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3. 发明专利

JP6344552B2 機能素子、電子機器、および移動体有权
公开(公告)号：JP6344552B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014086583
申请日：2014-04-18
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：田中悟
IPC分类号： G01P15/08 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0018 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0118 , B81B2207/097 , B81C1/00158 , B81C2203/0109 , G01C19/5656 , G01L9/0042 , H01L21/76205 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L2224/0212 , H01L2924/15 , H01L2924/351

4. 发明专利

JP2018085413A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018085413A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016227019
申请日：2016-11-22
申请人：株式会社村田製作所
发明人：小林一也 , 佐野雄一 , 徳田大輔 , 徳矢浩章
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/12 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L24/02
摘要：【課題】ワイヤの接続不良を低減し、信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板2、第1金属層4、絶縁膜層6、有機物層7および第2金属層8を備えている。第1金属層4、絶縁膜層6、有機物層7および第2金属層8は、半導体基板2の表面2Aに順次積層されている。第1金属層4と第2金属層8は、絶縁膜層6および有機物層7に形成されたビア6A,7Aを通じて電気的に接続されている。第2金属層8には、ビア6A,7Aと対応した位置に電極パッド8Aが形成されている。半導体基板2の表面2Aと第1金属層4との間の界面には、ビア6A,7Aの直下に位置して断面台形状のパッチ部10が形成されている。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2017519372A 集積回路パッケージ基板审中-公开
公开(公告)号：JP2017519372A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2017507672
申请日：2014-04-25
申请人：インテルコーポレイション , インテルコーポレイション
发明人：マヌシャロウ，マシュー，ジェイ． , ウッド，ダスティン，ピー． , マリック，デベンドラ
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/50 , G06F17/5068 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/14133 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本開示の実施形態は、複数の異なるパッケージ構成に適応することが可能なダイを設計し組み立てる技術及び構成に関している。1つの実施形態においては、集積回路(IC)ダイは半導体基板を含んでいてもよい。ダイは、半導体基板の上に配置されている電気的絶縁材料と、電気的絶縁材料の中に配置され、電気的絶縁材料を介して電気信号をルーティングする複数の電気的ルーティング特徴と、電気的絶縁材料の表面に配置されている複数の金属特徴とを含んでいてもよい。いくつかの実施形態においては、複数の金属特徴は、複数の電気的ルーティング特徴と電気的に結合されていてもよい。さらに、複数の金属特徴は、入力/出力(I/O)密度を有し、入力/出力(I/O)密度は、ダイが複数の異なるパッケージ構成を使用して集積されることが可能であるように設計されていてもよい。他の実施形態は明細書において説明され、特許請求の範囲に記載される。

7. 发明专利

JP2017103458A 集積チップおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017103458A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016229821
申请日：2016-11-28
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：高敏峰 , 楊敦年 , 黄 ▲しゅん▼瑩 , 劉人誠
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/12 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76804 , H01L21/76832 , H01L21/76883 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2224/02313 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13183 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2924/01013
摘要：【課題】裏面側基板貫通ビア(BTSV)を備える集積チップおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ある実施形態では、本発明は、金属配線層と裏面側導電性ボンドパッドとの間に直接物理的に接続された裏面側シリコン貫通ビア(BTSV)を備える集積チップ(IC)に関する。ICは、基板の前面側上に配置されたレベル間誘電体構造内に配されている金属配線層を備える。基板の裏面側に沿って誘電体層が配され、誘電体層の上に導電性ボンドパッドが配される。BTSVが、金属配線層のうちの1つから基板および誘電体層を貫き導電性ボンドパッドまで延伸する。導電性バンプが導電性ボンドパッド上に配される。導電性ボンドパッドは、BTSVの上から導電性バンプの下まで延伸する実質的に平面状の下面を有する。導電性ボンドパッドがBTSVと直接接続することにより、導電性ボンドパッドのサイズが縮小し、これにより導電性ボンドパッドのルーティング能力が向上する。【選択図】図2

