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1. 发明公开

KR1020130014302A 기판 처리 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130014302A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020110104765
申请日：2011-10-13
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02 , H01L21/6838
摘要： PURPOSE: An apparatus for treating a substrate and a method thereof are provided to stably unload the substrate by removing static electricity generated between a supporting plate and the substrate. CONSTITUTION: A supporting plate supports a substrate and includes multiple holes. A supply line(320) supplies gas to the lower part of the substrate through the holes. An ionizer(340) is installed on the supply line and ionizes the gas supplied from the supply line. A vacuum pressure unit(400) generates vacuum pressure in the holes and then, a control unit(500) controls the ionizer and the vacuum pressure unit to supply the ionized gas to the holes.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置及其方法，通过去除支撑板和基板之间产生的静电来稳定地卸载基板。构成：支撑板支撑基板并且包括多个孔。供应管线（320）通过孔向基材的下部供应气体。电离器（340）安装在电源线上，并将从电源线供给的气体电离。真空压力单元（400）在孔中产生真空压力，然后，控制单元（500）控制离子发生器和真空压力单元以将电离气体提供给孔。

2. 发明公开

KR1020160023999A 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：转移单元，包括单元的基板处理装置以及基板处理方法
公开(公告)号：KR1020160023999A
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020140109226
申请日：2014-08-21
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67715
摘要： 본발명은기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치에있어서기판을제1방향으로반송하는반송유닛과상기반송유닛에의해반송되는기판에액을공급하는액 공급부재를포함하되상기반송유닛은그 길이방향이제1방향으로제공되는반송스테이지와상기반송스테이지의양측에각각제공되어, 상기기판을상기제1방향을따라이동시키는그립퍼부재를포함하고상기그립퍼부재는상기기판의가장자리가놓이는지지판과상기지지판에설치되며상기기판의상부에서바라볼때 상기제1방향과수직한제2방향으로기판의위치를가이드하는가이드부재를포함하는기판처리장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种处理基板的装置。根据本发明的实施例的用于处理基板的设备包括返回单元沿第一方向返回基板; 以及将由所述返回单元返回的所述基板供给溶液的溶液供给部件，其中，所述返回单元包括具有沿所述第一方向的长度方向的返回台和形成在所述返回台的两侧的每一侧的移动基板在第一方向。夹持器构件包括其中位于基板的边缘的支撑板，以及安装在支撑板上的引导构件，并且从基板的上部观察，在与第一方向垂直的第二方向上引导基板的位置。在本发明中提供了返回单元提高涂布方法的效率，用于处理包括其的基板的设备以及用于处理基板的方法。

3. 发明公开

KR1020080047817A 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 有权
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020080047817A
公开(公告)日：2008-05-30
申请号：KR1020060117724
申请日：2006-11-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이명기 , 이우송 , 최태오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： A substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same are provided to reduce the amount of deionized water used in a cleaning device by circulating the deionized water. A substrate processing process is carried out in chambers(200,300). Transfer shafts are arranged in parallel in the chambers, and are provided with plural rollers contacting a substrate(S). A first nozzle(320) sprays deionized water onto the substrate moved by the transfer shafts. A second nozzle(330) is disposed adjacent to a rear end of the first nozzle to supply the deionized water onto the substrate so that fine particles of the deionized water sprayed from the first nozzle is separated from the surface of the substrate.
摘要翻译：提供了使用其的基板处理装置和基板处理方法，以通过循环去离子水来减少清洁装置中使用的去离子水的量。在室内进行基板处理工艺（200,300）。传送轴在室中平行布置，并且设置有与基板（S）接触的多个辊。第一喷嘴（320）将去离子水喷射到由传送轴移动的基板上。第二喷嘴（330）邻近第一喷嘴的后端设置，以将去离子水供应到基板上，使得从第一喷嘴喷射的去离子水的细颗粒与基板的表面分离。

4. 发明授权

KR102134437B1 기판처리방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102134437B1
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：KR1020130104060
申请日：2013-08-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오 , 강성근 , 최효조
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/02 , H01L21/67

5. 发明授权

KR102109947B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102109947B1
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：KR1020130003437
申请日：2013-01-11
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오 , 양진혁 , 최효조
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/683

6. 发明公开

KR1020150025899A 기판처리방법 审中-实审
标题翻译：处理基板的方法
公开(公告)号：KR1020150025899A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130104060
申请日：2013-08-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오 , 강성근 , 최효조
IPC分类号： G09F9/00
CPC分类号： G03F7/0002 , H01L21/02307 , H01L21/67017 , H01L21/6715
摘要： 본 발명의 실시예는 기판 상에 약액을 도포하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판에 약액을 도포하는 방법은 노즐 내부에 제공된 버퍼공간에 잔존하는 기포를 제거하는 기포 제거 단계, 상기 버퍼공간에 압력을 조절하도록 약액을 토출하는 예비 토출 단계, 그리고 상기 노즐이 기판의 상부에서 일방향을 따라 이동하며 약액을 도포하는 도포 단계를 포함하되, 상기 기포 제거 단계 및 예비 토출 단계는 동시에 수행하므로, 기포제거공정에서 소모되는 약액을 줄일 수 있다.
摘要翻译：本发明的一个实施方案提供了一种在基材上施加化学溶液的方法和装置。将化学溶液施加在基材上的方法包括以下步骤：除去留在喷嘴中的缓冲空间中残留的气泡; 预先排出化学溶液以调节缓冲空间的压力; 并且当喷嘴沿着衬底上方的一个方向移动时施加化学溶液。由于除去气泡的步骤和预先排出的步骤同时进行，因此可以减少除去气泡的步骤中的化学溶液的消耗。

