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外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法

阅读：538发布：2021-02-28

IPRDB可以提供外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种能够检测外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置。本发明的外延晶片背面检查装置(100)的特征在于，具有：光学系统(30)，以相对于外延晶片(1)的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明(10)及拍摄部(20)；以及扫描部(40)，以与所述背面平行的方式扫描光学系统(30)，环形光纤照明(10)的光源是蓝色LED及红色LED中的任一个。，下面是外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种外延晶片背面检查装置，其特征在于，具有：光学系统，以相对于外延晶片的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明及拍摄部；

以及

扫描部，以与所述背面平行的方式扫描所述光学系统，所述环形光纤照明的光源是蓝色LED及红色LED中的任一个。

2.根据权利要求1所述的外延晶片背面检查装置，其中，所述光源的照度在300,000Lux以上且1,000,000Lux以下。

3.根据权利要求1或2所述的外延晶片背面检查装置，其中，所述光源是所述蓝色LED。

4.一种外延晶片背面检查方法，其特征在于，具有：拍摄工序，使用权利要求1至3中任一项所述的外延晶片背面检查装置，通过所述扫描部扫描所述光学系统，并连续地拍摄所述背面的部分图像；

获取工序，从所述部分图像获取所述背面的整体图像；及检测工序，从所述整体图像检测存在于所述背面的缺陷。

5.根据权利要求4所述的外延晶片背面检查方法，其还具有图像处理工序，所述图像处理工序在所述检测工序之前对所述整体图像进行图像处理，在所述检测工序中，根据进行了所述图像处理的整体图像进行所述检测。

6.根据权利要求4或5所述的外延晶片背面检查方法，其中，在所述检测工序中，抽取在所述外延晶片背面的周缘部上的缺陷，将所述周缘部划分成内侧区域及外侧区域，将所述缺陷中大小超过规定的阈值并且仅位于所述外侧区域内的缺陷检测为光晕。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的外延晶片背面检查方法，其中，在所述检测工序中，抽取在所述外延晶片背面的周缘部上的点状缺陷，将所述点状缺陷中在第1半径以上且第2半径以下，并且中心成为暗部的点状缺陷检测为基座针孔。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的外延晶片背面检查方法，其中，在所述检测工序中，抽取位于从所述外延晶片背面的中心远离规定距离的位置的点状的基准缺陷，将该基准缺陷的位置设为第1基准位置，使所述第1基准位置从所述中心按每等角地旋转，而抽取在多个第2基准位置附近的缺陷，将在所述第1基准位置及所述第2基准位置附近的点状缺陷所组成的组检测为针印。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的外延晶片背面检查方法，其还具有判定工序，所述判定工序将所述抽取的所述缺陷分类为正常缺陷及异常缺陷，并判定有无所述异常缺陷。

说明书全文

外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种外延晶片背面检查装置及使用该检查装置的外延晶片背面检查方法，且尤其涉及一种能够识别并检测形成于外延晶片背面的缺陷的外延晶片背面检查装置。

背景技术

[0002] 作为半导体器件的制造工序中使用的基板，硅晶片等由半导体构成的晶片被广泛地使用。作为这种晶片，已知有对单晶锭进行切片并进行镜面研磨而成的拋光晶片(PW晶片)、或在PW晶片的表面形成有外延层的外延晶片等。例如，外延晶片可用作MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor))、DRAM(动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory))、功率晶体管及背照式固体摄像元件等各种半导体器件的器件基板。另外，本说明书中，记载为“外延晶片表面”时，是指外延晶片的主表面中形成有外延层的一侧的面，记载为“外延晶片背面”时，是指外延晶片的主表面中与形成有外延层的一侧的面相反的一侧的面(即，没有形成有外延层的一侧的面)。

