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H03B：使用工作于非开关状态的有源元件电路，直接或经频率变换产生振荡；由这样的电路产生噪声（特别用于电子乐器的发生器入G10H；微波激射器或激光器入H01S；等离子体振荡的产生入H05H）
H03C：调制（微波激射器或激光器入H01S；编码、译码或代码变换入H03M）
H03D：由一个载频到另一载频对调制进行解调或变换（微波激射器、激光器入H01S；调制器和解调器都可应用的电路入H03C，例如平衡调制器H03C1/54；调制器和变频器都可应用的零部件入H03C；脉冲解调入H03K9/00；经连续变量信号调制的脉冲调制形式的变换入H03K11/00；；中继系统，例如中继站入H04B7/14；用于数字调制载波系统的解调器入H04L27/00；用于彩色电视的同步解调器入H04N9/66）
H03F：放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B3/36、H04B3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M1/60，H04M3/40）
H03G：放大的控制（阻抗网络，例如衰减器入H03H；线路中传输的控制入H04B3/04）
H03H：阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B）
H03J：放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B3/36、H04B3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M1/60，H04M3/40）
H03K：脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子发生器或脉冲发声器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）
H03L：电子振荡器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定（发电机的入H02P）
H03M：一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C4/00；光学模/数转换器入G02F7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
141	一种双输入源脉冲激活电路和储能设备	CN202311660845.9	2023-06-29	CN117856770A	2024-04-09	雷健华; 秦赓; 游永亮; 杨锦昌; 陈智彬; 黎香壮
本发明实施例提供一种单脉冲激活电路和储能设备，包括信号驱动模块、第一开关模块、第二开关模块、储能模块及泄放模块。第一开关模块分别与信号驱动模块、储能模块、第二开关模块及驱动电源连接，储能模块还分别与泄放模块及第二开关模块连接，第二开关模块还用于与待激活装置连接。该单脉冲激活电路采用脉冲激活方式激活待激活装置，在接收到触发信号后，激活信号不会一直存在，避免电平激活方式的缺陷，提高设备的安全性。
142	工作周期调整电路及其方法	CN202310957616.7	2023-08-01	CN117856768A	2024-04-09	林嘉亮
本申请涉及工作周期调整电路及其方法。工作周期调整方法包含条件性地将一输入时钟反相为一条件反相时钟；及根据一代表工作周期调整量的整数，在单方向上调整该条件反相时钟的工作周期，借着使用一不均匀时钟缓冲器及多个不均匀时钟多工器，该多个不均匀时钟多工器被串接且随着整数的增量而渐进地被启动。
143	包括片上电阻器的半导体器件和校准片上电阻器的方法	CN202310572178.2	2023-05-19	CN117856763A	2024-04-09	金东锡; 吴周原; 张根珍
