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81	一种氧化铝抛光液及其制备方法	CN202310154143.7	2023-06-29	CN116515401A	2023-08-01	柴杰; 刘金凤
本发明涉及抛光技术领域，具体涉及一种氧化铝抛光液及其制备方法。本发明公开了一种氧化铝抛光液及其制备方法，氧化铝抛光液包括氧化铝、氧化剂和添加剂；所述添加剂采用改性剂和分散剂复配；所述改性剂和分散剂的质量配比为(0.8‑1):(1‑0.75)；所述改性剂采用聚乙烯吡咯烷酮；所述分散剂包括十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、聚乙二醇、聚丙烯酸及聚丙烯酸盐中的至少一种。本发明通过改性剂和分散剂复配，对氧化铝有很强的分散、悬浮能力，使得本发明的抛光液有很好的抛光效率及表面质量。
82	一种化学机械抛光液及其使用方法	CN202210066663.8	2022-01-20	CN116515397A	2023-08-01	姚颖; 王欣; 荆建芬; 邱欢; 明伟; 陆弘毅; 李昀; 魏佳; 郑闪闪; 汪国豪; 王苗苗
本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。
83	一种二氧化硅溶胶的制备方法及蓝宝石化学机械抛光液	CN201910968513.4	2019-10-12	CN110668451B	2023-07-21	张泽芳; 张文娟
本发明涉及化工领域，具体涉及一种二氧化硅溶胶的制备方法及蓝宝石化学机械抛光液。一种二氧化硅溶胶的制备方法包括如下步骤：1)提供聚硅酸，将聚硅酸升温加热后，搅拌下加入碱，得溶液A；2)向所述步骤1)的溶液A中搅拌下加入丙三醇，得溶液B；3)向所述步骤2)的溶液B中搅拌下滴加碱，得二氧化硅溶胶。本发明二氧化硅溶胶为软团聚磨料，在提高抛光速率的同时能有效减少抛光过程中的划伤问题。
84	一种2系铝合金的无烟化学抛光液及其抛光工艺	CN202310338161.0	2023-03-31	CN116445087A	2023-07-18	彭泽清
本发明公开了一种2系铝合金的无烟化学抛光液，包括两酸+添加剂，所述两酸为磷酸和硫酸，所述添加剂包括铝粉、氧化剂、光亮剂、大分子有机化合物、有机溶剂、无机化合物；具体配比为每升抛光液含磷酸：硫酸体积比为2～2.5：1，铝粉4‑8克/升，氧化剂6‑10克/升，光亮剂4‑6克/升，大分子有机化合物0.1‑0.3克/升，有机溶剂1.5‑4.5克/升，无机化合物0.5‑0.8克/升。还公布了抛光工艺。本发明很好地解决了两酸化学抛光适用材料范围窄和光亮度低的问题，其抛光亮度可以达到甚至超过三酸化学抛光，也不存在严重的点蚀；也解决了常规三酸化学抛光带来的环境污染和威胁人体健康的问题，实现了氮氧化物的零排放。
85	一种合成氧化铈的方法、一种氧化铈及一种化学机械抛光液	CN202111658452.5	2021-12-30	CN116409809A	2023-07-11	刘同君; 尹先升; 冯家辉; 李节; 翁绍亮
本发明提供一种合成氧化铈的方法，包括：S1.准备原料，配制铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液；S2.晶化合成，将铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液送入反应釜中进行晶化反应，反应全程通入惰性气氛保护；S3.经洗涤、分散、过滤得到氧化铈颗粒。无需高温焙烧，最终得到的氧化铈颗粒粒径均匀，粒径分布窄，易于分散成为DLS：50nm～300nm的氧化铈抛光液，且粒径可控。能够有效降低对硅晶圆表面的划伤，具有广泛的推广应用价值。
86	半导体晶片表面保护剂	CN201911218723.8	2019-12-03	CN111500196B	2023-07-07	坂西裕一
