如本领域的技术人员公知的，存储在诸如动态随机访问存储器(DRAM) 单元的易失存储器单元中的数据，可能随时间丢失。特别地，存储器单元存 储信号电平(如电压电平)，该信号电平表示存储在单元中的数据的值。例如， 在某些易失存储器设备中，源电压电平可以表示逻辑‘1’的数据值，以及地 电压电平可以表示逻辑‘0’的数据值。不幸的是，公知的存储器单元泄漏现 象可能使存储的信号电平随时间降低。除非采取修正措施，存储的信号电平 可能最终降低，使得它表示这样的数据值：该数据值不同于最初存储在存储 器单元中的数据值。例如，如果不适当地保持存储的信号电平，源电压电平 (逻辑‘1’)可能随着时间的流逝充分下降，以致达到地电压电平(逻辑‘0’)。
为了保持存储的信号电平，包含一个或更多易失存储器单元的集成电路 可以周期性地执行刷新操作。在易失存储器设备中的一般刷新周期期间，读 出放大器读取存储在存储器单元中的数据，放大读取的信号电平到希望的值， 然后存储(重写)作为结果的信号电平回到存储器单元中。
在包括易失存储器单元的集成电路的正常操作期间，包括集成电路的电 子系统周期性地产生自动刷新命令，该命令启动易失存储器单元上的刷新操 作。集成电路可以包括刷新地址计数器(或地址产生器)，它用于指定，例如， 准备要刷新的存储器单元的行。为响应自动刷新命令，集成电路执行自动刷 新操作。自动刷新操作期间，集成电路可以，例如，刷新被寻址行的存储器 单元，然后将计数器值加1或减1，使得下一个自动刷新操作将刷新下一行 的存储器单元。所有行被刷新之后，可以重新初始化计数器，使得集成电路 可以重复刷新过程。将会认识到，一次可以刷新比一行的存储器单元更多或 更少的存储器单元，并且作为特定刷新操作的部分，可以使用其它方法用于 选择要刷新的存储器单元。
可以选择刷新易失存储器中的所有存储器单元花费的时间周期，从而确 保数据不因为可能发生在易失存储器设备中的上述存储的信号电平的降低， 而从存储器单元丢失。例如，包括4096行存储器单元的集成电路可以，例如， 每64毫秒至少刷新每个存储器单元一次。因此，为刷新该特定集成电路中的 所有行的存储器单元，电子系统每64毫秒至少执行4096个自动刷新操作。
按照惯例，周期性地产生自动刷新命令的电子系统通常使用基于软件的 自动刷新控制逻辑这样做。在电子系统中包含这种逻辑使电子系统的软件/硬 件负载增大。

依照本发明的实施例，提供了用于刷新易失存储器设备中多个存储器单 元的方法。依照这些方法，可以响应于自动刷新模式激活命令激活易失存储 器设备的自动刷新模式。其后，可以响应于自动刷新命令，在多个存储器单 元上执行自动刷新操作。在这些方法中，当接收到自动刷新命令时，如果设 置自动刷新模式，可以响应于自动刷新命令只执行自动刷新操作。
自动刷新模式激活命令和自动刷新命令可以从第二存储器设备接收。另 外，所述方法也可以包括：从第二存储器设备发送对总线的占用请求到主机 设备。自动刷新模式激活命令和自动刷新命令可以在第二存储器设备内产生。 在本发明的这样的实施例中，可以通过总线从第二存储器设备转发自动刷新 模式激活命令和自动刷新命令到易失存储器设备。
在这些方法的某些实施例中，自动刷新模式激活命令可以从第二存储器 设备转发到易失存储器设备的模式检测器。同样地，自动刷新命令可以从第 二存储器设备转发到易失存储器设备的命令译码器。可以激活第一控制信号， 该第一控制信号指示响应于由模式检测器对自动刷新模式激活命令的接收而 设置自动刷新模式。其后，命令译码器可以响应于第一控制信号的接收和自 动刷新命令的激活而启动自动刷新操作。
所述方法也可以包括：至少部分地根据存储在第二存储器设备的多个非 易失存储器单元中的自动刷新定时信息，确定何时从第二存储器设备转发自 动刷新模式激活命令到易失存储器设备。在某些实施例中，在从第二存储器 设备转发自动刷新模式激活命令到易失存储器设备之后，从第二存储器设备 转发自动刷新命令到易失存储器设备。在上述方法的某些实施例中，可以响 应于自动刷新操作的完成，而去激活易失存储器设备的自动刷新模式。
