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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
41	一种化学辅助磁流变抛光液及其制备方法与金属毛细管内表面抛光的方法	CN202311356579.0	2023-10-18	CN117535011A	2024-02-09	吴勇波; 张文韬; 薛玉峰
本发明提供了一种化学辅助磁流变抛光液及其制备方法与金属毛细管内表面抛光的方法。本发明的化学辅助磁流变抛光液，组分包括磨粒、磁性粉体、氧化剂和氢源。用于金属毛细管内表面抛光时，可以将金属毛细管内表面的裂痕去除，获得光滑平坦的毛细管内表面。本发明还提供了抛光液的制备方法与金属毛细管内表面抛光的方法。
42	研磨用组合物	CN202210941941.X	2018-09-28	CN115386342B	2024-02-06	今宏树; 野口直人
提供：可以兼顾高研磨速率和表面品质的研磨用组合物。通过本发明可以提供：用于对研磨对象材料进行研磨的研磨用组合物。该研磨用组合物包含偏钒酸钠、过氧化氢、和二氧化硅磨粒。偏钒酸钠的含量C1为0.7重量％～3.5重量％，过氧化氢的含量C2为0.3重量％～3重量％，二氧化硅磨粒的含量C3为12重量％～50重量％。
43	用于边缘抛光的化学机械抛光组合物	CN202211734086.1	2022-12-30	CN116254059B	2024-01-23	洪丹燕; 田露; NP·叶日博纳; 贾仁合
本发明涉及化学机械抛光组合物以及使用可用于边缘抛光的相同组合物对包含硅材料的基材进行化学机械抛光的方法。本发明具体涉及一种化学机械抛光组合物，其包含胶体二氧化硅磨粒、第一含氮化合物、第二含氮化合物和阴离子聚合物，其中所述胶体二氧化硅磨粒在组合物中9至12的pH下具有至少‑6mV的zeta电位以及至多95的陡度因子。本发明的组合物增加了抛光过程之后基材的润湿性，还表现出高材料去除率。
44	一种镍镀层用抛光液	CN202210819161.8	2022-07-13	CN115353808B	2024-01-23	刘百川
本发明涉及一种镍镀层用抛光液，包括硫酸、正磷酸、固体有机酸、金属镍粉、硫酸镍、甘油，以及pH值调节剂，优选加入分散剂和/或消泡剂。本发明主要用于镍镀层工件的抛光，本发明不包含硝酸，是一种环保型的化学抛光液。采用本发明所提供的镍镀层用抛光液进行抛光，不仅抛光效果好、对人身与环境的危害性较小、而且抛光速率较高以及成本低廉，很好的解决了现有抛光工艺工作环境恶劣、抛光过程中产生的粉尘污染环境以及人的身体健康、机械抛光生产效率低等问题，提高了抛光效率。
45	一种抛光3D曲面玻璃的加工方法	CN202211618216.5	2022-12-15	CN116021343B	2024-01-19	陈湛; 杨勍
本发明公开了一种抛光3D曲面玻璃的加工方法。该方法是采用在五轴数控抛磨机床上安装聚氨酯磨头、并在添加抛光液的情况下抛光玻璃大曲率部位，且上述抛光液是氧化铈磨料、氧化铝磨料和水混合而成；其中，氧化铝颗粒D50在17～30微米；氧化铈：氧化铝重量比在2：3到3：2之间。本发明解决了3D曲面玻璃抛光中、大曲率部位抛光无效或效率不高的技术难题。
46	用于对氧化硅膜进行抛光的CMP浆料组合物	CN202210166968.6	2022-02-23	CN114958207B	2024-01-19	金永俊; 姜旼澈; 姜贤求; 黄晙夏; 崔洛炫; 朴光洙
本发明涉及一种用于对氧化硅膜进行抛光的CMP浆料组合物，该CMP浆料组合物通过包括磨粒(A)、分散剂(B)、辅助分散剂(C)、非离子添加剂(D)、pH调节剂(E)和残留的超纯水(F)，可以减少在氧化硅膜的抛光或平坦化工艺期间产生的碟形缺陷和划痕的量，其中，所述分散剂(B)包括含有芳环和一个或更多个羧基基团(‑COOH)的有机酸化合物，并且所述pH调节剂(E)包括含有一个或更多个羟基基团(‑OH)和一个羧基基团(‑COOH)的有机化合物。
47	一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液及其制备方法	CN202311230849.3	2023-09-22	CN117343645A	2024-01-05	夏军勇; 肖凯; 李比为; 严国平; 杨小俊