[0003] 在半导体器件的制造工序中为了提高成品率和可靠性，成为半导体器件的基板的晶片表面和背面的缺陷检查技术逐渐变得极为重要。存在于晶片的表面和背面的缺陷除了凹陷、COP等晶体缺陷、由加工造成的研磨不均及刮痕等以外、还复杂地涉及到作为异物的粒子的附着等。

[0004] 以往，使用LPD(Light Point Defect；光点缺陷)检查装置(激光面检查机)，进行用激光束扫描实施精加工的镜面研磨后的晶片的表面和背面而检测由存在于该表面和背面的粒子、刮痕等造成的散射光的晶片检查。并且，为了判定用LPD检查装置难以判别的缺陷的有无，还共同使用通过肉眼观察来判定晶片表面和背面的外观检查。外观检查是感官检查，因此基于检查人员的判定的偏差是不可避免的，且检查人员熟练也需要时间，因此需要确立一种客观的检查方法及自动检查方法。

[0005] 因此，作为晶片检查方法的一种，本申请人等以前关于晶片表面和背面之中特别是背面侧的缺陷在专利文献1中提出了在不依赖外观检查的情况下对晶片进行适当评价的方法。即，一种晶片背面的评价方法，其具备：图像处理工序，沿着晶片的圆周向连续地拍摄晶片背面的部分图像(parts image)，并合成所拍摄的所述部分图像而制作出晶片背面的整体图像：及微分处理工序，对所述整体图像进行微分处理，而制作出晶片背面的微分处理图像，根据所述整体图像或所述微分处理图像，检测研磨不均、雾、刮痕及粒子并进行评价。

[0006] 利用图1(A)、图1(B)对用于制作上述整体图像的光学系统50进行说明。另外，图1(B)是为了图示由环形光纤照明51照射的照射光L1及反射光(散射光)L2，而从图1(A)抽取主要部分的图。该光学系统50具备环形光纤照明51、镜筒52、远心透镜53及受光部54。另外，环形光纤照明51的光源使用超高压汞灯(波长区域369nm～692nm，输出超过1,000,000Lux)，且受光部54使用CCD摄像机。由环形光纤照明51照射的照射光L1相对于晶片面约以20度入射到晶片W，若与存在于晶片W的背面的缺陷D碰撞，则会产生散射光L2。受光部54接收散射光L2中垂直的散射光并进行拍摄，且拍摄具有光学系统50的位置信息的同时具有散射光的亮度信息的图像，而储存。现有技术文献
专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2010-103275号公报

发明内容

[0008] 在此，本发明人等研究出将专利文献1中记载的技术应用于外延晶片背面的缺陷状态的检查中。然而，当将专利文献1中记载的技术直接应用于外延晶片背面检查时，如图2所示的一例，无法检测应以外观检查能够识别的缺陷的几乎全部缺陷。另外，图2的例中，会误以为除了外延晶片背面的周缘部以外的中央部的几乎全部为缺陷。

[0009] 外延晶片背面的缺陷中存在若干例如如后述的“针印”、“刀痕”、低散射的“光晕”等缺陷那样即使形成也没有问题的缺陷、或必然会形成的缺陷。因此，外延晶片背面的检查装置除了检测缺陷的有无及其产生量，连缺陷的种类都必须能够正确地识别。关于这点，如以往，若为基于肉眼观察的外观检测，则能够识别出外延晶片背面的缺陷并判断其品质，但如前述，外观检查需要基于检查人员的判定。因此，需要确立一种能够客观地检查外延晶片背面的技术。

[0010] 因此，鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种能够检测外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置及使用该检查装置的外延晶片背面检查方法。用于解决技术问题的方案

