1.一种动态随机存取存储器(DRAM)设备，包括：
M个存储器子块，M为大于1的整数，每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元，通过刷新操作刷新这些单元；以及
部分阵列自刷新配置寄存器(PASR)，用于在自刷新模式中单独控制M个存储器子块的每一个的刷新；
命令控制器，用于接收命令信号并向PASR提供配置控制时钟，其中PASR包括用于锁存从M个输入引脚输入的M位刷新数据的M个触发器。
2.权利要求1的DRAM设备，还包括：
第一地址产生电路，用于在所述自刷新模式中产生N个第一地址，N为整数。
3.权利要求2的DRAM设备，还包括：
地址控制电路，用于响应N个第一地址和M位刷新数据的逻辑组合控制所述存储器子块的刷新。
4.权利要求3的DRAM设备，其中，所述地址控制电路包括：
第一地址译码电路，包括
M个译码电路，用于译码所述第一地址来产生M个所译码的第一地址输出，和M个逻辑电路，用于逻辑组合所述M个所译码的第一地址输出和所述M位刷新数据，从而产生M个第一地址。
5.权利要求4的DRAM设备，还包括：
第二地址产生电路，用于产生地址，所述第二地址产生电路包括M个译码电路，用于译码所述第二地址来产生M个所译码的第二地址。
6.权利要求5的DRAM设备，其中，所述第一地址译码电路还包括：
子块选择电路，具有
M个选择电路，用于在刷新模式中选择M个所译码的第一地址或者在非刷新模式中选择M个所译码的第二地址，所述M个所选择的地址指定要刷新的存储器子块。
7.权利要求6的DRAM设备，其中：
所述第一地址产生电路包括内部地址发生器，用于产生内部地址作为所述第一地址；
和
所述第二地址产生电路包括外部地址发生器，用于产生外部地址作为所述第二地址。
8.权利要求7的DRAM设备，其中：
命令控制器通过寄存器控制所述输入数据的锁存并探测所述刷新模式，响应所述刷新模式的探测来控制所述地址产生电路的地址的产生和由所述子块选择电路的选择。
9.权利要求8的DRAM设备，其中，所述命令控制电路包括：
模式探测电路，用于探测DRAM设备中的自刷新模式。
10.权利要求1的DRAM设备，还包括：
第一地址产生电路，用于在刷新模式中产生第一地址；和
第二地址产生电路，用于产生外部地址。
11.权利要求10的DRAM设备，还包括：
子块地址控制电路，用于响应第一地址、第二地址和所述M位刷新数据的逻辑组合来控制所述存储器子块的刷新。
12.权利要求11的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路包括：
选择电路，用于在刷新模式中选择第一地址或者在非刷新模式中选择第二地址用于产生所选择的地址。
13.权利要求12的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路还包括：
地址译码电路，用于译码所选择的地址来产生M个所译码的地址。
14.权利要求13的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路还包括：
子块选择电路，用于逻辑组合所述M个所译码的地址和所述M位刷新数据以产生指定要刷新的存储器子块的M个所选择的地址。
15.权利要求14的DRAM设备，其中：
所述选择电路包括N个选择器，用于选择所述N个第一地址或者N个第二地址来产生N个所选择的地址；
所述地址译码电路包括M个逻辑电路，用于译码所述N个所选择的地址来产生M个所译码的地址；和
所述子块选择电路包括M个逻辑电路，用于逻辑组合所述M个所译码的地址和M位刷新数据以产生M个所选择的地址。
16.权利要求15的DRAM设备，其中：
所述第一地址产生电路包括内部地址发生器，用于产生内部地址作为所述第一地址；
和
所述第二地址产生电路包括外部地址发生器，用于产生外部地址作为所述第二地址。
17.权利要求16的DRAM设备，其中：
所述命令控制器探测所述刷新模式，响应所述刷新模式的探测来控制所述地址产生电路的地址的产生和由所述选择电路的选择。
18.一种用于刷新包括M个存储器子块的动态随机存取存储器设备(DRAM)的方法，M为大于1的整数，每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元，在自刷新模式中刷新所述单元，所述方法包括：
接收命令信号并向部分阵列自刷新(PASR)配置寄存器提供配置控制时钟，并且把从M个输入引脚输入的M位刷新数据锁存到PASR的M个触发器中；
在自刷新模式中单独控制每一个存储器子块的刷新。
19.权利要求18的方法，还包括提供用于选择所述子块的地址信号。
20.权利要求19的方法，还包括：
锁存所述M位刷新数据，每一数据被独立锁存。
21.权利要求20的方法，还包括：
在刷新模式中产生地址；并且
译码所述地址以产生与所述M位刷新数据逻辑组合的M个地址，使得提供M个所译码的地址用于选择所述M个子块。
22.一种在刷新模式和非自刷新模式中选择性操作的动态随机存取存储器设备中使用的刷新控制器，所述DRAM设备包括M个存储器子块，M为大于1的整数，每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元，在刷新模式中刷新这些单元，所述刷新控制器包括：
刷新电路，用于根据来自M个输入引脚的独立设置的M位刷新数据在刷新模式中控制存储器子块的刷新。
23.权利要求22的刷新控制器，还包括：
配置电路，用于响应输入数据配置所述M位刷新数据，由所述输入数据独立设置所述M位刷新数据。
24.权利要求22的刷新控制器，其中，所述配置电路包括：
用于保持所述输入数据的锁存电路，根据所保持的输入数据产生所述M位刷新数据。