去复杂的衬底去除工艺，有利于批量生产。
177	一种单晶炉晶体提升旋转机构	CN202311332901.6	2023-10-16	CN117604619A	2024-02-27	严才根; 廖加彬; 李忠泽; 程水宫; 丁双富
本发明公开了一种单晶炉晶体提升旋转机构，涉及单晶炉设备领域，包括支架，还包括：滚筒：其转动连接在支架上；搓料块：其设置在滚筒内，搓料块相对于滚筒发生摆动，且搓料块具有一个对金属、硅等无机材料进行揉搓形成籽晶的位置；传动机构：其设置在支架上，传动机构用于驱动滚筒转动的同时还驱动搓料块摆动；当传动机构带动滚筒转动的行程中还驱动搓料块转动，使得搓料块向下对金属、硅等无机材料进行揉搓形成籽晶。本发明提供的一种单晶炉晶体提升旋转机构，通过传动组件带动滚筒转动，进而使滚筒在转动的同时还驱动搓料块在滚筒内发生摆动，使得搓料块对滚筒内的金属、硅等无机材料进行翻动的同时还驱动搓料块向下运动，进而将融化的金属、硅等无机材料进行揉搓形成籽晶。
178	用于拉晶炉的排气系统和拉晶炉	CN202311631770.1	2023-11-30	CN117604607A	2024-02-27	潘浩
本公开涉及一种用于拉晶炉的排气系统以及包括该排气系统的拉晶炉。拉晶炉包括炉室和设置在炉室内的坩埚，排气系统包括用于将炉室内的气体排出的第一排气部件和第二排气部件，第一排气部件的进气口设置在炉室的底部，并且第二排气部件的进气口设置在炉室内且在坩埚的上方。通过这种排气系统，能够缩短排气路径，加快氧化物的排出。
179	一种复合碳材料及其制备方法	CN202311467344.9	2023-11-06	CN117604515A	2024-02-27	陈豆; 程丹妃; 李坚; 马远; 潘尧波
本发明提供一种复合碳材料及其制备方法，制备方法至少包括：提供碳基体；在碳基体的表面包覆金属箔，在碳基体上得到第一防护层；将钽粉熔覆于第一防护层上，部分第一防护层与钽进行冶金反应，得到第一涂层；将带有第一涂层的碳基体置于第一容器中，多次真空洗气后，在真空状态下，加热至第一温度，并向第一容器中通入氯气，在第一温度下反应第一预设时间，部分第一涂层反应生成第二涂层；将带有第二涂层的碳基体置于第二容器中，多次真空洗气后，在真空状态下，加热至第二温度，并向第二容器中通入富碳气体，在第二温度下反应第二预设时间，第二涂层反应生成碳化钽涂层，获得复合碳材料。通过本发明的方法，能够制备致密的碳化钽涂层。
180	一种N型TOPCon 电池的制备方法	CN202310949674.5	2023-07-31	CN116995110B	2024-02-27	乐雄英; 刘银生; 陈如龙; 杨阳; 陶龙忠
本发明公开了一种N型TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：步骤1：N型硅片的制绒，使用碱性溶液对N型硅片进行制绒，以使N型硅片减重控制在0.25g‑0.45g，硅片表面反射率控制在7％‑10％；步骤2：N型硅片正面进行硼扩散和激光微掺杂，再扩散形成正面氧化层掩膜；步骤3：N型硅片背面的抛光；步骤4：在N型硅片的背面进行三合一的多层薄膜沉积，生长隧穿氧化硅薄膜层、原位掺杂的非晶硅薄膜层以及掩膜层，隧穿氧化硅薄膜层的厚度＜2nm，非晶硅薄膜层厚度为50‑200nm，掩膜层的厚度为5‑30nm；步骤5：在预设高温条件下，掺磷的多晶硅层沉积进行磷激活；步骤6：N型硅片正背面氧化硅掩膜清洗；步骤7：N型硅片正背面沉积钝化复合膜；步骤8：印刷、烧结。

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