[0011] 为了达成上述目的，本发明人等进行了深入研究。首先，本发明人等对如下原因进行了研究发现，专利文献1中记载的技术中，只要是PW晶片则能够正确的评价出缺陷状态，但与此无关，若应用于外延晶片背面，则导致会忽略缺陷。本发明人等分析根据现有技术所获取的外延晶片背面的图像与根据外观检查确认到的缺陷之间的差异的结果，在该图像中相同种类或不同种类的缺陷会重叠，或即使是正常的部分也有可能判断成基于缺陷的亮度信息。进一步研究其原因的结果，是因为，与PW晶片的背面相比，外延晶片的背面通过源气体的环绕使得背面的一部分进行成膜，因为背面侧的表面粗糙，因此若以上述光学系统50的光源则因输出过强会产生漫反射而超出了CCD的允许容量。即，本发明人等查明了散射光的亮度的溢流是为其原因。外延晶片背面形成外延层时，原料气体环绕到背面而产生雾等，与PW晶片相比表面状态更为粗糙(即，背面的雾度程度较差)，因此会产生上述的溢流。因此，即使将专利文献1中记载的技术应用于外延晶片背面的缺陷状态的检查，也导致忽略应以外观检查能够识别的缺陷。

[0012] PW晶片的表面和背面与外延晶片背面不同，粗糙程度轻微，因此在检查PW晶片时，将短波长域并且照度大的Hg灯或金属卤化物灯等的超高压汞灯用作环形光纤照明的光源，以使即便是极薄的伤痕也能够检测来。然而，如上述在外延晶片背面会导致产生溢流。因此，当为了解决该问题而降低超高压汞灯的照度，则这次是导致检查中照度变得不稳定。因此，本发明人等想到使用相对低照度且能够稳定地使用的光源来作为环形光纤照明的光源，并且发现能够识别外延晶片背面上的缺陷的光源，而完成了本发明。本发明基于上述的知识与研究，其主要结构为如下。

[0013] 本发明的外延晶片背面检查装置的特征在于，具有：光学系统，以相对于外延晶片的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明及拍摄部；以及扫描部，以与所述背面平行的方式扫描所述光学系统，所述环形光纤照明的光源是蓝色LED及红色LED中的任一个。

[0014] 在此，所述光源的照度优选为300,000Lux以上且1,000,000Lux以下，并且，所述光源优选为所述蓝色LED。

[0015] 并且，本发明的外延晶片背面检查方法的特征在于，具有：拍摄工序，使用前述外延晶片背面检查装置，通过所述扫描部扫描所述光学系统，并连续地拍摄所述背面的部分图像；获取工序，从所述部分图像获取所述背面的整体图像；及检测工序，从所述整体图像检测存在于所述背面的缺陷。

[0016] 在此情况下，所述外延晶片背面检查方法还具有图像处理工序，所诉图像处理工序在所述检测工序之前对所述整体图像进行图像处理，在所述检测工序中，优选根据进行了所述图像处理后的整体图像进行所述检测。

[0017] 并且，在所述检测工序中，抽取所述外延晶片背面的周缘部上的缺陷，将所述周缘部划分成内侧区域及外侧区域，优选将所述缺陷中的大小超过规定的阈值并且仅位于所述外侧区域内的缺陷检测为光晕。

[0018] 而且，在所述检测工序中，抽取所述外延晶片背面的周缘部上的点状缺陷，优选将所述点状缺陷中在第1半径以上且第2半径以下，并且中心成为暗部的点状缺陷检测为基座针孔(susceptor pin hole)。

[0019] 另外，在所述检测工序中，抽取位于从所述外延晶片背面的中心远离规定距离的位置上的点状的基准缺陷，将该基准缺陷的位置设为第1基准位置，使所述第1基准位置从所述中心按每等角地旋转而抽取在多个在第2基准位置附近的缺陷，优选将在所述第1基准位置及所述第2基准位置附近的点状缺陷所组成的组检测为针印(pin mark)。

[0020] 并且，还优选所述外延晶片背面检查方法还具有判定工序，所述判定工序将所述抽取的所述缺陷分类为正常缺陷及异常缺陷，并判定有无所述异常缺陷。发明效果

[0021] 根据本发明，使用了适当的光源，因此能够提供一种能够检测外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置及使用该检查装置的外延晶片背面检查方法。