依照本发明的进一步的实施例，提供包括第一存储器设备的存储器系统， 该第一存储器设备包括存储器单元阵列和第一电路，该第一电路被配置用于 启动对存储器单元阵列的存储器单元的自动刷新操作。该存储器系统还包括 自动刷新控制电路，配置该自动刷新控制电路以产生提供给第一存储器设备 的自动刷新模式激活命令。第一电路可以包括命令译码器，该译码器被配置 用于如果设置自动刷新模式，则响应于自动刷新命令启动自动刷新操作。在 这些系统中，第一存储器设备也可以包括模式译码器，该模式译码器被配置 用于响应于自动刷新模式激活命令的接收而设置第一存储器设备的自动刷新 模式。
在这些存储器系统的某些实施例中，自动刷新控制电路可以是第二存储 器设备的一部分，该第二存储器设备还包括非易失存储器阵列和定时信号产 生器，该非易失存储器阵列存储与自动刷新操作有关的信息。该自动刷新控 制电路也可以被配置用于产生自动刷新命令。上述存储器系统可以与主机和 总线组合工作，该总线运载主机、第一存储器设备和第二存储器设备之间的 信息。在这样的组合系统中，第二存储器设备在转发自动刷新模式激活命令 给第一存储器设备之前，可以发送总线占用请求给主机。第二存储器设备在 接收到对总线占用请求的确认时，可以顺序地产生自动刷新模式激活命令和 自动刷新命令。
在这些存储器系统的某些中，模式译码器可以被配置用于响应于自动刷 新模式激活命令的接收而通过激活第一控制信号设置自动刷新模式。第一存 储器设备也可以被配置用于在完成自动刷新操作之后退出自动刷新模式。命 令译码器可以保持对从主机转发的读和写命令的响应，但是只有设置自动刷 新模式，才可以响应自动刷新命令。
在这些存储器系统的某些中，第一存储器设备可以是动态随机访问存储 器，并且自动刷新控制电路可以是包括非易失存储器单元阵列的第二存储器 设备的一部分。
依照本发明的进一步的实施例，提供包括自动刷新控制单元的动态随机 访问存储器(“DRAM”)设备，该自动刷新控制单元被配置用于响应于自动 刷新模式激活命令而设置动态随机访问存储器设备的自动刷新模式，并响应 于自动刷新命令和自动刷新模式的设置而激活自动刷新使能信号。这些 DRAM设备还包括存储器核心，该存储器核心被配置用于响应于自动刷新使 能信号而执行自动刷新操作。在这些DRAM设备中，自动刷新控制单元可以 包括模式检测器和命令译码器，该模式检测器被配置用于响应自动刷新模式 激活命令而激活第一控制信号；该命令译码器只有激活第一控制信号，才响 应于自动刷新命令产生自动刷新使能信号。
还是依照本发明的进一步的实施例，提供用于操作存储器系统的方法， 该存储器系统包括第一存储器设备、第二存储器设备和主机。依照这些方法， 从第二存储器设备转发自动刷新模式激活命令到第一存储器设备。然后可以 响应于自动刷新模式激活命令的接收而设置第一存储器设备的自动刷新模 式。从第二存储器设备转发自动刷新命令到第一存储器设备。在这些方法中， 如果响应于自动刷新命令的接收而设置第一存储器设备的自动刷新模式，则 可以在第一存储器设备的存储器单元上执行自动刷新操作。
依照本发明的另外的实施例，提供用于操作存储器系统的方法，该存储 器系统包括第一存储器设备、第二存储器设备和主机。依照这些方法，第二 存储器确定自动刷新操作应该在第一存储器上执行。其后，总线占用请求从 第二存储器发送到主机。总线占用请求被确认之后，模式设置命令和模式设 置值从第二存储器转发到第一存储器。然后，根据模式设置命令和模式设置 值设置第一存储器的自动刷新模式。然后，在将自动刷新命令从第二存储器 转发到第一存储器之后，在第一存储器执行自动刷新命令。
还是依照本发明的进一步的实施例，提供逻辑嵌入存储器，其包括振荡 器、自动刷新控制器和与主机的接口，该自动刷新控制器被配置用于至少根 据来自振荡器的振荡信号确定是否应该在第二存储器设备上执行自动刷新操 作，该接口被配置用于从自动刷新控制器转发总线占用请求到主机以及从主 机转发总线占用请求确认到自动刷新控制器。在这些逻辑嵌入存储器中，可 以配置自动刷新控制器以产生自动刷新模式设置命令和自动刷新命令。逻辑 嵌入存储器也可以包括非易失存储器，该非易失存储器存储与第二存储器设 备的自动刷新操作的定时有关的信息，自动刷新控制器使用该信息确定是否 自动刷新操作应该在第二存储器设备上执行。
附图说明
