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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
61	化合物锗酸铌铯双折射晶体及其制备方法和用途	CN202211012203.3	2022-08-23	CN115506022B	2024-04-05	李从刚; 赵文礼; 胡章贵; 吴以成
化合物锗酸铌铯双折射晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式为Cs3Nb5GeO16，是将含铯、铌、锗三种元素的化合物原料混合并充分研磨，采用固相烧结获得锗酸铌铯纯相；将所得化合物锗酸铌铯与助熔剂的混合物，升温化料获得均一的未饱和溶液，或直接将含铯化合物、含铌化合物和含锗化合物与助熔剂的混合物升温熔化；利用铂金丝将锗酸铌铯籽晶缓慢下降至接触液面或液面以下进行回熔处理，然后降温至饱和温度以下或恒温生长，获得本发明产品。本发明产品在锗酸盐体系中具有最大的实验双折射值，透过范围宽，热稳定性高，不易潮解，在制作格兰型棱镜、洛匈棱镜、尼克尔棱镜等偏振分束棱镜或者光隔离器以及光束位移器中有极其重要的应用。
62	一种在单晶高温合金的表面制备铂改性铝化物涂层的方法	CN202210373454.8	2022-04-11	CN114737229B	2024-04-05	王新广; 陶稀鹏; 周亦胄; 梁静静; 孙晓峰
本发明提供一种在单晶高温合金的表面制备铂改性铝化物涂层的方法，包括如下步骤：对单晶高温合金铸态件进行固溶处理，得到固溶处理后的单晶高温合金件；对固溶处理后的单晶高温合金件进行电镀Pt处理，得到表面镀有Pt层的单晶高温合金件；对表面镀有Pt层的单晶高温合金件进行退火处理，得到退火处理后的单晶高温合金件；对退火处理后的单晶高温合金件进行渗铝处理，得到渗铝处理后的单晶高温合金件；对渗铝处理后的单晶高温合金件进行时效处理，得到表面具有铂改性铝化物涂层的单晶高温合金。本发明在简化热处理步骤的基础上，实现了单一(Ni,Pt)Al相结构的涂层的制备，且制备的涂层具有优异的抗高温氧化性。
63	单晶型钠离子电池正极材料及其制备方法、钠离子电池	CN202311642639.5	2023-12-01	CN117810437A	2024-04-02	徐雅文; 宋顺林; 王俊; 刘亚飞; 陈彦彬
本发明涉及钠离子电池领域，公开了单晶型钠离子电池正极材料及其制备方法、一种钠离子电池。所述正极材料的单晶颗粒圆润度R与通过SEM测得的单晶颗粒的尺寸分布集中度BP90之间满足以下关系：0.4≤R/BP90≤0.9；所述正极材料中团聚颗粒的比例C≤5％。该单晶型钠离子正极材料的单晶颗粒圆润度和单晶颗粒的尺寸分布集中度之间满足特定的关系，表明该正极材料能够同时兼顾自身圆润度及颗粒间级配关系，进而具有高的压实密度，将其用于钠离子电池时，能够有效改善钠离子电池的能量密度、循环稳定性以及热稳定性。
64	一种在砷化镓衬底上生长InP 薄膜的方法	CN202211173584.3	2022-09-26	CN117810067A	2024-04-02	黄文洋; 堀川英明; 永井久隆
本发明公开了一种在砷化镓衬底上生长InP 薄膜的方法，应用于InP薄膜制备技术领域以砷化镓为衬底生长InP薄膜，可以极大的降低InP薄膜制备时所花费的成本；使用砷化镓衬底生长GaxIn(1‑x)P层，当x＜0.5时，GaxIn(1‑x)P相对砷化镓衬底会产生压应力，再生长AlxIn(1‑x)P层，当x＜0.5时，AlxIn(1‑x)P相对砷化镓衬底会产生张应力，交替生长GaxIn(1‑x)P层与AlxIn(1‑x)P层则可以使得应力缓冲层中应力平衡从而消除应力，再逐步降低GaxIn(1‑x)P层中镓组分以及AlxIn(1‑x)P层中铝组分，可以最终趋向生长成InP层。
65	一种单晶籽晶清洗方法	CN202311672659.7	2023-12-07	CN117802585A	2024-04-02	付星月; 王艺澄; 王军磊; 何玉玺
