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1. 发明授权

US07205075B2 Method of forming a vertical memory device with a rectangular trench 有权
标题翻译：形成具有矩形沟槽的垂直存储器件的方法
公开(公告)号：US07205075B2
公开(公告)日：2007-04-17
申请号：US10448675
申请日：2003-05-29
申请人： Yu-Sheng Shu , Yuan-Hsun Wu , Chung-Yuan Lee , Shian-Jyh Lin
发明人： Yu-Sheng Shu , Yuan-Hsun Wu , Chung-Yuan Lee , Shian-Jyh Lin
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L21/3083 , H01L27/0207 , H01L27/10864
摘要： A method of forming a vertical memory device with a rectangular trench. First, a substrate covered by a photoresist layer is provided. Next, the photoresist layer is defined by a mask to form a rectangular opening, wherein the mask has two rectangular transparent patterns arranged with a predetermined interval. Next, the substrate is etched using the defined photoresist layer as a mask to form a single rectangular trench and the photoresist layer is then removed. Finally, a trench capacitor and a vertical transistor are successively formed in the rectangular trench to finish the vertical memory device.
摘要翻译：一种形成具有矩形沟槽的垂直存储器件的方法。首先，提供由光致抗蚀剂层覆盖的基板。接下来，通过掩模限定光致抗蚀剂层以形成矩形开口，其中掩模具有以预定间隔布置的两个矩形透明图案。接下来，使用限定的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基板以形成单个矩形沟槽，然后除去光致抗蚀剂层。最后，在矩形沟槽中依次形成沟槽电容器和垂直晶体管，以完成垂直存储器件。

2. 发明授权

US07165233B2 Test ket layout for precisely monitoring 3-foil lens aberration effects 有权
标题翻译：用于精确监测3箔透镜像差效应的测试灯布局
公开(公告)号：US07165233B2
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：US10709075
申请日：2004-04-12
申请人： Yuan-Hsun Wu
发明人： Yuan-Hsun Wu
IPC分类号： G06F17/50 , G01B9/00 , G03C5/00 , H01L21/8242
CPC分类号： G03F7/706 , G03F1/44
摘要： An H-shaped test key layout for exclusively monitoring 3-foil lens aberration effects during the fabrication of deep-trench capacitor memory devices is disclosed. The COMA lens aberration effect that used to occur along with the 3-foil lens aberration effect is now eliminated by this test key layout.
摘要翻译：公开了一种用于在制造深沟槽电容器存储器件期间专门监测3箔透镜像差效应的H形测试键布局。该测试键布局现在消除了与3箔透镜像差效应一起发生的COMA透镜像差效应。

3. 发明申请

US20060240332A1 CHROMELESS PHASE-SHIFTING MASK FOR EQUAL LINE/SPACE DENSE LINE PATTERNS 有权
标题翻译：用于平等线/空间渗透线图案的无色相移掩模
公开(公告)号：US20060240332A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：US11160450
申请日：2005-06-24
申请人： Yung-Long Hung , Yuan-Hsun WU , Chia-Tsung Hung
发明人： Yung-Long Hung , Yuan-Hsun WU , Chia-Tsung Hung
IPC分类号： G06F17/50 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/34 , G03F1/36
摘要： A phase-shifting mask suited for equal line/space, small pitched, dense line pattern is disclosed. The phase-shifting mask includes a transparent substrate, a partially shielded mesa line pattern of first phase formed on the substrate, and a clear recessed line pattern of second phase etched into the substrate and is disposed right next to the partially shielded mesa line pattern. The partially shielded mesa line pattern has a plurality of alternating 5%-10% transmittance light-shielding regions and clear regions of the first phase. The partially shielded mesa line pattern and the clear recessed line pattern have the same line width. The light that passes through the clear regions of the first phase and the light that passes through the clear recessed line pattern of second phase have a phase difference of 180 degree.
摘要翻译：公开了适合于相等的线/空间，小直径，密集线图案的相移掩模。所述移相掩模包括透明基板，在所述基板上形成的第一相的部分屏蔽的台面线图形，以及蚀刻到所述基板中的第二相的清晰凹陷线图案，并且紧邻所述部分屏蔽的台面线图案设置。部分屏蔽的台面线图案具有多个交替的5％-10％的透光遮光区域和第一相的透明区域。部分屏蔽的台面线图案和清晰的凹陷线图案具有相同的线宽。通过第一相的透明区域的光和通过第二相的清晰凹陷线图案的光具有180度的相位差。