附图说明了本发明的某些实施例，该附图被包括用于提供对本发明的进 一步的理解，并且被合并以及构成本申请的一部分，在附图中：
图1是根据本发明实施例的存储器系统的示意性方块图；
图2是根据本发明实施例的图1中说明的第一存储器的示意性方块图；
图3是说明根据本发明实施例的存储器系统的操作的时序图；
图4是是说明根据本发明实施例的存储器系统的操作的流程图。

现在将参照附图在下文中更充分地说明本发明的实施例，在该附图中显 示了本发明的实施例。然而，本发明可以以很多不同的形式实施，并且不应 该被解释为受限于在此提出的实施例。更准确地说，提供这些实施例，使得 本公开将会彻底和完整，并且将充分传达本发明的范围给本领域的技术人员。 在全文中相同的编号指相同的元件。
要理解到，虽然这里可以使用术语第一、第二等说明不同元件，这些元 件应该不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件与另一个。例如， 第一元件可以称为第二元件，类似地，第二元件可以称为第一元件，而没有 脱离本发明的范围。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多相关联的 列出的项目的任何和所有组合。
这里使用的术语只是为了说明特定的实施例，并且不旨在限制本发明。 如这里使用的，单数形式“一”、“一”、“该”(“a”、“an”和“the”)旨在也 包括复数形式，除非上下文清楚地另有所指。将进一步理解到，术语“包含 (comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)” 当在此使用时，指定叙述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在， 但是不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它 们的组的存在或添加。
除非另外定义，所有在此使用的术语(包括技术的和科学的术语)具有 与本发明所属的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同。将进一步理解 到，如在通常使用的词典中定义的那些术语，应该被解释为具有与它们在相 关领域的环境中的含义一致的含义，并且除非在此明确地如此定义，将不被 解释为理想化或过分正式的意义。
也在此参照根据本发明的实施例的方法和系统的流程图说明和/或方块 图，描述本发明的各实施例。将理解到，流程图说明和/或方块图的各种方块 (以及方块的组合)可以实现为实现流程图和/或方块图块中指定的功能/动作 的全部硬件实施例、全部软件实施例或组合软件和硬件方面的实施例(在此 通常全部称为“电路”)。
图1是根据本发明实施例的存储器系统的示意性方块图。如图1中所示， 存储器系统1000可以包括：主机200(它也可以称为“芯片集(chipset)”)、 第一存储器400和第二存储器600。在图1描述的特定实施例中，第一存储 器400是动态随机访问存储器(DRAM)，而第二存储器是非易失存储器，如 例如NAND快闪存储器。可以在多芯片封装(MCP)或分开的各集成电路中 实施第一和第二存储器400和600。对本领域的技术人员也将显而易见的是： 许多其它构造是可能的，并且图1仅仅旨在描述根据本发明的存储器系统的 示范性实施例。
如图1中所示，第一存储器400可以通过总线1001连接到主机200以及 第二存储器600。总线1001可以包括多条控制信号线(例如，/CS、/CAS、 /RAS、/WE、CKE等)、地址信号线和数据信号线。第一存储器400可以包 括，例如接口410、模式检测器420、命令译码器430和存储器核心(memory core)440。接口410接收通过总线1001传递的信息(如例如，命令、地址、 数据等)，并且提供接收到的信息给模式检测器420、命令译码器430和/或第 一存储器400的其它组件。模式检测器420存储例如通过接口410提供的模 式设置值(该模式设置值可以用于设置自动刷新模式)。在本发明的某些实施 例中，模式检测器420可以响应于设置自动刷新模式的模式设置命令(这里 也称为“自动刷新模式激活命令”)存储这样的模式设置值，并且可以进而激 活控制信号AUTO_OK。例如可以通过地址针脚或通过数据针脚提供模式设 置值。如本领域的技术人员公知的，可以通过控制信号，如例如/CS、/RAS、 /CAS和/WE控制信号的组合表示模式设置命令。在一个特定的实施例中，模 式设置命令可以通过设置/CS、/RAS、/CAS和/WE控制信号为低状态来实现。
