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11. 发明授权

US08174673B2 Method for wafer alignment 有权
标题翻译：晶圆对准方法
公开(公告)号：US08174673B2
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：US12406951
申请日：2009-03-18
申请人： An-Hsiung Liu
发明人： An-Hsiung Liu
IPC分类号： G03B27/42
CPC分类号： G03B27/32
摘要： A method for wafer alignment includes the following steps. First, a wafer including a first material layer and a second material layer on the top of the first material layer is provided, wherein the first material layer includes a first alignment mark. Then, the wafer is aligned in an exposure tool. After that, the second material layer is patterned to form a second alignment mark. Finally, an offset distance between the first alignment mark and the second alignment mark is measured in the exposure tool.
摘要翻译：晶片对准的方法包括以下步骤。首先，提供在第一材料层的顶部包括第一材料层和第二材料层的晶片，其中第一材料层包括第一对准标记。然后，晶片在曝光工具中对准。之后，将第二材料层图案化以形成第二对准标记。最后，在曝光工具中测量第一对准标记和第二对准标记之间的偏移距离。

12. 发明申请

US20060234440A1 ALIGNMENT MARK AND ALIGNMENT METHOD FOR THE FABRICATION OF TRENCH-CAPACITOR DRAM DEVICES 有权
标题翻译：用于制造TRENCH-CAPACITOR DRAM器件的对准标记和对准方法
公开(公告)号：US20060234440A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：US11160683
申请日：2005-07-05
申请人： Yuan-Hsun WU , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
发明人： Yuan-Hsun WU , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/20
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F7/70633 , G03F9/708 , H01L23/544 , H01L27/1087 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
摘要： A small-size (w
摘要翻译：提出了与“k1工艺”结合的小尺寸（w <0.5微米）对准标记，其特别适用于需要高精度AA-DT对准的沟槽电容器DRAM器件的制造。利用“k1工艺”来蚀刻散布在对准标记沟槽中的多晶硅，并且在AA图案转印之前刷新沟槽轮廓，从而提高晶片对准精度和精度。

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