附图说明

[0022] 图1是说明现有技术中所使用的晶片背面检查装置的光学系统的示意图，图1(A)是表示光学系统整体的示意图；图1(B)是表示入射光L1及散射光L2的示意图。图2是使用基于现有技术的晶片检查装置所得到的外延晶片背面的整体图像的一例。
图3是说明依照本发明的一实施方式的外延晶片背面检查装置的示意图。
图4是外延晶片背面的整体图像的一例，图4(A)是利用蓝色LED光源所获取的整体图像；图4(B)是利用红色LED光源所得到的整体图像；图4(C)是利用绿色LED光源所得到的整体图像；图4(D)是利用白色LED光源所得到的整体图像。
图5是说明依照本发明的一实施方式的外延晶片背面检查方法的流程图。
图6是根据本发明的一实施方式所得到的外延晶片背面的第1例，图6(A)是整体图像；
图6(B)是对图6(A)的整体图像进行图像处理后的图。
图7是用于说明根据本发明的一实施方式能够检测的光晕的示意图。
图8是根据本发明的一实施方式所得的外延晶片背面的第2例，图8(A)是整体图像；图8(B)是对图8(A)的整体图像进行图像处理后的图。
图9中，图9(A)是图8(A)中的基座针孔的放大图；图9(B)是表示其强度分布的曲线图。
图10是用于说明根据本发明的一实施方式能够检测的基座针孔的示意图。
图11是根据本发明的一实施方式所得的外延晶片背面的第3例，图11(A)是整体图像；
图11(B)是对图11(A)的整体图像进行图像处理后的图。
图12是用于说明根据本发明的一实施方式能够检测的针印的示意图，图12(A)表示基准缺陷PM1；图12(B)表示作为针印的缺陷组PM1～PM3。

具体实施方式

[0023] 以下，参考附图对本发明的实施方式进行说明。图3是依照本发明的一实施方式的外延晶片背面检查装置100的示意图。

[0024] (外延晶片背面检查装置)如图3所示，依照本发明的一实施方式的外延晶片背面检查装置100具有：光学系统30，以相对于外延晶片1的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明10及拍摄部20；以及扫描部40，以与外延晶片1的背面平行的方式扫描光学系统30。然后，将环形光纤照明10的光源设为蓝色LED及红色LED中的任一个。另外，图3中的外延晶片1是指,在基板S的表面上外延生长出外延层E的晶片。然后，外延晶片1的背面是指,与形成有外延层E的一侧相反的面(换句话说，是基板S上没有形成有外延层E的一侧的面，也能够说是基板S的背侧的面露出)。以下，依次对各结构的详细内容进行说明。

[0025] 作为环形光纤照明10,能够使用通常的照明，但关键在于将其光源设为蓝色LED及红色LED中的任一个，关于其技术意义将利用图4进行后述。另外，优选将从环形光纤照明10照射的照射光L的照度设为300,000～1,000,000lux左右。相对于外延晶片1的背面的照射光L所成的角度为通常的角度，例如能够设为10～30度左右，也能够设为与现有技术相同的大致20度或20度。

[0026] 拍摄部20的结构只要能够接收来自外延晶片1的背面的散射光并进行拍摄则并没有特别限制，但例如能够由镜筒22、透镜23及受光部24构成。镜筒22、透镜23及受光部24分别能够使用通常所用的部件。透镜23例如能够使用远心透镜，受光部24例如能够使用CCD摄像机。

[0027] 光学系统30具备上述的环形光纤照明10及拍摄部20，通过环形光纤照明10照射外延晶片1的背面，并接收其散射光，而获取外延晶片1的背面的部分图像。

[0028] 扫描部40以与外延晶片1的背面平行的方式扫描光学系统30。扫描部40可以沿着周向扫描光学系统30，也可以沿着纵横方向扫描光学系统30。并且，外延晶片背面检查装置100具有多个(例如3个)光学系统30，扫描部40可以沿着周向扫描各光学系统30。另外，扫描部40能够由连接于光学系统30的臂部、及用于驱动臂部的驱动步进马达、伺服马达等构成。