4. 发明申请

US20060234440A1 ALIGNMENT MARK AND ALIGNMENT METHOD FOR THE FABRICATION OF TRENCH-CAPACITOR DRAM DEVICES 有权
标题翻译：用于制造TRENCH-CAPACITOR DRAM器件的对准标记和对准方法
公开(公告)号：US20060234440A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：US11160683
申请日：2005-07-05
申请人： Yuan-Hsun WU , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
发明人： Yuan-Hsun WU , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/20
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F7/70633 , G03F9/708 , H01L23/544 , H01L27/1087 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
摘要： A small-size (w
摘要翻译：提出了与“k1工艺”结合的小尺寸（w <0.5微米）对准标记，其特别适用于需要高精度AA-DT对准的沟槽电容器DRAM器件的制造。利用“k1工艺”来蚀刻散布在对准标记沟槽中的多晶硅，并且在AA图案转印之前刷新沟槽轮廓，从而提高晶片对准精度和精度。

5. 发明授权

US06977715B2 Method for optimizing NILS of exposed lines 有权
标题翻译：优化裸露线的NILS的方法
公开(公告)号：US06977715B2
公开(公告)日：2005-12-20
申请号：US10709651
申请日：2004-05-19
申请人： Yuan-Hsun Wu
发明人： Yuan-Hsun Wu
IPC分类号： G03B27/32 , G03B27/42 , G03F1/14
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method for optimizing NILS of exposed lines includes providing a photomask layout which has a first straight line and a second straight line parallel with the first straight line and is applied to a Quasar 90 illumination, and adding a first assist pattern between the first and second straight lines, wherein the first assist pattern has a plurality of geometric patterns with similar size arranging as a line parallel with the first straight line.
摘要翻译：一种用于优化曝光线的NILS的方法包括提供光掩模布局，其具有与第一直线平行的第一直线和第二直线，并被应用于星形90照明，并且在第一与第二直线之间增加第一辅助图案直线，其中第一辅助图案具有排列成与第一直线平行的直线相同尺寸的多个几何图案。

6. 发明申请

US20130161841A1 ALIGNMENT MARK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
标题翻译：对准标记及其制造方法
公开(公告)号：US20130161841A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：US13333272
申请日：2011-12-21
申请人： Chen Ku CHIANG , Yuan Hsun Wu
发明人： Chen Ku CHIANG , Yuan Hsun Wu
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/308
CPC分类号： H01L23/544 , G03F9/7076 , H01L21/31144 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An alignment mark includes a plurality of mark units. Each mark unit includes a first element and a plurality of second elements. Each second element includes opposite first and second end portions. The plurality of second elements are arranged along a direction. The first element extends adjacent to the first end portions of the plurality of second elements and parallel to the direction of the plurality of second elements.
摘要翻译：对准标记包括多个标记单元。每个标记单元包括第一元件和多个第二元件。每个第二元件包括相对的第一和第二端部。多个第二元件沿着一个方向布置。第一元件相邻于多个第二元件的第一端部并且平行于多个第二元件的方向延伸。

7. 发明授权

US08043794B2 Method of double patterning, method of processing a plurality of semiconductor wafers and semiconductor device 有权
标题翻译：双重图案化方法，多个半导体晶片和半导体器件的处理方法
公开(公告)号：US08043794B2
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：US12024872
申请日：2008-02-01
申请人： Christoph Noelscher , Yi-Ming Chiu , Yuan-Hsun Wu
发明人： Christoph Noelscher , Yi-Ming Chiu , Yuan-Hsun Wu
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L27/1052
摘要： A method of double patterning is disclosed. The method includes forming a first photosensitive layer; exposing the first photosensitive layer using a first reticle; developing the first photosensitive layer thereby forming a first image pattern including first elements; forming a second photosensitive layer; exposing the second photosensitive layer using the first reticle; and developing the second photosensitive layer thereby forming a second image pattern.
摘要翻译：公开了双重图案化的方法。该方法包括形成第一感光层; 使用第一掩模版曝光第一感光层; 显影第一感光层从而形成包括第一元件的第一图像图案; 形成第二感光层; 使用第一掩模版曝光第二感光层; 并显影第二感光层从而形成第二图像图案。