本发明涉及一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液及其制备方法，所述抛光液包括以下重量份的原料：12—15份硅溶胶，3—5份碱性调节剂，1—2份山梨坦单硬脂酸酯，1—2份有机络合清洗剂，2—3份螯合剂，3—5份十二烷基硫酸钠，2—3份甲基戊醇，4—6份碱性调节剂，3—5份表面活性修饰剂，1—2份聚天冬氨酸，2—3份抛光平衡剂和50—80份去离子水；所述碱性调节剂为NaOH、KOH、Na2CO3和K2CO3中的一种或几种混合物；所述螯合剂为多磷酸钠和1,3—二酮中的一种或几种混合物。本发明不仅提高了大粒径晶圆片的抛光效率，而且提高了抛光效果。
48	一种用于太阳能光伏板的抗静电清洗试剂及其使用方法	CN202211442864.X	2022-11-17	CN115746973B	2024-01-05	吴福三
本发明提供一种用于太阳能光伏板的抗静电清洗试剂及其使用方法，涉及太阳能光伏板清洁技术领域。所述抗静电清洗试剂包括除污剂、抛光剂和抗静电洗剂，且在实际清洗过程中先对太阳能光伏板进进行除污剂喷洒发泡清洗后采用抛光剂表面抛光，最后采用抗静电洗剂表面成膜，提升光伏板的整体清洁效果和后续的抗污效果，达到长效抗静电防污的目的。本发明克服了现有技术的不足，提高对光伏板的清洁效果的同时，有效降低光伏板的表面粗糙度，防止灰尘残留在缝隙和划痕中，并且进一步提升光伏板表面的防污抗静电效果，减少对光伏板表面清洁的频
49	多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底	CN202311610879.7	2023-11-29	CN117304814A	2023-12-29	郭超; 母文凤
本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底。抛光剂包括氧化剂、分散剂、磨料a和磨料b；磨料a的硬度介于多晶碳化硅的氧化物和多晶碳化硅本体的硬度之间；磨料b的硬度高于多晶碳化硅本体。抛光方法包括以下步骤：A、选取多晶碳化硅衬底，所述多晶碳化硅衬底不同晶粒的晶向最大夹角＜10°；B、对多晶碳化硅衬底表面进行化学机械抛光，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜1nm；C、以等离子体束扫描步骤B抛光后的多晶碳化硅衬底表面，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜0.5nm，完成多晶碳化硅衬底抛光。抛光而得的多晶碳化硅衬底表面粗糙度能够满足键合工艺的要求。
50	一种具有棒状结构的氧化硅材料及其合成方法与应用	CN202211566432.X	2022-12-07	CN115893427B	2023-12-29	裴亚利; 陈海海; 刘阳; 朱晓辉
本发明公开了一种具有棒状结构的氧化硅材料及其合成方法与应用，包括：步骤1:制备硅酸；步骤2：制备晶种；在步骤1制得的硅酸中加入纯水、醇和三乙醇胺(或氨水)；所述醇为阻聚剂，所述三乙醇胺或氨水为pH值调节剂，在硅酸、醇类阻聚剂和三乙醇胺(或氨水)的共同作用下，硅酸正常缩聚成核过程受到干扰，制得的晶种呈链状；步骤3：以链状的晶种配制成底液，采用恒液面蒸发法进一步合成长大，链状晶种中比较薄弱的地方发生断裂成棒状结构的颗粒，颗粒进一步长大，得到棒状结构的氧化硅材料，能提高半导体抛光效率,整个合成工艺简单，制得的氧化硅材料金属离子含量低、稳定性好。(56)对比文件Bin Sun，et al..Synthesis,functionalization, and applications ofmorphologycontrollable silica-basednanostructures: A review《.Progress inSolid State Chemistry》.2016,全文.孔慧;刘卫丽;宋志棠.一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法.材料导报.2018,(10),全文.
