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一种大功率整流二极管用封装框架

阅读：1018发布：2020-06-02

IPRDB可以提供一种大功率整流二极管用封装框架专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种大功率整流二极管用封装框架，具体涉及二极管用封装框架领域，包括引线框架和塑封体，所述塑封体设置于引线框架外部，所述引线框架包括多个单元框架，所述单元框架包括边框板，所述边框板底部开设有定位槽，所述边框板两侧底部开设有半圆定位孔，所述边框板内侧设有通槽。本发明采用装芯片散热底板中间分开，装芯片底板只与第一内引脚和第三内引脚连接，第二内引脚与装芯片底板断开，三个内引脚通过边框板与三个外引脚相连，可生产共阳极性大功率整流二极管、同向极性大功率整流二极管等，现整流二极管极性大功率输出，满足整流电路中客户不同需求，并且装芯片散热底板结构更改，可封装出多种类型的大功率整流二极管。，下面是一种大功率整流二极管用封装框架专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种大功率整流二极管用封装框架，包括引线框架(1)和塑封体(2)，所述塑封体(2)设置于引线框架(1)外部，其特征在于：所述引线框架(1)包括多个单元框架(3)，所述单元框架(3)包括边框板(4)，所述边框板(4)底部开设有定位槽(5)，所述边框板(4)两侧底部开设有半圆定位孔(6)，所述边框板(4)内侧设有通槽(7)，所述通槽(7)内部设有两端与边框板(4)连接的第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)对应的边框板(4)顶部对应设有第一内引脚(11)、第二内引脚(12)和第三内引脚(13)，所述第一内引脚(11)和第三内引脚(13)顶端分别连接有装芯片散热底板(14)，所述第一内引脚(11)和第三内引脚(13)与装芯片散热底板(14)连接处底部设置有防水槽(15)。

2.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述引线框架(1)由多个单元框架(3)呈一字型排列组成，且多个所述单元框架(3)一体化设置，相邻两个单元框架(3)上的两个半圆定位孔(6)合成一个圆孔，用于定位安装。

3.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述第一外引脚(8)和第三外引脚(10)分别设置于第二外引脚(9)两侧，所述边框板(4)、第一外引脚(8)、第二外引脚(9)、第三外引脚(10)、第一内引脚(11)、第二内引脚(12)、第三内引脚(13)和装芯片散热底板(14)一体化设置，且由高导电导热的铜材制成。

4.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述边框板(4)厚度设置为1.3mm，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)、第三外引脚(10)、第一内引脚(11)、第二内引脚(12)、第三内引脚(13)和装芯片散热底板(14)厚度均设置为0.5mm，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)宽度设置为0.8mm，所述第一内引脚(11)、第二内引脚(12)和第三内引脚(13)宽度设置为1.28mm。

5.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述塑封体(2)一侧壁上设有插孔，所述装芯片散热底板(14)与插孔活动卡接，且第二外引脚(9)、第一外引脚(8)和第三外引脚(10)顶端均延伸至插孔内部，由220全包塑封。

6.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述防水槽(15)截面设置为V形，所述防水槽(15)与插孔相配合。

7.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述装芯片散热底板(14)上表面低于边框板(4)上表面，且高度差值为2.33mm，所述装芯片散热底板(14)下表面上均匀设有多个凹点(17)。

8.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述塑封体(2)远离插孔的一端设有安装孔(18)，所述装芯片散热底板(14)顶端内侧设有半圆孔(16)，两个所述装芯片散热底板(14)上的半圆孔(16)同心设置且与安装孔(18)相对应。

说明书全文

一种大功率整流二极管用封装框架

技术领域

[0001] 本发明涉及二极管用封装框架技术领域，更具体地说，本发明涉及一种大功率整流二极管用封装框架。

背景技术

[0002] 随着物联网时代到来，下游电子产品对芯片的体积要求更加苛刻，同时要求芯片的功耗越来越低，这些都对集成电路封装技术提出了更高的要求，先进的封装技术能够节约PCB板上空间并降低集成电路功耗，将在下游电子产品需求驱动下快速发展。中国优秀的封装企业在BGA、WLCSP、Bumping、FC、TSV、SiP等先进封装领域布局完善，紧跟市场对封装行业的需求，有能力承接全球集成电路产业的订单转移。