[0029] 在此，图4(A)中示出如下一例:作为依照本实施方式的外延晶片背面检查装置100的环形光纤照明10的光源使用蓝色LED(照射光照度:300,000～1,000,000lux，波长区域:450～500nm，发光中心波长:470μm)时，在晶片整面连续地拍摄外延晶片的背面的部分图像，并合成而获取表示背面整体的整体图像时的一例。并且，针对相同的背面将光源从上述蓝色LED替换为红色LED(照射光照度:300,000～1,000,000lux，波长区域:600～700nm，发光中心波长:660μm)时的整体图像示于图4(B)。并且，将替换为与这些蓝色LED及红色LED有相同程度的照度的绿色LED(发光中心波长:530μm)时的整体图像示于图4(C)，将替换为白色LED(上述蓝色LED、红色LED及绿色LED的合成光)时的整体图像示于图4(D)。

[0030] 在图4(A)～图4(D)中所示的整体图像的中央部中形成有圆弧状的缺陷即刮痕状的缺陷,光源使用蓝色LED或红色LED的图4(A)及图4(B)中，能够确认到刮痕状的缺陷的周围形成有雾缺陷。图4(C)及图4(D)中，能够从图像中识别出刮痕状的缺陷，但无法识别出图4(A)及图4(B)中能够看到的雾状缺陷。并且，如比较图4(A)～图4(D)可明确可知，当光源使用蓝色LED时，缺陷的检测灵敏度最高。因此，外延晶片背面检查装置100的环形光纤照明10的光源优选使用蓝色LED。

[0031] 另外，如利用图2已经叙述的那样，作为环形光纤照明10的光源,若使用与现有技术相同的超高压汞灯(例如照度5,000,000Lux)，则由缺陷造成的亮度溢流，而无法识别缺陷。

[0032] 如以上说明，依照本实施方式的外延晶片背面检查装置100中，通过将即使是低照度也对稳定性优异，并且波长区域在450～500nm的蓝色LED或波长区域在600～700nm的红色LED用作环形光纤照明10的光源，即使是雾度程度差的外延晶片背面，也能够正确地获取表示其缺陷状态的图像。因此，能够识别并检测以往只有肉眼观察才能够感知到的外延晶片背面的缺陷。

[0033] 另外，外延晶片1能够为在被镜面加工后的硅晶片的表面上外延生长出硅外延层的外延硅晶片。依照本实施方式的外延晶片背面检查装置100优选用于外延硅晶片。这是因为已经叙述的背面侧的雾度的恶化逐渐成为问题。

[0034] (外延晶片背面检查方法)接着，对使用上述外延晶片背面检查装置100的外延晶片背面检查方法的一实施方式进行说明。如图5所示，本实施方式具有；拍摄工序S1，通过扫描部40扫描光学系统30，并连续地拍摄外延晶片1的背面的部分图像；获取工序S2，从所述部分图像获取外延晶片1的背面的整体图像；及检测工序S3，从所获取的整体图像检测存在于外延晶片1的背面的缺陷。

[0035] 即，拍摄工序S1中，首先光学系统30位于规定位置时，拍摄外延晶片1的背面的部分图像。接着，扫描部40在与上述规定位置不同的位置扫描光学系统30，拍摄外延晶片1的背面的部分图像。例如，将外延晶片1的背面分为100～200左右的区块，按照每个区块反复进行该拍摄及扫描，而连续地拍摄外延晶片1的背面的部分图像(S1)。接着，合成所拍摄的各部分图像，而获取外延晶片1的背面的整体图像(S2)。所得到的整体图像的一例为例如已经叙述的图4(A)。