本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种单晶籽晶清洗方法。本发明结合对硝酸溶液与氢氟酸溶液的体积比的控制、对腐蚀槽摆动角度和摆动速度的控制，对使用后表面发彩、发白的籽晶进行腐蚀清洗，以实现提高籽晶表面质量的目的，避免了籽晶表面整体腐蚀不均匀的问题，且通过对单次腐蚀时间和冷却过程时间的控制，避免了籽晶过度腐蚀的问题，提高了籽晶的使用寿命。
66	一种蓝宝石连续加料装置	CN202410135478.9	2024-01-31	CN117802569A	2024-04-02	胡动力; 李扬; 马文龙; 彭亦奇
本发明是一种蓝宝石连续加料装置，其结构包括坩埚、模具和感应加热器，感应加热器环绕坩埚外侧设置，模具设置在坩埚内，模具内设有毛细管形成的狭缝，还包括出料口连通坩埚进料端的连续加料装置本体，连续加料装置本体包括加料仓和加料管，加料仓包括储料罐和进料端连接储料罐底部出料端的振动加料器，振动加料器出料端连接加料管进料端，加料管出料端连通坩埚进料端。本发明的优点：结构设计合理，使用连续加料的方式，使导模法生长蓝宝石晶体可以有效减少化料及退火冷却步骤在晶体生长过程中的占比，同时显著提升产量。另一方面，使用连续加料的方式可以控制长晶过程中熔体组分保持一致，提升晶体质量，减少晶体中位错及小晶界的产生。
67	一种水冷屏提升机构及晶体生长炉	CN202410197725.8	2024-02-22	CN117802568A	2024-04-02	何川; 袁中华; 刘杰
本发明涉及单晶硅生产设备技术领域，提供一种水冷屏提升机构及晶体生长炉，包括：一对滑槽，对称且竖向地开设于晶体生长炉副室的侧壁；一对提升器，与滑槽一一对应，其上端固定连接于副室、下端作为工作端竖直向下延伸；其中，水冷屏对称设置有进水管与回水管，进水管的横向段自副室内部向外密封穿过一滑槽后与一提升器的工作端相连接，回水管的横向段自副室内部向外密封穿过另一滑槽后与另一提升器的工作端相连接。本发明通过开设于晶体生长炉副室侧壁上的一对滑槽，设置的一对提升器可在不停炉的情况下带动水冷屏上下升降并提出至炉外，有利于对水冷屏进行即时点检、调整修正及清理，避免水冷屏出现漏水、歪斜、不对中、氧化或脏污等情况以造成安全隐患、掉渣断线而影响生产，能够有效提升成晶率和产量。
68	单晶炉冷却水的余热利用系统及余热利用方法	CN202311868995.9	2023-12-29	CN117802566A	2024-04-02	陈奕峰; 杨楠
本申请涉及单晶炉余热利用技术领域，特别是涉及一种单晶炉冷却水的余热利用系统及余热利用方法。以解决相关技术中单晶炉被带出的热量无法得到有效回收和利用的问题。一种单晶炉冷却水的余热利用系统，包括：单晶炉，所述单晶炉包括炉体和设置于所述炉体侧壁的水冷装置，所述水冷装置包括第一冷却水出口和第一冷却水进口；冷却水输送装置，所述冷却水输送装置包括第二冷却水出口和第二冷却水进口，所述第二冷却水出口与所述第一冷却水进口连通；吸收式制冷机，所述吸收式制冷机的热源进口与所述第一冷却水出口连通，所述吸收式制冷机的热源出口与所述第二冷却水进口连通。
69	具有褶皱结构的二维材料及其制备方法和具有超疏水表面的器件	CN202311862157.0	2023-12-29	CN117802467A	2024-04-02	方铉; 苗雪松; 王登魁; 闫昊; 房丹; 翟英娇; 楚学影; 李金华; 范杰; 邹永刚; 王晓华
本申请提供一种具有褶皱结构的二维材料及其制备方法和具有超疏水表面的器件，涉及新材料技术领域。具有褶皱结构的二维材料的制备方法包括：在衬底上预溅射金属得到金属膜，然后将其与第VIA族固态单质置入可加热容器内；在目标温度和工作气体气流存在条件下，反应得到所述具有褶皱结构的二维材料。本申请提供的无需预图案处理化学气相沉积法制备具有褶皱结构的二维材料的方法，无需对衬底预图案化处理或施加热和机械应变等外力，CVD法直接制备大面积均匀且可控的褶皱结构2D材料，此CVD法制备的褶皱结构2D材料具有衬底普适性生长的趋势，可在不同衬底上直接生长。
70	一种热压装置和籽晶粘接热压方法	CN202310773464.5	2023-06-28	CN116770441B	2024-04-02	林育仪; 刘曦; 余明轩