本公开涉及包括片上电阻器的半导体器件和校准片上电阻器的方法。一种半导体器件包括：片上电阻器电路，其包括片上电阻器；校准电路，其被配置成对片上电阻器执行校准操作；以及校准控制电路，其被配置成控制校准电路的校准操作。校准电路包括：电流生成电路，其被配置成向片上电阻器提供校准电流；以及比较电路，其被配置成将通过校准电流和片上电阻器生成的第一输入信号的幅度与通过校准电流和外部电阻器生成的第二输入信号幅度进行比较。
144	利用弓字形和交指结构并联构成的谐振器以及制造方法	CN202311732099.X	2023-12-16	CN117856761A	2024-04-09	郑双喜; 陈杰; 胡海涛; 韩双平
本申请涉及谐振器技术领域，尤其涉及利用弓字形和交指结构并联构成的谐振器以及制造方法。本申请提供的利用弓字形和交指结构并联构成的谐振器的制造方法，包括将交指结构与弓字形结构在压电基片上并联，形成对偶复合左右手谐振器，微带线的一端连接交指结构，然后沿着顺时针方向旋转并延伸一段距离，然后在旋转中心处再逆时针方向旋转并延伸回来，绕过交指结构连接到交指结构的另一端，形成的一个闭合的回路，用于形成对偶复合左右手谐振器的闭口端；将辐射贴片、微带线以及对偶复合左右手谐振器相连接；在对偶复合左右手谐振器上设置窗口部分和金属铺地部分，窗口部分的位置与辐射模块的位置对应，金属铺地部分与微带线的位置对应。
145	一种基于QMEMS工艺的石英晶体谐振器反向台型结构芯片的制备方法	CN202410048482.1	2024-01-12	CN117856758A	2024-04-09	万杨; 吴丰顺; 张小伟; 刘明帆
本发明公开一种基于QMEMS工艺的石英晶体谐振器反向台型结构芯片的制备方法，涉及谐振器领域。该发明包括以下步骤：在石英晶体板预先显现外形及图形位置精度控制图案；获得芯片外形和对位标识；在对位标识位置处涂覆保护层；对晶片进行初次减薄，外形预裂片；对晶片进行二次减薄，完成裂片；保护层和镀层全面去除；在全面覆盖金属镀层的表面通过光刻工艺显现电极；切割芯片与基板的连接处，形成一个个芯片独立单元。该发明实现反向台型结构的谐振器芯片可批量生产，使用性能稳定，生产成本低，制成过程图形位置精度高。
146	一种公网信号放大器信号增强方法	CN202311712294.6	2023-12-13	CN117856754A	2024-04-09	刘海波; 毛帅; 秦明慧
本发明公开了一种公网信号放大器信号增强方法，信号放大器包括级联的第一级放大电路、第二级放大电路、第一级间匹配电路、带通滤波器、第二级间匹配电路和第三级放大电路，涉及信号增强技术领域，通过设置雷击保护电路和整流滤波电路，能够对信号传输进行维稳和起到防护作用，从而使得信号稳定的同时，也有利于对信号进行增强；信号放大器包括级联的第一级放大电路、第二级放大电路、第一级间匹配电路、带通滤波器、第二级间匹配电路和第三级放大电路，第一级放大电路由输入匹配电路、放大器和输出匹配电路组成，所述第二级放大电路由电容C11‑C14、电感L3、电阻R4和放大器芯片A2组成；同样保证信号稳定的情况下，对信号进行了放大。
147	功率放大器	CN202311212281.2	2023-09-19	CN117856750A	2024-04-09	金正勳; 河宗钰; 张英雄; 饭塚伸一; 李惠眞
本公开提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：功率晶体管，被配置为放大输入RF 信号；以及偏置电路，被配置为向所述功率晶体管提供偏置电流，在第一功率模式下，检测与所述输入RF信号中的第一电平或更高电平对应的第一信号，并且产生与所述第一信号对应的所述偏置电流，或者，检测与所述输入RF信号中的第二电平或更低电平对应的第二信号，并且产生与所述第二信号对应的所述偏置电流，并且在第二功率模式下，检测与所述输入RF信号中的第三电平或更高电平对应的第三信号，并且产生与所述第三信号相对应的所述偏置电流，或者，检测与所述输入RF信号中的第四电平或更低电平相对应的第四信号，并且产生与所述第四信号对应的所述偏置电流。