8. 发明授权

US07811723B2 Phase-shift mask and method for forming a pattern 有权
标题翻译：相移掩模和形成图案的方法
公开(公告)号：US07811723B2
公开(公告)日：2010-10-12
申请号：US12128617
申请日：2008-05-29
申请人： Kuo-Kuei Fu , Yuan-Hsun Wu , Ya-Chih Wang
发明人： Kuo-Kuei Fu , Yuan-Hsun Wu , Ya-Chih Wang
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/34 , G03F1/28 , G03F7/2022
摘要： A phase-shift mask for forming a pattern includes a glass substrate and a pattern, a first phase-shift region, a second phase-shift region and a third phase-shift region on the glass substrate. The first phase-shift region and the second phase-shift region are alternately arranged and the third phase-shift regions are formed at the terminal ends of the first phase-shift region.
摘要翻译：用于形成图案的相移掩模包括在玻璃基板上的玻璃基板和图案，第一相移区域，第二相移区域和第三相移区域。交替布置第一相移区域和第二相移区域，并且在第一相移区域的末端形成第三相移区域。

9. 发明申请

US20090194840A1 Method of Double Patterning, Method of Processing a Plurality of Semiconductor Wafers and Semiconductor Device 有权
标题翻译：双重图案化方法，多种半导体晶片和半导体器件的处理方法
公开(公告)号：US20090194840A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：US12024872
申请日：2008-02-01
申请人： Christoph Noelscher , Yi-Ming Chiu , Yuan-Hsun Wu
发明人： Christoph Noelscher , Yi-Ming Chiu , Yuan-Hsun Wu
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/26 , H01L21/30 , H01L27/00
CPC分类号： G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L27/1052
摘要： A method of double patterning is disclosed. The method includes forming a first photosensitive layer; exposing the first photosensitive layer using a first reticle; developing the first photosensitive layer thereby forming a first image pattern including first elements; forming a second photosensitive layer; exposing the second photosensitive layer using the first reticle; and developing the second photosensitive layer thereby forming a second image pattern.
摘要翻译：公开了双重图案化的方法。该方法包括形成第一感光层; 使用第一掩模版曝光第一感光层; 显影第一感光层从而形成包括第一元件的第一图像图案; 形成第二感光层; 使用第一掩模版曝光第二感光层; 并显影第二感光层从而形成第二图像图案。

10. 发明授权

US07504184B2 Phase-shifting mask for equal line/space dense line patterns 有权
标题翻译：相移线掩模，用于相等的线/空间密集线图案
公开(公告)号：US07504184B2
公开(公告)日：2009-03-17
申请号：US11160512
申请日：2005-06-27
申请人： Yung-Long Hung , Yuan-Hsun Wu
发明人： Yung-Long Hung , Yuan-Hsun Wu
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/28
摘要： A phase-shifting mask suited for equal line/space, small pitched, dense line pattern is disclosed. The phase-shifting mask includes a transparent substrate, a partially shielded mesa line pattern of first phase formed on the substrate, and a 100% clear recessed line pattern of second phase etched into the substrate and is disposed right next to the partially shielded mesa line pattern. The partially shielded mesa line pattern has a plurality of alternating 45-degree, oblique areas and 100% transmittance clear regions of the first phase. The partially shielded mesa line pattern and the clear recessed line pattern have the same line width. The light that passes through the clear regions of the first phase and the light that passes through the clear recessed line pattern of second phase have a phase difference of 180 degree.
摘要翻译：公开了适合于相等的线/空间，小直径，密集线图案的相移掩模。相移掩模包括透明基板，在基板上形成的第一相的部分屏蔽的台面线图案和蚀刻到基板中的第二相的100％透明凹陷线图案，并且紧邻部分屏蔽的台面线模式。部分屏蔽的台面线图案具有第一相的多个交替的45度倾斜区域和100％透射率清晰区域。部分屏蔽的台面线图案和清晰的凹陷线图案具有相同的线宽。通过第一相的透明区域的光和通过第二相的清晰凹陷线图案的光具有180度的相位差。

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