本发明的实施例提供了一种热压装置和籽晶粘接热压方法，涉及碳化硅长晶中的热压技术领域。该热压装置用于在籽晶粘接时对籽晶进行热压，该热压装置包括多个可进行加热的热压头和多个驱动装置。其中，多个驱动装置分别与多个热压头一一对应传动连接。多个热压头由内至外依次嵌套设置，并能够在多个驱动装置的驱动下由内至外依次对籽晶进行热压，以将籽晶粘接时粘接胶层产生的气泡由内至外驱赶排出。多个热压头用于在对籽晶进行热压时，先对籽晶施加压力，然后进行加热。该热压装置和籽晶粘接热压方法能够有效减少籽晶粘接的气泡，提高籽晶的粘接效果，有利于后续工艺中的碳化硅长晶，减少微管产生。
71	一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法	CN202111402222.2	2021-11-19	CN114197045B	2024-04-02	杨万民; 武婷婷; 申婷婷
本发明提供了一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧GdBCO超导块材的方法，包括如下步骤：步骤一、配制固相源粉；步骤二、配制液相源粉；步骤三、压制固相先驱块；步骤四、压制液相源先驱块；步骤五、压制氧化钇Y2O3传输层；步骤六、压制支撑块；步骤七、压制固相圆柱形支柱过渡层；步骤八、制备钕钡铜氧籽晶；步骤九、装配先驱块；步骤十、渗氧处理；该单籽晶制备小批量的钆钡铜氧GdBCO超导块材，不仅大大提高了单个钕钡铜氧NdBCO籽晶的利用率，也提高了钆钡铜氧GdBCO超导块材的制备效率。
72	压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法	CN201880052320.8	2018-11-12	CN111492577B	2024-04-02	堀裕二; 山寺乔纮; 高垣达朗
在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。
73	半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法	CN202280054928.0	2022-08-03	CN117795654A	2024-03-29	佐佐木公平; 林家弘
提供一种氧化镓系的半导体基板、具备该半导体基板和外延膜的半导体晶片、以及半导体晶片的制造方法，该半导体基板能够通过HVPE法形成膜厚分布及施主浓度分布小并且晶体缺陷的密度小的氧化镓系的外延膜。作为一个实施方式，提供一种半导体基板(10)，其是将至少一个主面作为晶体的生长基底面(11)的半导体基板(10)，包括氧化镓系半导体的单晶，生长基底面(11)为(001)面，在生长基底面(11)的70面积％以上的连续的区域中，[010]方向的偏角处于大于‑0.3°且‑0.01°以下的范围或0.01°以上且小于0.3°的范围内，在生长基底面(11)的所述区域中，[001]方向的偏角处于‑1°以上且1°以下的范围内，半导体基板(10)的直径为2英寸以上。
74	制备涂层基材的方法和涂层基材及其用途	CN202280053792.1	2022-08-01	CN117794885A	2024-03-29	凯文·舒克; 克里斯蒂安·赖曼; 迈克尔·朗
本发明涉及制备涂层基材的方法，其中制备第一含水悬浮液和第二含水悬浮液，将第一含水悬浮液的至少一层施加到基材上，将第二含水悬浮液的至少一层施加到已经施加至基材上的第一含水悬浮液的至少一层上，并且对以这种方式的涂层基材进行烧结处理。第一含水悬浮液包含或组成为至少一种耐火金属碳化物、至少一种烧结添加剂、以及水，所述烧结添加剂选自耐火金属硅化物、耐火金属氮化物、耐火金属硼化物、硅、碳化硅、氮化硼、碳化钨、碳化钒、碳化钼、碳化硼及其混合物。第二含水悬浮液同样包含至少一种耐火金属碳化物和水。另外，第二含水悬浮液可以包含至少一种烧结添加剂，该烧结添加剂选自耐火金属硅化物、耐火金属氮化物、耐火金属硼化物、硅、碳化硅、氮化硼、碳化钨、碳化钒、碳化钼、碳化硼及其混合物，其中基于第二含水悬浮液的总重量，在第二含水悬浮液中的至少一种烧结添加剂的重量百分比，小于在第一含水悬浮液中的至少一种烧结添加剂基于第一含水悬浮液的总重量的重量百分比。或者，第二含水悬浮液可以不含添加剂。本发明还涉及使用根据本发明的方法制备的涂层基材或能够使用根据本发明的方法制备的涂层基材，以及这种涂层基材的用途。