本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物：R1O‑(C3H6O2)n‑H(1)，式中，R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R2CO表示的基团，上述R2表示碳原子数1～24的烃基，n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～60。
87	一种化学机械抛光液	CN202111627749.5	2021-12-28	CN116355535A	2023-06-30	殷天亮; 郁夏盈; 朱俊立; 董泽同; 王晨
本发明提供一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，硅促进剂，氧化剂，pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液能够在酸性条件下，显著提高多晶硅的去除速度。
88	一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法	CN202310327150.2	2023-03-30	CN116354374A	2023-06-30	王程民; 黄君; 柏向阳; 王大忠; 陆琤
本发明提供了一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法，该方法包括：选取氢氧化铝原料，加入热纯水中，并加入生长剂，配置第一浆液；向所述第一浆液中加入pH调节剂，调节至酸性，研磨，获得氢氧化铝母液；将所述氢氧化铝母液经陶瓷膜洗涤，浓缩，获得第二浆液；将所述第二浆液进行水热晶化处理，处理后经陶瓷膜洗涤，干燥获得氧化铝前驱体；将所述氧化铝前驱体进行煅烧，获得氧化铝粉体。该方法工序简单，易于控制，制得的氧化铝粉体呈平板状结构，形状规则，棱角少，表面平整，粒径及厚度尺寸适宜，适于用作半导体晶圆的精抛材料。
89	一种提高单晶硅片双面率和填充的抛光方法及硅片	CN202310241177.X	2023-03-13	CN116313769A	2023-06-23	刘银生; 滕三月; 李正亮; 乐雄英
本发明公开了一种提高单晶硅片双面率和填充的抛光方法及硅片，先对硅片进行前清洗，去除硅片表面脏污；然后将清洗后的硅片置入抛光溶液中，进行碱抛光，抛出硅片的金字塔，所述抛光溶液采用采用氢氧化钾和抛光添加剂混合形成，氢氧化钾的浓度为1.6‑2.6wt％，抛光添加剂的溶度为0.8‑1.8wt％；再对抛光后的硅片进行后清洗，去除抛光产生的残留物；最后将经过后清洗工序的硅片置于酸性溶液中进行酸洗，营造酸性环境并进一步去除硅片表面的残留物；本发明抛光方法在产线抛光的基础上增强添加剂的保护效果，增强填充因子，同时减小背面塔基尺寸，减少正面熔融硅的腐蚀，通过提升塔基高度，提升背面电流和双面率。
90	一种氧化硅抛光液及其制备方法与应用	CN202310318907.1	2023-03-29	CN116285702A	2023-06-23	姚力军; 惠宏业; 王红瑞; 朱海青
本发明提供了一种氧化硅抛光液及其制备方法与应用，以所述氧化硅抛光液的质量分数为100wt％计，所述氧化硅抛光液包括气相二氧化硅5‑40wt％、稳定剂0.1‑2wt％、促进剂0.1‑2wt％以及余量的pH调节剂与溶剂。本发明提供的氧化硅抛光液以气相二氧化硅为原料，配合稳定剂、促进剂以及pH调节剂的使用，使其能够稳定保存，且具有良好的研磨效果，极大地降低了现有技术中氧化硅抛光液的使用成本。
91	一种高性能磁性剪切增稠抛光介质制备方法	CN202310266878.9	2023-03-20	CN116285701A	2023-06-23	田业冰; 钱乘; 马振; 马锡峰; 范增华