也如图1中所示，命令译码器430可以响应于从模式检测器420提供的 控制信号AUTO_OK运行。可以使用命令译码器430对通过例如接口410输 入到存储器400的命令译码。例如，在本发明的某些实施例中，当控制信号 AUTO_OK被激活时，命令译码器430响应于通过接口410输入的自动刷新 命令激活自动刷新使能信号AUTO_EN。如在此将更详细说明的，当自动刷 新使能信号AUTO_EN被激活时，存储器核心440中一行或更多行的存储器 单元被刷新。如果去激活(deactivate)控制信号AUTO_OK，则即使通过接口 410输入自动刷新命令，命令译码器430也将不激活自动刷新使能信号 AUTO_EN。因此，只有控制信号AUTO_OK被激活，命令译码器430才响 应于自动刷新命令激活自动刷新使能信号AUTO_EN。也如图1中所示，命 令译码器430完成自动刷新操作时可以激活控制信号AUTO_END。当去激活 控制信号AUTO_END时，可以重新初始化存储在模式检测器420中的信息。
在图1中说明的实施例中，当通过接口410输入除了自动刷新命令的命 令，如例如激活命令、读/写命令、自刷新命令等时，命令译码器430将正常 处理输入命令，而不管控制信号AUTO_OK的状态(即，激活或去激活)。
如图2所示，在本发明的某些实施例中，第一存储器400的存储器核心 440可以包括地址产生器441、行译码器(选择器)442、存储器单元阵列443 和读出放大器444。可以使用地址产生器441响应于自动刷新使能信号 AUTO_EN的激活使行地址加(或减)1。可以使用行译码器442响应于由地 址产生器441产生的行地址(或刷新地址)在存储器单元阵列443的行中选 择一行或更多行。可以使用读出放大器444(它可以是读出放大器的阵列) 从选择的行的存储器单元读数据，并且重写读取的数据到选择的行的存储器 单元，而不输出数据到外部电路。可以以这种方式刷新选择的行的存储器单 元。尽管未在附图中显示，但是对本领域的技术人员应该显然：在存储器核 心440中也可以提供公知的组件，如例如I/O电路、行选择电路等。
重新参照图1，第二存储器600通过总线1001连接到第一存储器400。 在图1说明的实施例中，第二存储器600包括第一接口610、刷新信息存储 块620、振荡器630、自动刷新控制器640和第二接口650。尽管未在图1显 示，但是第二存储器600还可以包括非易失存储器单元阵列、控制阵列读/写 操作的控制器和用于与主机200接口的接口。或者，第二存储器600可以配 备易失存储器单元阵列和用于控制阵列读/写操作的控制器。如果第二存储器 600是非易失存储器，存储在刷新信息存储块620中的信息可以存储在第二 存储器600的非易失存储器单元阵列(未显示)中，并且在加电时存储在非 易失存储器单元阵列中的刷新信息可以自动传递到刷新信息存储块620。或 者，在加电模式中可以从主机200提供存储的刷新信息。
可以使用刷新信息存储块620存储有关自动刷新操作的信息，如例如自 动刷新时间tREF和/或执行刷新操作的次数。可以使用振荡器630产生用于 控制自动刷新操作的振荡信号POSC。自动刷新控制器640响应于来自刷新 信息存储块620的自动刷新信息和振荡信号POSC产生模式设置命令和自动 刷新命令。例如，响应振荡信号POSC，自动刷新控制器640确定是否应该 对第一存储器400执行自动刷新操作，如果应该，则产生刷新请求信号 REF_REQ。当响应刷新请求信号REF_REQ而输入刷新确认信号REF_ACK 时，自动刷新控制器640产生模式设置命令和模式设置值，并且在预先确定 的时间(例如，两个时钟周期之后)过去之后继续产生自动刷新命令。由自 动刷新控制器640产生的模式设置值和模式设置命令通过总线1001传递到第 一存储器400。第一存储器400的模式检测器420响应于模式设置命令而存 储该模式设置值。第二接口650输出作为总线请求信号DREQ的刷新请求信 号REF_REQ到主机200，并且从主机200输出总线确认信号DACK到自动 刷新控制器640作为刷新确认信号REF_ACK。