51	一种研磨液及其制备方法	CN202311192157.4	2023-09-15	CN117210198A	2023-12-12	徐明艳; 豁国燕; 李玄峰; 代克; 王艳; 苗光宇
本发明涉及一种研磨液，其主要由以下重量份数的原料组成：油40‑80份，磨料5‑60份，研磨缓冲增粘剂1‑30份，络合沉淀剂0.01‑5份。本发明还提供了该研磨液产品的制备方法。本发明研磨液具备油性高含量缓冲增粘特性，用于立式曲面对磨加工时可有效解决刚性高温对磨、无承载缓冲、无润滑支撑、难以均匀分布、存留难流失多等问题，降低过程流失率，提升研磨液有效利用率，稳定研磨加工均匀性，降低划伤等不必要缺陷风险。
52	用于抛光掺杂有硼的多晶硅的组合物及方法	CN202280023302.3	2022-01-26	CN117203296A	2023-12-08	B·约翰逊; B·赖斯; A·W·海因斯; R·A·伊万诺夫
本发明提供化学机械地抛光基板、尤其是包含掺杂有硼的多晶硅的基板的方法，包括使该基板与化学机械抛光组合物接触，该化学机械抛光组合物包含：选自α‑氧化铝、氧化硅及其组合的研磨剂；铁离子、有机酸或其组合；以及水。本发明还提供化学机械抛光组合物，包含：α‑氧化铝；选自两性离子型均聚物、单体型铵盐及其组合的含氮化合物；有机酸；及水。本发明进一步提供包含氧化硅、有机酸、铁离子及水的化学机械抛光组合物。
53	一种应用于半导体行业的抛光液及其制备方法	CN202311465068.2	2023-11-07	CN117186777A	2023-12-08	李源林; 龚本利
本发明提供一种应用于半导体行业的抛光液及其制备方法，制备方法包括：将白云鄂博独居石混合型稀土精矿、氟碳铈精矿混合得到混合精矿，进行第一焙烧处理，得到第一焙烧产物；将第一焙烧产物与浓硫酸混合进行第一浸出处理，得到第一浸出渣，经稀硫酸洗涤后，得到第一滤渣；将第一滤渣与草酸溶液混合进行第二浸出处理，得到第二浸出渣；对第二浸出渣进行第二焙烧处理后，得到第二焙烧产物；将第二焙烧产物、稀盐酸、分散剂、水混合，得到混合浆料；对混合浆料进行砂磨处理，得到第一混合液；利用氢氧化钾调节第一混合液的pH，经过滤处理后，得到抛光液。该抛光液中颗粒的粒径小且分布范围窄，将该抛光液应用于抛光材料时，有利于提高抛光性能。
54	一种小尺寸高频压电晶片的抛光工艺	CN202311133899.X	2023-09-05	CN116871985B	2023-12-01	魏鹏; 吴婷婷; 张玲鲜; 吕松; 李晶晶; 张振友; 韩文博; 孙永乐; 张晓丽; 徐晶; 韩川川; 刘廷燕; 李雪梅; 刘春燕; 权永峰; 聂祎; 许静; 张玉; 王盼; 赵明; 陈丽丽; 任勇森; 赵斌; 刘文雅; 闫梦鸽; 秦超; 郑艳波; 刘搏; 白毅; 贾伟琦
本发明公开了一种小尺寸高频压电晶片的抛光工艺，属于涉及抛光技术领域。本发明包括：准备6B抛光机、抛光游轮及抛光液；对晶片进行倒角，对倒角后的晶片进行预处理；使用电阻率超过15MΩ的纯水将抛光盘表面及抛光游轮冲洗干净；把抛光游轮按齿轮位置均匀放置于抛光盘内，使抛光游轮全部浸润在抛光液中；使用毛刷将晶片均匀刷开；采用6B抛光机进行抛光；抬起上盘，将晶片收集后置于DZ‑2清洗液中，清洗烘干，完成抛光。本发明实现了长1‑2mm宽0.5‑2mm、频率40M‑96M的小尺寸高频晶片的批量化生产且可靠性高，减少了碾游轮、跑片、碎片、碾片的现象，从而减少了砂痕、崩边等多种质量问题，适合
55	用于化学机械平坦化(CMP)的悬浮液和使用所述悬浮液的方法	CN202280024893.6	2022-03-24	CN117120564A	2023-11-24	S·R·阿勒蒂; M·赛夫卡; N·马哈德夫
本公开涉及适合于化学机械平坦化(CMP)的水性悬浮液、水性悬浮液的用途和使用水性悬浮液的CMP方法。所述悬浮液和所述方法可用于碳化硅表面的CMP。