本发明涉及磁场辅助抛光技术，特别公开了一种高性能磁性剪切增稠抛光介质制备方法，属于抛光技术领域。所述磁性剪切增稠抛光介质以质量分数100%计，包括5%‑35%的分散相、35%‑75%的分散介质、1%‑10%的添加剂、10%‑40%的磁性颗粒和5%‑25%的磨粒。所述分散相为平均粒径7‑40 nm的亲水性纳米气相二氧化硅，所述分散介质为聚乙二醇，其中分散相占剪切增稠相的质量分数为15%‑26%。利用油浴加热增加分散介质的溶解度、机械搅拌的高效率、超声分散的高能量，制备了高浓度且性能优异的剪切增稠体系。基于剪切增稠体系，添加磁性颗粒以及磨粒制备磁性剪切增稠抛光介质。磁性剪切增稠抛光介质可在“磁化增强”与“剪切增稠”双重效应下形成“增强柔性仿形粒子簇”进行高效高质抛光。
92	一种高Ce3+比纳米氧化铈抛光液及制备方法和在砷化镓抛光中的应用	CN202310134200.5	2023-02-17	CN116285700A	2023-06-23	王杰; 钱金龙; 杨小牛; 袁黎光; 黄晓伟; 楚慧颖
本发明公开了一种高Ce3+比纳米氧化铈抛光液及制备方法和在砷化镓抛光中的应用，该抛光液以纳米氧化铈作为磨粒，所述纳米氧化铈的制备：以碘代烷溶液作为稳定剂，以4‑乙烯基吡啶为还原剂，将其与铈盐混合，再加入含有分散剂的有机碱溶液，形成pH为10‑12的反应混合物，对混合物进行水热处理，制得一次粒径为20‑50nm，形貌带有棱角的纳米氧化铈。以本发明制备纳米氧化铈粉体为磨料的CMP抛光液，很好地控制D90大颗粒，拥有极高的分散性，不添加强氧化剂，保证抛光液的稳定性，从而确保不会划伤抛光件的表面，更容易获得高精度的表面面型效果。
93	一种抛光液及其制备方法和应用	CN202211404856.6	2022-11-10	CN115785818B	2023-06-20	奂微微; 王英剑; 薛军明; 陈浪; 杨锋
本发明公开了一种抛光液及其制备方法和应用，属于抛光液制备技术领域。所述抛光液由以下重量份的原料制成：50～90份改性氧化铝；10～20份氧化锆；1～3份改性氧化铈；3～8份分散剂；0.1～1份表面活性剂；0.5～0.5份pH调节剂；20～40份水。所述抛光液的制备包括：将改性氧化铝、改性氧化铈、氧化锆加入到水中，随后加入分散剂和表面活性剂，搅拌均匀；接着加入pH调节剂，再次搅拌均匀。本发明对氧化铝和氧化铈进行掺氟改性，降低了粒子的团聚倾向性，提高了体系的稳定性；同时，掺氟改性后的氧化铝及氧化铈和氧化锆配合使用，优选分散剂和表面活性剂种类，保证了超高的抛光去除速率和抛光质量。
94	低磨损二氧化硅颗粒的水性组合物	CN201710977476.4	2017-10-17	CN107964374B	2023-06-20	郭毅; D·莫斯利; M·万哈尼赫姆
本发明提供了化学机械平坦化(CMP)抛光水性组合物，其具有2.5到5.3范围内的pH且包含球形胶态二氧化硅颗粒和按所述CMP抛光水性组合物中的二氧化硅固体总重量计30到99wt.％的细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒的混合物，其中所述胶态二氧化硅颗粒和细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒的重量平均粒度(CPS)彼此相差小于20nm，其中所述球形胶态二氧化硅颗粒和所述细长、弯曲或结节状二氧化硅颗粒中的至少一种含有一个或多个阳离子型氮原子。本发明进一步提供在高下压力CMP抛光应用中使用所述组合物的方法。
95	一种化学机械抛光液及其使用方法	CN202111503235.9	2021-12-09	CN116254055A	2023-06-13	朱薇菡; 王嵩; 孙沉敏; 孙金涛; 谭明月; 顾钦源; 董泽同; 王晨
本发明提供一种用于高电介质铝金属栅极结构的化学机械抛光液，包括经阴离子型聚合物处理后的纳米α‑氧化铝颗粒，有机羧酸，氨基酸类硅促进剂，氧化剂，水和pH调节剂。本发明的化学机械抛光液能够解决具有负电表面的氧化铝颗粒在酸性pH条件下的硅抛光速度偏慢的问题，通过使用氨基酸类化合物能够有效提高该抛光液体系对硅的抛光速度，且不影响氧化硅等材料的抛光速率，具有广泛的推广应用价值。