7. 发明授权

KR100837628B1 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置及使用其的基板处理方法
公开(公告)号：KR100837628B1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020060117724
申请日：2006-11-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이명기 , 이우송 , 최태오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 기판의 세정 처리를 위해 공급되는 탈이온수를 순환 공급시키는 것을 구성상의 특징으로 가진다. 이러한 특징에 의하면, 세정 장치에서 사용되는 탈이온수의 소모량을 줄일 수 있으며, 또한, 적은 량의 탈이온수를 이용하여 미세 입자들이 건조 챔버로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
기판 세정, 탈이온수, 미세 입자, 건조
摘要翻译：本发明公开了一种用于处理基板的设备和方法，并且具有循环供应用于基板的清洁处理的去离子水的构造特征。根据该特征，可以减少清洁设备中使用的去离子水的消耗，并且可以使用少量的去离子水来防止细颗粒流入干燥室。

8. 发明授权

KR102218382B1 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102218382B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020140109226
申请日：2014-08-21
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치에있어서기판을제1방향으로반송하는반송유닛과상기반송유닛에의해반송되는기판에액을공급하는액 공급부재를포함하되상기반송유닛은그 길이방향이제1방향으로제공되는반송스테이지와상기반송스테이지의양측에각각제공되어, 상기기판을상기제1방향을따라이동시키는그립퍼부재를포함하고상기그립퍼부재는상기기판의가장자리가놓이는지지판과상기지지판에설치되며상기기판의상부에서바라볼때 상기제1방향과수직한제2방향으로기판의위치를가이드하는가이드부재를포함하는기판처리장치에관한것이다.

9. 发明授权

KR101522895B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR101522895B1
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130119188
申请日：2013-10-07
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오 , 강성근 , 최효조
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/06
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로서, 보다상세하게는기판을스테이지에서부상시켜기판을지지한상태로기판에약액을토출하는기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 상면에복수개의홀을가지는스테이지를포함하고, 상기기판을상기스테이지상부로부상시키는기판부상유닛, 상기스테이지의상부에위치하고, 상기기판으로약액을토출하는노즐유닛, 상기기판을파지하고, 상기기판을제1 방향을따라이동시키는파지부재를포함하는기판이동유닛및 상기스테이지상부의이물로부터상기기판을보호하는기판보호유닛을포함하되, 상기기판보호유닛은상기파지부재의상기제1 방향의전단에위치하고, 상기스테이지상에위치하는이물을감지하는센서부재및 상기센서부재와전기적으로연결되어, 상기기판이동유닛의이동을제어하는제어기를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及用于喷射液体药剂，以在状态部在舞台上jijihan基底基板的基板上的装置。根据本发明的一个实施例，其包括具有多个所述顶部表面上的孔的一个阶段中的基板处理装置，基板部分单元，其损伤衬底到阶段顶部，位于该阶段的顶部，所述化学液体到衬底以及抓持部件，用于抓持基板并沿第一方向移动基板，以及基板保护单元，用于保护基板免受台架上部上的水的影响，保护单元是用于控制bujaeui所述第一位于第一方向，一个传感器部件，用于感测设置在舞台和所述传感器元件的水的前端的把持的运动的控制器，并电连接到所述基板传送单元的。

10. 发明公开

KR1020140091315A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
标题翻译：装置和方法处理基板
公开(公告)号：KR1020140091315A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020130003437
申请日：2013-01-11
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최태오 , 양진혁 , 최효조
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/0274 , H01L21/6831 , H01L21/6838
摘要： The present invention relates to a substrate treating apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate treating apparatus which injects a chemical solution to a substrate when the substrate is levitated on a stage and is supported. A substrate treating apparatus according to the embodiment of the present invention includes a stage which has an upper surface where holes are formed, a substrate levitation unit which levitates the substrate on the stage, a nozzle unit which is located on the upper part of the stage and injects the chemical solution to the substrate, a substrate moving unit which holds the substrate and moves the substrate along a first direction, and an impurity removing unit which removes the impurity of the stage. The substrate moving unit is located at both ends of the stage and includes a holding member which holds the substrate. The impurity removing unit is located in front of the holding member in the moving direction of the holding member. The impurity removing unit and the holding member connected to the impurity removing unit move together.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置。更具体地说，本发明涉及一种当基板在台架上悬浮并被支撑时将化学溶液注入基板的基板处理装置。根据本发明的实施例的基板处理装置包括：具有形成有孔的上表面的台，使载置在台上的基板的基板悬浮单元，位于台的上部的喷嘴单元并将该化学溶液注入基板，将基板保持并使基板沿第一方向移动的基板移动单元，除去载物台杂质的杂质除去单元。基板移动单元位于载物台的两端，并且包括保持基板的保持构件。杂质去除单元位于保持构件的前方，在保持构件的移动方向上。杂质去除单元和连接到杂质去除单元的保持构件一起移动。

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