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一种钯金IC封装凸块

阅读：809发布：2021-03-01

IPRDB可以提供一种钯金IC封装凸块专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一金层、钯层和金层也成波浪形。应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性。，下面是一种钯金IC封装凸块专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体（1）、导电层（2）、绝缘层（3）、钛钨层（4）、第一金层（5）、钯层（6）和第二金层（7），所述绝缘层（3）上设有孔，露出部分导电层（21），其特征在于：所述部分导电层（21）的表面至少设有一个应力缓冲块（9），所述应力缓冲块（9）为聚乙烯制品，所述钛钨层（4）贴合部分导电层（21）、应力缓冲块（9）以及绝缘层（3）的表面成波浪形，所述第一金层（5）、钯层（6）和第二金层（7）也成波浪形。

2.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于：所述载体（1）为硅片。

3.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于：所述导电层（2）为铝垫。

4.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于：所述绝缘层（3）为PSV绝缘材料。

5.如权利要求1所述的一种钯金IC封装凸块，其特征在于：所述应力缓冲块（9）均匀分布于部分导电层（21）的表面。

说明书全文

一种钯金IC封装凸块

技术领域

[0001] 本实用新型涉及IC封装领域，具体涉及一种钯金IC封装凸块。

背景技术

[0002] 驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金，成本高，目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块，可以有效降低成本，鉴于黄金的成本，在镍层上的金层有3um厚，短时间内溅渡的连接性尚好，如在潮湿环境中过久，透过金层的疏孔，会使镍层氧化腐蚀，进而导致金层表面渐渐失去连接性，而且镍层中常含有的还原剂磷、硼将造成镍层与金层的粘结力下降，性能可靠性低；钯金IC封装凸块是一种利用钯耐蚀、耐磨、耐变色性好、化学稳定性高的优点，确保与金层之间粘结力，以克服铜镍金IC封装凸块的缺陷，但是由于不同金属的膨胀系数不一样，在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，因此这种钯金IC封装凸块也存在可靠性低的问题。

发明内容

[0003] 本实用新型要解决的技术问题是提供一种钯金IC封装凸块，可以解决现有钯金IC封装凸块在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，导致可靠性差的问题。

[0004] 本实用新型通过以下技术方案实现：

[0005] 一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和第二金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛钨层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一金层、钯层和第二金层也成波浪形。

[0006] 本实用新型的进一步方案是，所述载体为硅片。

[0007] 本实用新型的进一步方案是，所述导电层为铝垫。

[0008] 本实用新型的进一步方案是，所述绝缘层为PSV绝缘材料。

[0009] 本实用新型的进一步方案是，所述应力缓冲块均匀分布于部分导电层的表面。

[0010] 本实用新型与现有技术相比的优点在于：

[0011] 应力缓冲块一方面可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性。

附图说明

[0012] 图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

[0013] 如图1所示的一种钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛钨层4、第一金层5、钯层6和第二金层7，所述绝缘层3上设有孔，露出部分导电层21，所述部分导电层21的表面均匀溅镀有至少一个聚乙烯应力缓冲块9，所述聚乙烯应力缓冲块9的横断面可以是矩形、三角形或弧形，所述钛钨层4贴合部分导电层21、应力缓冲块9以及绝缘层3的表面成波浪形，所述第一金层5、钯层6和第二金层7也成波浪形。

标题	发布/更新时间	阅读量
凸块工艺-专利编号CN103165482A	2020-05-11	350
凸块工艺-专利编号CN100580899C	2020-05-12	931
凸块结构-专利编号CN110634828A	2020-05-11	867
凸块工艺-专利编号CN103165482B	2020-05-13	1021
凸块结构-专利编号CN101989590B	2020-05-11	247
凸块制程-专利编号CN101038441B	2020-05-13	507
复合凸块-专利编号CN1992246A	2020-05-11	719
凸块结构-专利编号CN101335248A	2020-05-12	513
凸块制程-专利编号CN101266936A	2020-05-12	445
凸块制程-专利编号CN101038441A	2020-05-13	873

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