148	一种基于方波调制的线性化数字功率放大电路	CN202311777453.0	2023-12-21	CN117856746A	2024-04-09	衡浩; 王政; 贾蓝馨; 肖尧; 谢倩
本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种基于方波调制的线性化数字功率放大电路，用以解决数字功率放大器所面临的幅度失真和相位失真问题。本发明利用相位产生与选择模块产生调制方波，调制方波的脉宽以优化数字功率放大器的幅度，调制方波的延时以优化数字功率放大器的相位，最终改善数字功率放大器的幅度失真与相位失真，进而显著提升数字功率放大电路的线性度；具体而言，在2.4GHz的工作频率处，传统电流型数字功率放大器具有5.65dB的最大幅度失真、149.4°的最大相位失真，而本发明提供的基于方波调制的线性化数字功率放大电路仅具有1.31dB的最大幅度失真、3.4°的最大相位失真，对数字功率放大器具有明显的线性度提升效果。
149	一种窄带信号扫频发生电路	CN202311773217.1	2023-12-21	CN117856738A	2024-04-09	赵珂; 邱昕; 冷永清; 荆有波; 周崟灏; 贾凯; 王永岩; 曹德民; 李子木; 李恒锐
一种窄带信号扫频发生电路，所述电路包括外部供电模块、无稳态电路和压控振荡器，所述外部供电模块为无稳态电路和压控振荡电路供电，所述无稳态电路的输出与压控振荡电路的输入电连接，所述无稳态电路输出锯齿波信号至压控振荡电路，所述压控振荡电路根据无稳态电路输出的锯齿波信号产生扫频信号。本发明使用了一些新型的电子器件，如可变电阻、晶体管、内部VCO等，以及一些锯齿波信号的产生方法。这些技术和器件可以有效地实现窄带信号的快速扫频，并且可以有效地提高信号的频率稳定性和传输质量。可以实现窄带信号的简单、快速、稳定和低成本的传输和接收。这可以为现代通信系统的发展提供一种新的技术方案，并且可以促进相关领域的技术进步。
150	一种高压直流发电机控制器的驱动装置和励磁控制电路	CN202311768137.7	2023-12-21	CN117856672A	2024-04-09	吴俏俏; 袁晓伟; 黄珂龙
本发明公开了一种高压直流发电机控制器的驱动装置和励磁控制电路，装置包括：与H桥电路中2个单侧半桥一一对应连接的2套驱动电路，2路PWM波信号和1路PSD分别接入驱动电路的输入端，且输出的2路OPWM信号，分别接入到H桥电路中一侧半桥的上、下桥臂的栅极；在输入2路PWM时，在自举电路的充电过程中接通对应的单侧半桥的下桥臂，并使得本侧半桥的上桥臂断开，且在自举电路的放电过程中接通本侧半桥的上桥臂，并使得本侧半桥的下桥臂断开。本发明技术方案解决了现有高压直流电源系统中，采用模拟调压器进行励磁电流的调节控制存在调整参数困难，不易设计获得对各种状态均适合的电路参数，以及硬件设计较为复杂等问题。
151	串并转换电路、芯片、电子设备及串并转换方法	CN202410260385.9	2024-03-07	CN117851319A	2024-04-09	杨立新; 李德建; 谭浪; 牛彬; 刘胜; 邹华
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种串并转换电路、芯片、电子设备及串并转换方法。该电路包括：时钟数据对齐电路、移位电路以及采样电路；其中，时钟数据对齐电路的补偿时钟输出端与移位电路连接，时钟数据对齐电路的数据输入端与移位电路的数据输入端连接，采样电路与移位电路的输出端连接；时钟数据对齐电路，用于对时钟进行补偿，以使补偿时钟输出端的补偿时钟与数据输入信号对齐；移位电路，用于在补偿时钟与数据输入信号对齐后，采用补偿时钟对数据输入信号进行串行移位处理，以在移位电路的输出端输出移位后的串行数据信号；采样电路，用于对移位后的串行数据信号进行并行采样，以得到并行数据信号。本发明能够节约电路成本。