[0003] 在集成电路产业中，封装产业相比晶元制造的资本开支要求低很多，根据数据统计，2015年全球半导体设备开支达到410亿美元，其中晶元制造业开支337亿，占比82％，封装测试业开支72亿，占比18％。封装测试由于对于资本开支需求相对较小，更易于率先发展。

[0004] 半导体封装发展的历史证明，封装材料在封装技术的更新换代过程中具有决定性的作用，基本形成了一代封装、一代材料的发展定式。不同的半导体封装方式需要采用不同的引线框架，因此半导体封装方式的发展趋势决定了引线框架的发展趋势。总体上半导体封装方式受表面安装技术的影响在向薄型化、小型化方向发展。

[0005] 传统市场的轴向整流二极管，体积小，散热差，难于在大功率环境下使用，并且引线框架和塑封体之间是机械粘接，如果水气与其他有害杂质，通过框架与塑封料之间的间隙进入塑封体内，在加热时会变成水气，使塑封体受力膨胀，当其力超过塑封体与框架、芯片的粘结力时就会是塑封体与框架、芯片间产生离层或使塑封体开裂。

发明内容

[0006] 为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种大功率整流二极管用封装框架，通过本框架采用装芯片散热底板中间分开，装芯片底板只与第一内引脚和第三内引脚连接，第二内引脚与装芯片底板断开，三个内引脚通过边框板与三个外引脚相连，可生产共阳极性大功率整流二极管、同向极性大功率整流二极管等，现整流二极管极性大功率输出，满足整流电路中客户不同需求，塑封体内的第一内引脚和第三内引脚上增加“V”形防水槽，可有效阻止水气与其他有害杂质进入到芯片，提高产品稳定性、可靠性和使用寿命。

[0007] 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种大功率整流二极管用封装框架，包括引线框架和塑封体，所述塑封体设置于引线框架外部，所述引线框架包括多个单元框架，所述单元框架包括边框板，所述边框板底部开设有定位槽，所述边框板两侧底部开设有半圆定位孔，所述边框板内侧设有通槽，所述通槽内部设有两端与边框板连接的第一外引脚、第二外引脚和第三外引脚，所述第一外引脚、第二外引脚和第三外引脚对应的边框板顶部对应设有第一内引脚、第二内引脚和第三内引脚，所述第一内引脚和第三内引脚顶端分别连接有装芯片散热底板，所述第一内引脚和第三内引脚与装芯片散热底板连接处底部设置有防水槽。

[0008] 在一个优选地实施方式中，所述引线框架由多个单元框架呈一字型排列组成，且多个所述单元框架一体化设置，相邻两个单元框架上的两个半圆定位孔合成一个圆孔，用于定位安装。

[0009] 在一个优选地实施方式中，所述第一外引脚和第三外引脚分别设置于第二外引脚两侧，所述边框板、第一外引脚、第二外引脚、第三外引脚、第一内引脚、第二内引脚、第三内引脚和装芯片散热底板一体化设置，且由高导电导热的铜材制成。

[0010] 在一个优选地实施方式中，所述边框板厚度设置为1.3mm，所述第一外引脚、第二外引脚、第三外引脚、第一内引脚、第二内引脚、第三内引脚和装芯片散热底板厚度均设置为0.5mm，所述第一外引脚、第二外引脚和第三外引脚宽度设置为0.8mm，所述第一内引脚、第二内引脚和第三内引脚宽度设置为1.28mm。

[0011] 在一个优选地实施方式中，所述塑封体一侧壁上设有插孔，所述装芯片散热底板与插孔活动卡接，且第二外引脚、第一外引脚和第三外引脚顶端均延伸至插孔内部，由220全包塑封。