96	一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法	CN202310110785.7	2023-01-16	CN116246950A	2023-06-09	王蓉; 李佳君; 皮孝东; 沈典宇; 高万冬; 杨德仁
本发明涉及碳化硅加工技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法。本发明提供粗磨或精磨后的碳化硅晶片，将碳化硅晶片进行碱腐蚀,将碱腐蚀后的碳化硅晶片置于显微镜下拍照获得灰度图，调整灰度图的阈值后，得到位错图，再对位错图进行位错表征和统计，最后将位错表征和统计后的碳化硅晶片进行后续抛光加工工艺。本发明利用加工过程中粗磨或精磨后的碳化硅晶片进行碱腐蚀，由于位错腐蚀坑的深度和加工损伤形成的腐蚀坑的深度不同，使得位错腐蚀坑和加工损伤腐蚀坑的衬度也不同，通过对灰度图的阈值调整，排除加工损伤形成的腐蚀坑，使得位错图中全部为位错腐蚀坑，有利于计算机软件读取图片信息进行位错类型区分和统计。
97	废弃稀土抛光粉的再生利用方法	CN202211741947.9	2022-12-29	CN116218383A	2023-06-06	杨建文; 陈振宇; 余凤莲; 刘利林
本发明提供一种废弃稀土抛光粉的再生利用方法，包括以下步骤：步骤S1、对废弃稀土抛光粉进行筛分处理以去除大粒径杂质，并将筛分后的废弃稀土抛光粉进行研磨处理以得到小粒径废弃稀土抛光粉；步骤S2、将小粒径废弃稀土抛光粉放入容器中，加入碱溶液，加热搅拌进行碱浸消解；步骤S3、将步骤S2得到的反应物依次进行过滤处理和清洗处理；步骤S4、将步骤S3得到的反应物放入干燥箱中进行干燥处理；步骤S5、将步骤S4所得干燥后的稀土抛光粉进行研磨，最终得到所需粒径的稀土抛光粉。通过采用碱式回收处理工艺，可以极大的降低生产成本，简化了工艺流程，有利于废弃稀土抛光粉的回收利用。
98	研磨用组合物	CN202010205869.5	2020-03-23	CN111748283B	2023-06-06	篠田敏男; 伊藤大辉
[课题]本发明的课题在于，提供一种新型的研磨用组合物，其能以相同的速度且以高速研磨2种以上的研磨对象物。[解决方案]一种研磨用组合物，其用于对研磨对象物进行研磨，其包含磨粒、有机化合物和液体载体，前述磨粒的每单位表面积的硅烷醇基数超过0个/nm2且为2.5个/nm2以下。前述有机化合物具有膦酸基团或其盐的基团。
99	一种制备氧化铈纳米复合物的方法、一种氧化铈纳米复合物及一种化学机械抛光液	CN202111466639.5	2021-11-30	CN116200128A	2023-06-02	王兴平; 徐鹏宇; 陈寅斌; 李守田
本发明提供一种制备氧化铈纳米复合物的方法，包括，第一步：将阴离子表面修饰剂与纳米氧化铈颗粒的水分散液接触制得表面带有负电荷的氧化铈纳米复合物，所述阴离子表面修饰剂选自无机多元酸及其衍生物、阴离子有机高分子；第二步：将阳离子表面修饰剂与第一步中带负电的氧化铈纳米复合物接触制得表面带正电的氧化铈纳米复合物，所述阳离子表面修饰剂选自无机路易斯酸及其衍生物、阳离子有机高分子。本发明通过对纳米氧化铈进行表面修饰实现对其化学机械抛光性能的调节，能够解决负电荷氧化铈颗粒氧化硅抛光速度不够高，平坦化效率低的问题。
100	一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法	CN202210148912.8	2022-02-18	CN114350264B	2023-06-02	潘国峰; 王昊; 夏荣阳; 何平; 孙鸣; 杨学莉; 王辰伟
本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，适合规模化工业生产的需要；抛光后，钴表面粗糙度可达为0.60nm。

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