152	一种水位传感器调理电路及核电厂蒸气发生器调理系统	CN202311588480.3	2023-11-23	CN117848460A	2024-04-09	曾志川; 王舜; 马可; 许标; 赵阳; 曾少立; 郭兴坤; 邓锐; 刘佳; 龚潇; 王晏萍; 杨宇
本发明公开了一种水位传感器调理电路及核电厂蒸气发生器调理系统，涉及工业控制技术领域，其技术方案要点是：包括方波发生电路和电压限幅电路；方波发生电路，用于通过正反馈与电容积分作用产生占空比恒定的方波信号；电压限幅电路，用于将方波信号的正负幅度误差到设定电压值；其中，方波信号的方波电压大于设定电压值。本发明能产生水位电极传感器所需频率和幅值的双极性方波电源，通过高精度方波发生电路使水位传感器有高精度水位检测，使用双极性电源降低水位传感器的电极氧化，实现了水位检测调理过程的准确性及可靠性。
153	基于高分子压电薄膜的柔性超声液位计及组件	CN202311765876.0	2023-12-20	CN117848455A	2024-04-09	王大亮
本发明公开了基于高分子压电薄膜的柔性超声液位计及组件，包括超声液位传感器，所述超声液位传感器包括柔性衬底、阵列下电极、整面压电层、上电极、下电极引线和上电极引线，所述柔性衬底的上侧设置有阵列电极，且阵列电极的上表面涂覆有整面压电层，并且整面压电层的上侧制备有上电极。该基于高分子压电薄膜的柔性超声液位计及组件，采用聚偏氟乙烯共聚物作为压电功能层，在下电极的上表面涂覆一层PVDF共聚物薄膜，通过原位等离子极化技术对聚偏氟乙烯共聚物薄膜进行极化处理使其具有压电性，再在压电薄膜的上表面制备一层上电极，即可制备出满足较高超声频率和高分辨率要求的具有较小阵列尺寸的多点式柔性超声液位计传感器。
154	一种基于磁角度传感器技术的手摇脉冲发生器方案	CN202410017624.8	2024-01-05	CN117848393A	2024-04-09	胡广辉; 吕夫宝
本发明公开了一种基于磁角度传感器技术的手摇脉冲发生器方案，属于磁场感应技术领域。本发明主要结构包括手摇脉冲发生器外部装置、手摇脉冲发生器内部装置和手摇脉冲发生器主控板，手摇脉冲发生器外部装置包括外壳、手柄、齿轮、刻度盘和接线座；手摇脉冲发生器主控板包含电源、信号处理电路、磁角度传感器；手摇脉冲发生器内部装置包括永磁体和中心轴；通过手动转动装置生成正交信号，信号处理模块对接收的正交信号进行放大、整形、滤波处理，模数转换模块用于将生成的模拟信号经过D/A转换为MCU可识别的数字信号，将数字信号传输给MCU计算模块，最后经MCU处理成脉冲信号，由驱动器输出。
155	一种逐次逼近型模数转换器及模数转换处理方法	CN202311848919.1	2023-12-29	CN117559999B	2024-04-09	范学莲
本申请涉及一种逐次逼近型模数转换器及模数转换处理方法，属于模数转换技术领域，用于解决现有模数转换器有效位数受限于量化噪声的技术问题。逐次逼近型模数转换器包括DAC电容阵列、噪声整形电路、比较器和SAR逻辑单元，所述噪声整形电路包括一阶噪声整形电路和二阶噪声整形电路，在量化阶段结束后的残差存储阶段，所述一阶噪声整形电路的信号输入端和二阶噪声整形电路的信号输入端按照存储时序顺次连接到所述DAC电容阵列的输出端，对量化阶段结束产生的残差电压分次存储；所述二阶噪声整形电路的信号输出端和所述一阶噪声整形电路的信号输出端在下一量化阶段分别连接所述比较器的第一输入端和第二输入端。本申请实施例提高了有效位数及精度。
156	射频保护电路及相关装置	CN202311774051.5	2023-12-22	CN117478164B	2024-04-09	王树晓; 陈亚梯