[0012] 在一个优选地实施方式中，所述防水槽截面设置为V形，所述防水槽与插孔相配合。

[0013] 在一个优选地实施方式中，所述装芯片散热底板上表面低于边框板上表面，且高度差值为2.33mm，所述装芯片散热底板下表面上均匀设有多个凹点。

[0014] 在一个优选地实施方式中，所述塑封体远离插孔的一端设有安装孔，所述装芯片散热底板顶端内侧设有半圆孔，两个所述装芯片散热底板上的半圆孔同心设置且与安装孔相对应。

[0015] 本发明的技术效果和优点：

[0016] 1、本发明研发的大功率整流二极管用封装框架采用高导电导热的铜材，厚度1.3mm，保证芯片良好散热，提升产品质量；改变传统的框架结构，本框架采用装芯片散热底板中间分开，装芯片底板只与第一内引脚和第三内引脚连接，第二内引脚与装芯片底板断开，三个内引脚通过边框板与三个外引脚相连，可生产共阳极性大功率整流二极管、同向极性大功率整流二极管等，现整流二极管极性大功率输出，满足整流电路中客户不同需求，并且装芯片散热底板结构更改，可封装出多种类型的大功率整流二极管；

[0017] 2、该引线框架采用220全包塑封，安装方便，不用加云母片等绝缘材料，为客户节约成本，该产品封装的大功率整流二极管国内外市场前景好，具有竞争优势；

[0018] 3、塑封体内的第一内引脚和第三内引脚上增加“V”形防水槽，可有效阻止水气与其他有害杂质进入到芯片，提高产品稳定性、可靠性和使用寿命。

附图说明

[0019] 图1为本发明的单元框架与塑封体塑封后结构示意图。

[0020] 图2为本发明的引线框架结构示意图。

[0021] 图3为本发明的单元框架主视图。

[0022] 图4为本发明的单元框架侧视图。

[0023] 图5为本发明的实施例3中单元框架结构示意图。

[0024] 附图标记为：1引线框架、2塑封体、3单元框架、4边框板、5定位槽、6半圆定位孔、7通槽、8第一外引脚、9第二外引脚、10第三外引脚、11第一内引脚、12第二内引脚、13第三内引脚、14装芯片散热底板、15防水槽、16半圆孔、17凹点、18安装孔、19圆通孔。

具体实施方式

[0025] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0026] 实施例1：

[0027] 本发明提供了如图1-4所示的一种大功率整流二极管用封装框架，包括引线框架1和塑封体2，所述塑封体2设置于引线框架1外部，所述引线框架1包括多个单元框架3，所述单元框架3包括边框板4，所述边框板4底部开设有定位槽5，所述边框板4两侧底部开设有半圆定位孔6，所述边框板4内侧设有通槽7，所述通槽7内部设有两端与边框板4连接的第一外引脚8、第二外引脚9和第三外引脚10，所述第一外引脚8、第二外引脚9和第三外引脚10对应的边框板4顶部对应设有第一内引脚11、第二内引脚12和第三内引脚13，所述第一内引脚11和第三内引脚13顶端分别连接有装芯片散热底板14，所述第一内引脚11和第三内引脚13与装芯片散热底板14连接处底部设置有防水槽15；

[0028] 所述第一外引脚8和第三外引脚10分别设置于第二外引脚9两侧，所述边框板4、第一外引脚8、第二外引脚9、第三外引脚10、第一内引脚11、第二内引脚12、第三内引脚13和装芯片散热底板14一体化设置，且由高导电导热的铜材制成；

[0029] 所述塑封体2一侧壁上设有插孔，所述装芯片散热底板14与插孔活动卡接，且第二外引脚、第一外引脚8和第三外引脚10顶端均延伸至插孔内部，由220全包塑封；

[0030] 所述塑封体2远离插孔的一端设有安装孔18，所述装芯片散热底板14顶端内侧设有半圆孔16，两个所述装芯片散热底板14上的半圆孔16同心设置且与安装孔18相对应。

