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一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜

阅读：719发布：2021-02-28

IPRDB可以提供一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，包括真空蒸镀附在TFT-LCD玻璃基板表面的改性二氧化硅缓冲层和真空蒸镀附在改性二氧化硅缓冲层表面的全氟聚醚膜层。本发明解决了PECVD在传统工艺下制备TFT-LCD显示屏用防指纹膜时，由于SiO2表面过于光滑和含硅粒子氧化不完全而导致TFT-LCD显示屏用防指纹膜与SiO2缓冲层镀层附着力不佳的问题，提高了TFT-LCD显示屏用防指纹膜与强化玻璃基材之间的镀层附着力，同时全氟聚醚材料具有独特的结构，应用于TFT-LCD显示屏防止涂层具有更好的防指纹性能。，下面是一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，其特征在于，包括真空蒸镀附在TFT-LCD玻璃基板表面的改性二氧化硅缓冲层和真空蒸镀附在改性二氧化硅缓冲层表面的全氟聚醚膜层。

2.一种如权利要求1所述的用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将洁净的TFT-LCD玻璃基板放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电轰击TFT-LCD玻璃基板以活化TFT-LCD玻璃基板表面；

(2)利用硅氧烷高温裂解形成SiO2，抽真空至压力为5.0×10-3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10-4mbar，持续中频功率为

8000w开始沉积SiO2，沉积时间为30-60s，得到厚度为10-20nm的SiO2缓冲层；

(3)将活化TFT-LCD玻璃基板安装在真空蒸镀膜机真空室顶面上，在第一组蒸发源内加入经过真空脱气处理的SiO2缓冲层，在第二组蒸发源内加入全氟聚醚膜层；先抽真空和调整真空室内温度，再依次进行真空蒸镀改性SiO2缓冲层和真空蒸镀全氟聚醚膜层，得到产品，得到的产品从真空蒸镀膜机真空室顶面上卸下并运出真空室。

3.根据权利要求1所述的一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，其特征在于：所述全氟聚醚膜层由全氟聚醚化合物组成，所述全氟聚醚化合物是将作为引发剂的氟化物盐与极性溶剂混合，加入四氟氧杂环丁烷，在催化量的引发剂作用下，使四氟氧杂环丁烷发生开环聚合反应；经减压蒸馏，通过控制真空度和蒸馏温度，收集即得全氟聚醚化合物。

4.根据权利要求2所述的一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，其特征在于：所述步骤(3)中改性SiO2缓冲层放在真空蒸镀膜机内的时间为至少执行1次真空蒸镀。

5.根据权利要求2所述的一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，其特征在于：所述步骤(3)中调整真空室内温度至25～40℃。

说明书全文

一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜

技术领域

[0001] 本发明涉及TFT-LCD技术领域，具体涉及一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜。

背景技术

[0002] TFT-LCD显示屏用防指纹防指纹膜，具有良好的疏水性和疏油性，广泛应用于手机和平板电脑等触控技术领域，增加TFT-LCD显示屏用防指纹膜与玻璃基材之间的镀层附着力一直是触控行业的永久性话题。在TFT-LCD显示屏用防指纹膜与玻璃基材之间增加一层SiO2缓冲层，可以提高TFT-LCD显示屏用防指纹膜与玻璃基材的镀层附着力。制备该缓冲层和TFT-LCD显示屏用防指纹膜常用的方法有PVD法和CVD法两种，其中PVD技术沉积速度慢且镀层附着力不足，而CVD技术的沉积温度较高(900-1200℃)。因此，兼具PVD和CVD技术优点的PECVD技术很快便成为了人们的研究热点。

[0003] 采用PECVD以传统的刻蚀、镀SiO2缓冲层和镀触摸屏用防指纹膜三步工艺方法，在玻璃基材表面镀SiO2缓冲层和防指纹膜时，容易造成SiO2缓冲层表面平滑度极高，从而限制了SiO2缓冲层与触摸屏用防指纹膜的镀层附着力。同时，随着触控技术的发展，对于触摸屏用防指纹膜与玻璃基材镀层附着力的要求越来越高，传统工艺在镀层附着力要求方面也面临着越来越大的挑战。