因为第二存储器600包括逻辑电路，它可以称为“逻辑嵌入存储器”。
图3是说明根据本发明的某些实施例的存储器系统的自动刷新操作的时 序图。图4是说明根据本发明的某些实施例的存储器系统的自动刷新操作的 流程图。
如在图4的块S100所示，响应来自振荡器630的振荡信号POSC，第二 存储器600的自动刷新控制器640确定是否第一存储器400应该执行自动刷 新操作。自动刷新控制器640可以根据从刷新信息存储块620得到的自动刷 新信息确定自动刷新操作应该发生的时间。例如，自动刷新控制器640可以 计数振荡信号POSC以确定何时产生下一个自动刷新命令。当用于执行第一 存储器400中的自动刷新操作的时间到达时，第二存储器600发送总线占用 请求到主机200(图4的块S120)。例如，这可以通过自动刷新控制器640产 生并发送脉冲刷新请求信号REF_REQ到接口650来实现。然后，接口块650 响应于刷新请求信号REF_REQ设置总线请求信号DREQ为低电平。响应总 线请求信号中的这种变化，主机200激活总线确认信号DACK到高电平。响 应激活的总线确认信号DACK，接口650产生脉冲刷新确认信号REF_ACK。
响应刷新确认信号REF_ACK的激活，自动刷新控制器640产生模式设 置值和模式设置命令，在本发明的实施例中，这可例如通过设置/CS、/WE、 /RAS和/CAS控制信号为低电平实现(图4的块S140)。通过第一接口610 装载模式设置值和模式设置命令到总线1001上，并且装载的模式设置值和命 令通过第一存储器400的接口410传递到模式检测器420。响应模式设置命 令，模式检测器420存储模式设置值并且激活控制信号AUTO_OK。其后， 自动刷新控制器640产生自动刷新命令(图4的块S160)，并且将产生的自 动刷新命令通过第一接口610、总线1001和接口410传递到命令译码器430。 响应自动刷新命令，对第一存储器400执行自动刷新操作(图4的块S180)。 特别地，当控制信号AUTO_OK信号被激活时，命令译码器430响应于输入 的自动刷新命令以脉冲形式产生自动刷新使能信号AUTO_EN。响应自动刷 新使能信号AUTO_EN，刷新存储器核心440中的一行或更多行的存储器单 元。刷新时间过去之后，命令译码器430激活控制信号AUTO_END(图4的 块S200)。这导致模式检测器块420的初始化。即，去激活控制信号 AUTO_OK。其后，无论何时要求自动刷新操作，自动刷新控制器640以和上 面相同的方式执行总线请求操作、模式设置操作和自动刷新操作。
如果主机200产生自动刷新命令，则将产生的自动刷新命令传递到第一 存储器400的模式检测器420。此时，因为输入自动刷新命令之前模式检测 器块420没有被设置为上述模式设置值，所以控制信号AUTO_OK保持在去 激活的状态。结果，命令译码器430不响应从主机200提供的自动刷新命令， 因为第一存储器400不认识由主机200产生的自动刷新命令。
因此，根据本发明实施例的存储器系统允许从主机200移除产生自动刷 新命令的功能。结果，可以减轻主机的硬件和软件负担。可以根据从第二存 储器600提供的自动刷新命令执行这些存储器系统中第一存储器400的自动 刷新操作。因此，支持自动刷新功能的主机和不支持自动刷新功能的主机都 能通过这些存储器系统使用。
在本发明的实施例中，可以配置模式检测器420以产生脉冲形式的控制 信号AUTO_OK。或者，可以配置模式检测器块420以产生控制信号 AUTO_OK，该控制信号AUTO_OK在模式设置命令输入时被激活，然后在 控制信号AUTO_END激活时被去激活。在这种情况下，命令译码器430在 控制信号AUTO_OK激活期间可以接收自动刷新命令。
在附图和说明书中，已经公开了本发明的典型实施例，并且虽然使用特 定的术语，它们只以一般的和描述性的意义使用并且不是为了限制，本发明 的范围在权利要求中提出。