[0036] 接着，进行从上述获取工序S2中所获取的整体图像检测存在于外延晶片1的背面的缺陷的检测工序S3。在外延晶片1的背面根据由形成外延层时的原料气体的环绕造成的缺陷、或由与在外延生长炉内支撑外延晶片1的基座接触造成的缺陷等缺陷产生的原因分别形成各自特有的缺陷图案。然后，按照每个缺陷的产生原因存在特有的产生位置(在背面中央部、或背面周缘部或者背面整面上随机产生等)或缺陷图案长度、纵横尺寸比、点状缺陷的组合(以下将这些统称为“缺陷图案”。)等。本工序中，按照这些缺陷的每个种类设定特有的缺陷图案的条件，进而从整体图像中检测符合该条件的缺陷。如此，就能够检测存在于外延晶片1的背面的缺陷。

[0037] 另外，在检测工序S3之前，优选还具有对所获取的整体图像进行图像处理的图像处理工序。然后，优选根据进行了图像处理的整体图像进行检测工序S3。图像处理工序中，例如若从整体图像获取微分处理图像，则也能够抑制噪声的影响等，而能够更明确地检测存在于外延晶片1的背面的缺陷。另外，若对后述图6(A)的整体图像进行微分处理，并实施细线化处理，则可得到图6(B)。图8(A)、图8(B)及图11(A)、图11(B)也是相同的对应关系。通过使用进行了图像处理的整体图像，能够更加提高外延晶片1背面的缺陷的检测精度。

[0038] 以下，对形成于外延晶片1的背面的“光晕”、“基座针孔”、“针印”的具体的检测方法的方式进行说明。这些缺陷的检测方式只是例示，只要按照每一缺陷的种类套用特有的缺陷图案，则对除了上述3种缺陷以外的缺陷，也能够根据依照本方法的实施方式而检测缺陷。

[0039] ＜光晕＞作为缺陷的第1例，图6(A)中示出使用依照本发明的外延晶片背面检查装置100所获取的形成有光晕D1的外延晶片1背面的整体图像。并且，图6(B)是对图6(A)进行图像处理后的图。另外，在该外延晶片1背面也形成有雾缺陷D2。
在此，“光晕”是指通过外延生长在外延晶片背面的周缘部上产生的蚀刻图案状的缺陷。

[0040] 利用图7，对本检查方法的一实施方式中的上述光晕D1的检测方式进行说明。另外，在图7中，在外延晶片1背面的周缘部上形成有两个光晕D1。在检测工序S3中，首先抽取在外延晶片1背面的周缘部上的缺陷。使用规定的半径，将外延晶片背面的周缘部划分成内侧区域RI及外侧区域RO。所抽取的缺陷中，能够将超过规定阈值的大小的缺陷并且仅位于外侧区域RO内的缺陷检测为“光晕”。在确定缺陷大小时，也可以对亮度设定规定的阈值。另外，若为遍及外侧区域RO及内侧区域RI而所形成的缺陷时，则能够检测为雾缺陷D2，而不是光晕D1。如此，若检测出光晕D1时，则能够评价为在背面存在光晕D1的外延晶片。

[0041] ＜基座针孔＞作为缺陷的第2例，图8(A)中示出使用依照本发明的外延晶片背面检查装置100所获取的形成有基座针孔D3的外延晶片1背面的整体图像。并且，图8(B)是对图8(A)进行了图像处理后的图。并且，图9(A)中示出图8(A)中的基座针孔D3附近的放大图。并且，图9(B)中示出该基座针孔D3的强度(亮度)分布。如图9(A)、图9(B)所示的一具体例，基座针孔为呈大致圆形的点状缺陷，中央部成为暗部。
在此，“基座针孔”是指外延生长中基于基座的针孔转印到外延晶片的背面的痕迹，是肉眼观察时呈具有核心的雾状的缺陷。因此，基座针孔的外径成为规定的范围内。