本申请实施例公开了一种射频保护电路及相关装置，电路包括：射频主电路；检测电路，包括负载为电阻的第一检测子电路、负载为阻抗元件的第二检测子电路，用于分别输出第一检测值和第二检测值；比较器，用于比较第一检测值与第二检测值，得到比较结果；控制器，用于根据比较结果控制射频电源的输出频率。如此，使得电路处于谐振状态，避免反射功率过大对射频输出信号的负影响，提高了射频保护电路输出射频信号的稳定性，进而提高射频通信的效率。
157	一种模数转换器、全差分模数转换器和传感器测量系统	CN202311737766.3	2023-12-18	CN117439604B	2024-04-09	肖云钞; 罗伟绍; 任勇; 陈建章; 赵双龙; 李建
本申请涉及一种模数转换器、全差分模数转换器和传感器测量系统，其中，一种模数转换器包括模数转换器，用于接收传感器输出的模拟信号，将所述模拟信号转换为数字信号；与所述模数转换器连接的第一失调补偿模块，用于根据所述数字信号确定所述模数转换器的失调误差，并对所述失调误差进行失调补偿；与所述模数转换器连接的第一增益调节模块，用于根据进行失调补偿后所述模数转换器输出的数字信号确定对应的增益，并对所述增益进行增益调节。本申请提供的模数转换器可适配不同传感器的差异，具有简约和自调节优势。
158	射频电路、射频电源设备及电抗补偿方法	CN202311734436.9	2023-12-18	CN117424575B	2024-04-09	王树晓; 陈亚梯
本申请提供一种射频电路、射频电源设备及电抗补偿方法，涉及射频技术领域，射频电路包括：射频电源、射频输出端、变压器、电抗补偿单元以及变比调节单元，射频电源用于向负载提供射频功率；射频输出端用于连接负载；变压器包括原边绕组和副边绕组，原边绕组连接于射频电源与射频输出端之间；电抗补偿单元与变压器的副边绕组串联连接,用于可选择性地提供补偿电抗；变比调节单元用于调节变压器的变比；其中，在射频电路需要进行电抗补偿时，电抗补偿单元提供补偿电抗，且变比调节单元调节变压器的变比，以对射频电路在原边绕组一侧的电抗进行补偿。本申请可便捷地对射频电路进行电抗补偿。
159	芯片及其供电电路和电子设备	CN202311717155.2	2023-12-14	CN117406847B	2024-04-09	杨志斌; 尹欣; 王晨皓; 虞少平
本申请提供一种芯片及其供电电路和电子设备，涉及电子电路技术领域，供电电路包括：供电电源、第一电源建立模块、第二电源建立模块和电源比较模块；其中，第一电源建立模块用于建立第一电源，第一电源用于驱动芯片工作；第二电源建立模块用于建立第二电源，第二电源用于为芯片进行协议交互提供工作电压；电源比较模块用于比较第二节点分别与第一电源和第二电源的电压大小，得到比较结果，并根据比较结果控制第二电源建立模块建立第二电源。本申请可以同时满足芯片的正常工作供电和协议交互时的供电，且可以避免芯片在协议交互时出现掉电现象。
160	一种本振泄露可校准的宽带单边带上变频器	CN202311186812.5	2023-09-14	CN117155291B	2024-04-09	彭娜; 柴远; 郑恩淇
本发明公开了一种本振泄露可校准的宽带单边带上变频器，应用于电子电路设计领域：包括混频器，其中由两个吉尔伯特单元构成I/Q混频器，I、Q混频器的正负总共四路跨导级分别由可变电流源阵列控制；本振正交信号产生电路，包括一级多相滤波器和一级耦合器；中频正交信号产生电路，由四级多相滤波器构成；中频驱动放大器，由一级全差分放大器和一级源极跟随器构成。本发明采用I/Q混频架构，分别为I路混频器和Q路混频器输入正交的中频信号、正交的本振信号。I路混频器与Q路混频器得到的两个边带，其中一个相位相同，另外一个相位相反，最后将所需边带保留，剩余边带抵消，实现了单边带上变频。

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