8. 发明专利

JPWO2015159338A1 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015159338A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016513507
申请日：2014-04-14
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：真司渡邉 , 真司渡邉 , 剛木田 , 剛木田 , 善宏小野 , 善宏小野 , 森　健太郎 , 健太郎森 , 賢治坂田 , 賢治坂田 , 山田　裕介 , 裕介山田
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要：一実施の形態による半導体装置は、第1半導体チップの第1裏面上に第2半導体チップが搭載される。また、第1半導体チップの上記第1裏面には、上記第2半導体チップと突起電極を介して電気的に接続される複数の第1裏面電極が形成された第1領域と、上記第1領域よりも周縁部側であり、かつ第1金属パターンが形成された第2領域が含まれる。また、上記第1金属パターンの上記第1裏面に対する突出高さは、上記複数の第1裏面電極のそれぞれの上記第1裏面に対する突出高さよりも低い。

9. 发明专利

JP2017045864A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2017045864A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015167278
申请日：2015-08-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：矢島明
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/12 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L2224/02166 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05644 , H01L2224/4502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L23/293 , H01L24/48 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/364 , H01L2924/365
摘要：【課題】半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】再配線RDL1(RDL2)の配線幅方向の断面視において、配線溝WD1(WD2)の側面には、傾斜部SLP1(SLP2)が形成されている。そして、配線幅方向における配線溝WD1(WD2)の最大開口幅L1(L2)は、配線幅方向における再配線RDL1(RDL2)の最大配線幅W1(W2)よりも大きく、かつ、平面視において、配線溝WD1(WD2)は、再配線RDL1(RDL2)を内包するように形成されている。【選択図】図7
摘要翻译：本发明的一个目的是提高半导体器件的可靠性。甲在再分配RDL1（RDL2）的横截面的布线宽度方向上，布线槽WD1（WD2）的侧表面是倾斜的形成部SLP 1（SLP 2）。然后，在布线宽度方向的最大开口宽度L1布线槽WD1（WD2）的（L2）大于最大布线更大的宽度W1（W2）在布线宽度方向上的再配线RDL1（RDL2），并且，在平面视图中，布线槽WD1（WD2）被形成为包括一个再分配RDL1（RDL2）。点域7

10. 发明专利

JP2017034065A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017034065A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015151935
申请日：2015-07-31
申请人：富士通株式会社
发明人：式部剛広 , ▲濱▼田祐介 , 盛山修
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/822
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/02 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/02372 , H01L2224/0801 , H01L2224/0903 , H01L2224/09152 , H01L2224/09181 , H01L2224/16146 , H01L2224/17152 , H01L2224/1716 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311
摘要：【課題】マイクロバンプ用パッドの信号配線の寄生容量を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】第1の基板と、第1の基板を貫通する第1のビアと、第1の基板の裏面側に形成され第1のビアと接続された第1の裏面側パッドと、第1の基板の表面側に形成された第1の配線層と、第1の配線層の表面側に形成された第1の表面側パッドと、第1の基板に形成された入力回路とを備え、第1の配線層が第1のビアと第1の表面側パッドと入力回路の入力端子とを接続する入力信号配線を備える、第1の半導体と、第2の基板と、第2の基板の表面側に形成された第2の配線層と、第2の配線層の表面側に形成された第2の表面側パッドと、第2の基板に形成された出力回路とを備え、第2の配線層が第2の表面側パッドを出力回路の出力端子に接続する出力信号配線を備える、第2の半導体とを有し、第1の半導体の裏面側に第2の半導体が積層され、第1の半導体の第1の裏面側パッドと第2の半導体の第2の表面側パッドとが互いに接続された、半導体装置。【選択図】図5
摘要翻译：一种半导体器件，能够抑制垫微凸块的信号布线的寄生电容的。和第一衬底，经由第一和经由在所述第一基板通过第一基板延伸的背面侧形成有连接到所述第一的第一背面侧垫，所述包括形成于所述第一基板，形成在所述布线层的所述第一表面侧的第一表面侧焊盘的表面一侧的第一布线层，和形成在第一基板上的输入电路包括输入信号线是在第一布线层连接所述输入电路的输入端子和经由所述第一和所述第一面侧垫，第一半导体，第二基板，第二基板包括形成在形成在第二布线层的表面侧的第二面侧垫的表面侧上的第二布线层，以及形成在第二基板上的输出电路，第二输出信号线层布线连接到第二表面侧垫，第二和半导体的输出电路的输出端子，所述第二半导体层叠在所述第一半导体的背面侧，所述第一半导体第一和背面焊盘和第二半导体的第二表面侧焊盘被连接到彼此，该半导体器件。点域5

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