发明内容

[0004] 本发明旨在提供了一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜。

[0005] 本发明提供如下技术方案：

[0006] 一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，包括真空蒸镀附在TFT-LCD玻璃基板表面的改性二氧化硅缓冲层和真空蒸镀附在改性二氧化硅缓冲层表面的全氟聚醚膜层。

[0007] 一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜层的制备方法，包括以下步骤：

[0008] (1)将洁净的TFT-LCD玻璃基板放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电轰击TFT-LCD玻璃基板以活化TFT-LCD玻璃基板表面；

[0009] (2)利用硅氧烷高温裂解形成SiO2，抽真空至压力为5.0×10-3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10-4mbar，持续中频功率为8000w开始沉积SiO2，沉积时间为30-60s，得到厚度为10-20nm的SiO2缓冲层；

[0010] (3)将活化TFT-LCD玻璃基板安装在真空蒸镀膜机真空室顶面上，在第一组蒸发源内加入经过真空脱气处理的SiO2缓冲层，在第二组蒸发源内加入全氟聚醚膜层；先抽真空和调整真空室内温度，再依次进行真空蒸镀改性SiO2缓冲层和真空蒸镀全氟聚醚膜层，得到产品，得到的产品从真空蒸镀膜机真空室顶面上卸下并运出真空室。

[0011] 所述全氟聚醚膜层由全氟聚醚化合物组成，所述全氟聚醚化合物是将作为引发剂的氟化物盐与极性溶剂混合，加入四氟氧杂环丁烷，在催化量的引发剂作用下，使四氟氧杂环丁烷发生开环聚合反应；经减压蒸馏，通过控制真空度和蒸馏温度，收集即得全氟聚醚化合物。

[0012] 所述步骤(3)中改性SiO2缓冲层放在真空蒸镀膜机内的时间为至少执行1次真空蒸镀。

[0013] 所述步骤(3)中调整真空室内温度至25～40℃。

[0014] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明解决了PECVD在传统工艺下制备TFT-LCD显示屏用防指纹膜时，由于SiO2表面过于光滑和含硅粒子氧化不完全而导致TFT-LCD显示屏用防指纹膜与SiO2缓冲层镀层附着力不佳的问题，提高了TFT-LCD显示屏用防指纹膜与强化玻璃基材之间的镀层附着力，同时全氟聚醚材料具有独特的结构，应用于TFT-LCD显示屏防止涂层具有更好的防指纹性能。

具体实施方式

[0015] 下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0016] 实施例一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜，包括真空蒸镀附在TFT-LCD玻璃基板表面的改性二氧化硅缓冲层和真空蒸镀附在改性二氧化硅缓冲层表面的全氟聚醚膜层。

[0017] 一种用于TFT-LCD显示屏的高耐磨性防指纹膜层的制备方法，包括以下步骤：

[0018] (1)将洁净的TFT-LCD玻璃基板放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电轰击TFT-LCD玻璃基板以活化TFT-LCD玻璃基板表面；

[0019] (2)利用硅氧烷高温裂解形成SiO2，抽真空至压力为5.0×10-3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10-4mbar，持续中频功率为8000w开始沉积SiO2，沉积时间为30-60s，得到厚度为10-20nm的SiO2缓冲层；

[0020] (3)将活化TFT-LCD玻璃基板安装在真空蒸镀膜机真空室顶面上，在第一组蒸发源内加入经过真空脱气处理的SiO2缓冲层，在第二组蒸发源内加入全氟聚醚膜层；先抽真空和调整真空室内温度，再依次进行真空蒸镀改性SiO2缓冲层和真空蒸镀全氟聚醚膜层，得到产品，得到的产品从真空蒸镀膜机真空室顶面上卸下并运出真空室。

[0021] 所述全氟聚醚膜层由全氟聚醚化合物组成，所述全氟聚醚化合物是将作为引发剂的氟化物盐与极性溶剂混合，加入四氟氧杂环丁烷，在催化量的引发剂作用下，使四氟氧杂环丁烷发生开环聚合反应；经减压蒸馏，通过控制真空度和蒸馏温度，收集即得全氟聚醚化合物。

[0022] 所述步骤(3)中改性SiO2缓冲层放在真空蒸镀膜机内的时间为至少执行1次真空蒸镀。

[0023] 所述步骤(3)中调整真空室内温度至25～40℃。

[0024] 对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

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