[0042] 利用图10，对本检查方法的一实施方式中的上述基座针孔D3的检测方式进行说明。检测工序S3中，抽取在外延晶片1背面的周缘部上的点状缺陷。以包含基座针孔的外径的方式，作为阈值预先设定第1半径及第2半径(设为[第2半径]＞[第1半径]。)，从所抽取的点状缺陷中进一步抽取在第1半径以上且第2半径以下的缺陷。如这种点状缺陷中，能够将中心成为暗部的缺陷检测为“基座针孔”。另外，大小小于第1半径的点状缺陷D4(虽然也会与产生位置有关)可判定为颗粒。

[0043] ＜针印＞作为缺陷的第3例，图11(A)中示出使用依照本发明的外延晶片背面检查装置100所获取的形成有针印PM1～PM3的外延晶片1背面的整体图像。并且，图11(B)是对图11(A)进行图像处理后的图。
在此，“针印”是指由因晶片起模针(lift pin)的形状、或针与晶片的接触状态引起的、且在Centura公司制造的外延炉中特有的、在外延晶片背面的外周部上产生的如磨痕一样的微小伤痕的集合体或附着物形成的缺陷。虽然也取决于晶片起模针的形状，但例如若为能够形成于3个位置的针印，则必定同时形成于3个位置，此时，存在于从外延晶片背面的中心按每120度地旋转的位置。并且，由起模针的形状造成，而在规定的半径范围内存在针印，各个针印的缺陷成为圆形状的亮点。

[0044] 利用图12(A)、图12(B)，对本检查方法的一实施方式中的上述针印PM1～PM3的检测方式进行说明。检测工序S3中，首先抽取从外延晶片背面的中心远离规定距离R的位置上的点状的基准缺陷PM1(图12(A))。将该基准缺陷PM1的位置设为第1基准位置，使所述第1基准位置从所述中心按每等角地(图12的例中，针印形成在3个位置，因此为按每120度地)旋转，而抽取在多个第2基准位置A、B的附近的缺陷。有时会有针印的产生位置从等角间隔稍微偏离的情况，因此也可以设定检测允许角(图12(B))。在该情况下，只要在检测允许角的范围内，则被包含在上述“附近”。能够将在第1基准位置及所述第2基准位置A、B附近的点状缺陷PM1～PM3所组成的组检测为“针印”。

[0045] 另外，本实施方式优选还具有判定工序，所述判定工序在检测工序S3之后将所述抽取的缺陷分类为正常缺陷及异常缺陷，并判定有无异常缺陷。如前述，存在如针印那样即使形成在外延晶片背面也不会成为问题的缺陷。因此，评价外延晶片背面的品质时，优选判定有无异常缺陷。也可以对产生的异常缺陷的种类或数量进行定性评价或定量评价。

[0046] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但这些是表示代表性的实施方式的例，本发明并不限定于这些实施方式，能够在发明宗旨的范围内进行各种变更。产业上的可利用性

[0047] 根据本发明，能够提供一种能够检查外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置及使用该检查装置的外延晶片背面检查方法。附图标记说明

[0048] 1-外延晶片，10-环形光纤照明，20-拍摄部，30-光学系统，40-扫描部，100-外延晶片背面检查装置，D-缺陷。

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一种GaN基LED外延片的生长方法-专利编号CN105118900A	2020-05-11	702
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102194939A	2020-05-12	324
一种LED外延片及其外延生长方法-专利编号CN102044606A	2020-05-11	1062
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101847673A	2020-05-13	679
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101752480A	2020-05-13	206
一种级联GaN基LED外延片及其制备方法-专利编号CN103022286A	2020-05-11	945
一种GaN基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102332517A	2020-05-12	522
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN101752480B	2020-05-13	721
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-专利编号CN102194939B	2020-05-12	635
一种氮化镓基外延片及生长方法-专利编号CN106098886A	2020-05-11	596

外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法

外延晶片背面检查装置及使用其的外延晶片背面检查方法

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