[0031] 通过改变传统的框架结构，本发明框架采用装芯片散热底板14中间分开，装芯片底板只与第一内引脚11和第三内引脚13连接，第二内引脚12与装芯片底板断开，三个内引脚通过边框板4与三个外引脚相连，可生产共阳极性大功率整流二极管、同向极性大功率整流二极管等，现整流二极管极性大功率输出，满足整流电路中客户不同需求，并且装芯片散热底板14结构更改，可封装出多种类型的大功率整流二极管。

[0032] 实施例2：

[0033] 根据图2-4所示的一种大功率整流二极管用封装框架，所述引线框架1由多个单元框架3呈一字型排列组成，且多个所述单元框架3一体化设置，相邻两个单元框架3上的两个半圆定位孔6合成一个圆孔，用于定位安装；

[0034] 所述边框板4厚度设置为1.3mm，所述第一外引脚8、第二外引脚9、第三外引脚10、第一内引脚11、第二内引脚12、第三内引脚13和装芯片散热底板14厚度均设置为0.5mm，所述第一外引脚8、第二外引脚9和第三外引脚10宽度设置为0.8mm，所述第一内引脚11、第二内引脚12和第三内引脚13宽度设置为1.28mm；

[0035] 根据图4所示的一种大功率整流二极管用封装框架，所述防水槽15截面设置为V形，所述防水槽15与插孔相配合，能更好地阻止在使用过程中的潮气进入到塑封体2内部；

[0036] 所述装芯片散热底板14上表面低于边框板4上表面，且高度差值为2.33mm，所述装芯片散热底板14下表面上均匀设有多个凹点17，便于封装时铜材与环氧树脂结合更牢固。

[0037] 实施例3：

[0038] 与实施例1-2不同的是：

[0039] 本发明提供了如图5所示的一种大功率整流二极管用封装框架，一个单元框架3上的两个装芯片散热底板14连接为一体，两个半圆孔16合成为一个圆通孔19，且与安装孔18相对应，加工更方便。

[0040] 本发明工作原理：

[0041] 参照说明书附图1-4，使用时，将大功率整流二极管放置在装芯片散热底板14上，此时塑封体2上的安装孔18和装芯片散热底板14上的半圆孔16相对应，然后装芯片散热底板14和大功率整流二极管一起插入塑封体2一侧壁上的插孔内，防水槽15与插孔相配合，然后采用220全包塑封，完成大功率整流二极管的封装，此时封装框架采用高导电导热的铜材，厚度1.3mm，保证芯片良好散热，提升产品质量，装芯片散热底板14下表面上均匀设有多个凹点17，便于封装时铜材与环氧树脂结合更牢固，塑封体内的第一内引脚11和第三内引脚13上增加“V”形防水槽15，可有效阻止水气与其他有害杂质进入到芯片，提高产品稳定性、可靠性和使用寿命；

[0042] 参照说明书附图5，另外，一个单元框架3上的两个装芯片散热底板14连接为一体，两个半圆孔16合成为一个圆通孔19，且与安装孔18相对应，加工更方便。

[0043] 最后应说明的几点是：首先，在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；

[0044] 其次：本发明公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本发明同一实施例及不同实施例可以相互组合；

[0045] 最后：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

标题	发布/更新时间	阅读量
二极管整流器-专利编号CN104218822A	2020-05-12	674
一种整流二极管-专利编号CN110164842A	2020-05-11	71
整流二极管结构-专利编号CN104037141B	2020-05-12	478
一种整流二极管-专利编号CN110277928A	2020-05-11	691
整流二极管结构-专利编号CN104037141A	2020-05-11	383
整流二极管-专利编号CN110148633A	2020-05-11	877
一种整流二极管-专利编号CN106816476A	2020-05-12	553
整流二极管-专利编号CN202454561U	2020-05-13	273
整流二极管-专利编号CN201752001U	2020-05-13	192
整流二极管-专利编号CN210296386U	2020-05-13	931

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