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    • 6. 发明专利
    • 半導体装置の製造方法
    • 半导体器件制造方法
    • JP2015213201A
    • 2015-11-26
    • JP2015165626
    • 2015-08-25
    • 日東電工株式会社
    • 清水 祐作秋月 伸也小田 高司豊田 英志松村 健
    • H01L21/56H01L23/12
    • H01L24/96H01L24/19H01L21/568H01L2224/04105H01L23/3135H01L2924/18162
    • 【課題】 半導体チップの汚染が少なく、且つ、生産効率のよい半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体チップを準備する工程Aと、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程Bと、半導体チップを熱硬化型樹脂層に埋め込む工程Dとを具備し、半導体チップは、回路形成面を有し、回路形成面には、導通部材が形成されており、工程Dは、樹脂シートの熱硬化型樹脂層と半導体チップの回路形成面とを対向させた状態で、半導体チップを熱硬化型樹脂層に埋め込む工程であり、さらに、工程Dよりも後の工程において、導通部材を露出させる工程と、熱硬化型樹脂層上に、露出した導通部材と接続する再配線を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。 【選択図】 図2
    • 要解决的问题:提供一种半导体芯片的污染较少的半导体器件制造方法,并提高制造效率。解决方案:一种半导体器件制造方法,包括:制备半导体芯片的工艺A; 制备具有热固性树脂层的树脂片的方法B; 以及将半导体芯片嵌入热固性树脂层的工序D。 半导体船具有电路形成面; 并且在电路形成表面上形成导电组合物; 处理D是将树脂片的热固性树脂层和半导体芯片的电路形成面相互相对的状态嵌入半导体芯片的工序。 此外,工序D之后的工序包括使导电成分露出的过程和在热固性树脂层上形成的工序,再与布线的导电成分连接。
    • 7. 发明专利
    • 中空封止用樹脂シート、及び、中空パッケージの製造方法
    • 中空密封树脂板和中空包装的制造方法
    • JP2015128148A
    • 2015-07-09
    • JP2014216247
    • 2014-10-23
    • 日東電工株式会社
    • 豊田 英志清水 祐作土生 剛志市川 智昭
    • H01L23/08H01L23/02
    • 【課題】 電子デバイスを好適に中空封止用樹脂シートに埋め込みでき、且つ、被着体と 電子デバイスとの間の空隙には、封止用樹脂シートを構成する材料が流入し難い中空封止 用樹脂シートを提供すること。 【解決手段】 無機充填剤を56体積%以上の含有量で含み、無機充填剤の粒度分布にお いて、製造する中空パッケージの中空部の幅を超えるものが90体積%より多く、基板に 複数のチップがフリップチップ接続されたテスト基板を用い、テスト基板上に、中空封止 用樹脂シートを配置した後、中空封止用樹脂シート側から70℃、圧力1kgf/cm 2 、真空度10Torrにて加圧した際の、中空封止用樹脂シートを構成する材料のチップ 間への進入速度Aと、中空封止用樹脂シートを構成する材料の間隙への進入速度Bとの比 A/Bが5以上である。 【選択図】 図1
    • 要解决的问题:提供一种可适当地嵌入电子设备的中空密封树脂片,并且构成密封树脂片的材料几乎不流入被粘物和电子器件之间的间隙。解决方案:包含 含量为56体积%以上的无机填料,其粒径分布为超过制造中空包装件的中空部分的宽度的颗粒大于90体积%,倒装芯片 - 连接到多个芯片。 在试验基板上设置中空密封树脂片之后,当中空密封树脂片侧在70℃,压力为1kgf / cm,真空度为10托时施加压力时,比例A / B 进入速度A到组成中空密封树脂片的材料的芯片之间的间隙到进入速度B到组成中空密封树脂片材料的间隙中的间隙等于或大于5。