56	抛光组合物及其制备方法和用途	CN202310978520.9	2023-08-04	CN116694233B	2023-11-24	赵延; 张存瑞; 周薇; 杨斌
本发明公开了一种抛光组合物及其制备方法和用途，基于抛光组合物的总重量，抛光组合物包括如下组分：研磨颗粒0.2～12wt%，聚(甲基)丙烯酸盐0.01～10wt%，C5‑C12多元醇0.1～28wt%，和C2‑C8 羧酸0.5～5wt%。本发明的抛光组合物可用于有效地抛光ITO层，并且相对于抛光停止层可以具有较高的抛光速率以及抛光选择比。
57	一种废稀土抛光粉再生的方法	CN202211050109.7	2022-08-31	CN115449635B	2023-11-21	陈霖; 何啸峰; 张杜超; 刘伟锋; 杨天足

58	用于曲面玻璃盖板抛光的稀土抛光液及其制备方法和应用	CN202310965201.4	2023-08-02	CN116970343A	2023-10-31	周薇; 张存瑞; 杨斌; 赵延; 卢华晟
本发明公开了一种用于曲面玻璃盖板抛光的稀土抛光液及其制备方法和应用。该稀土抛光液包括稀土磨粉、无机凝胶、聚合物盐、乙二胺四乙酸盐、多聚磷酸酯盐和C2～C6 羧酸；在稀土抛光液中，稀土磨粉的质量浓度为50wt％以上；基于所述稀土磨粉的重量，无机凝胶的用量为0.30～0.95wt％，聚合物盐的用量为0.2～0.8wt％，乙二胺四乙酸盐的用量为0.05～2.0wt％，多聚磷酸酯盐的用量为0.05～0.8wt％，C2～C6羧酸的用量为0.2～0.8wt％。本发明的稀土抛光液的稀土磨粉的质量浓度较高，可达50wt％以上，且其比较稳定，不易分层，不易板结，可用于曲面玻璃盖板抛光。
59	一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂及其制备方法	CN202310956596.1	2023-08-01	CN116970342A	2023-10-31	周超锋; 李勃; 王续; 解立新; 季云桂; 杨筱
本发明公开了一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂，以重量份数计，磨抛剂由如下组分制成：改性多晶金刚石0.5～35份、D120溶剂油60～80份、分散剂0.5～5份、悬浮剂1～10份、润滑剂0.5～5份、表面活性剂0.5～5份；制备方法包括如下步骤：将改性多晶金刚石、D120溶剂油加入到配液桶中，超声搅拌5～10min，然后加入分散剂和悬浮剂，超声搅拌5～10min，最后加入润滑剂和表面活性剂，超声搅拌5～10min，混合均匀后得到所述磨抛剂；改性多晶金刚石微粉能够在介质中长期、稳定分散，制备得到的磨抛剂具有良好的冷却性和清洗性、优越的润滑性、高悬浮性、高团聚抑制能力。
60	一种硅抛光液的制备方法	CN202211723342.7	2022-12-30	CN115975510B	2023-10-31	雷双双; 田建颖; 井锋; 张俊华
先本发明涉及一种硅抛光液的制备方法，包括如下步骤：所述硅抛光液包括如下重量百分含量的组分：硅溶胶60‑75％、pH调节剂2‑10％、耐碱消泡剂0.005‑0.2％、表面活性剂0.002‑0.05％，余量为去离子水；(1)将pH调节剂与去离子水先预混均匀得到预混液；(2)使所述预混液经过第一过滤后抽入至搅拌中的硅溶胶中，而后进行液循环过滤，所述循环过滤是先经过第二过滤，再经过第三过滤，待所述循环过滤结束后得到过程液；(3)在所述过程液中依次加入耐碱消泡剂和表面活性剂，加料完成后搅拌均匀即得到成品硅抛光液，所述硅抛光液具有高的去除速率、无泡沫、抛光后的硅片表面无抛光痕、腐蚀等问题。

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