75	晶圆外延生长的工艺温度确定方法和晶圆处理方法	CN202311820293.3	2023-12-27	CN117790368A	2024-03-29	成航航; 王力; 李佳成
本发明提供了一种晶圆外延生长的工艺温度确定方法和晶圆处理方法，涉及半导体技术领域，包括：在反应腔室内处于至少一个测试温度下，通过公共传输单元将待检测晶圆转运至反应腔室内和/或将待检测晶圆从反应腔室内转运出；获取每一所述测试温度下，待检测晶圆经过转运后的品质检测结果；根据品质检测结果，确定通过公共传输单元将待检测晶圆转运至反应腔室时反应腔室内的目标温度和/或将待检测晶圆从反应腔室内转运出时反应腔室内的目标温度。在本发明方案确定的目标温度下，通过公共传输单元将转运至反应腔室内和/或通过公共传输单元将晶圆从反应腔室内转运出，即可以实现在浪费晶圆数量少、时间短的情况下，获得品质良好的晶圆。
76	一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法	CN202311833546.0	2023-12-28	CN117779204A	2024-03-29	史鲁川; 赵建发; 靳常青
本发明涉及一种Cu1234超导体临界电流密度提升的方法，属于超导材料技术领域，用以解决现有技术方法合成的Cu1234超导体多晶块体材料的实际临界电流密度低于晶粒本征临界电流密度的问题。本发明的方法将制备的Cu1234超导体多晶块体材料在特定的温度及氧气氛围中进行热处理，通过特定的热处理温度和热处理时间设置，可以使样品能够充分释放内应力，连续调控晶格中氧含量，改善晶界弱连接和晶格畸变等造成多晶块体材料实际电流密度降低的问题，有效提高Cu1234超导体多晶块体材料的临界电流密度Jc。
77	晶棒称重装置、单晶炉和晶棒生长方法	CN202311788847.6	2023-12-22	CN117779192A	2024-03-29	安玉瑞
本发明涉及一种晶棒称重装置，包括：提拉结构，包括驱动轮、从动轮和钨丝绳，所述钨丝绳的一端连接于所述驱动轮上，所述钨丝绳的另一端绕过所述从动轮连接于晶棒的一端；称重结构，所述称重结构的一端通过连接件与所述从动轮连接；调整结构，设置于所述称重结构和所述连接件之间，所述调整结构被配置为调整所述从动轮在第一平面上的位置，以使得所述从动轮的绕绳槽和所述驱动轮的绕绳槽进行对位，所述第一平面与晶棒的提拉方向相垂直。本发明还涉及一种单晶炉和晶棒生长方法。
78	一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法	CN202410205388.2	2024-02-26	CN117779180A	2024-03-29	蔡金荣; 陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙
本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其包括周向设置的坩埚壁，坩埚壁围绕形成的空腔包括自上而下设置的生长仓和储料仓；加热部，其沿生长仓的外侧的周向设置；坩埚套筒，其包括坩埚套筒壁和坩埚套筒底，坩埚套筒壁套设于坩埚壁的外部，坩埚套筒壁相对坩埚壁升降运动；柱塞，其设置于坩埚套筒底的上部并与坩埚套筒底固定连接，其顶部套设在储料仓的坩埚壁的内部，其与储料仓的坩埚壁内壁滑动配合；坩埚盖，其盖于坩埚套筒的上方，其与坩埚套筒壁固定连接，其下部用于安装籽晶；升降机构，其设置于坩埚盖的上部，生长装置的使用能向生长仓中补充原料，生长出大尺寸的碳化硅单晶。
79	一种单晶生长装置和单晶生长方法	CN202410199685.0	2024-02-23	CN117779179A	2024-03-29	蔡金荣; 陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙
本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种单晶生长装置和单晶生长方法，包括：充气部，其整体安装在保温罩的中部开口处，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口；芯轴，其至少部分套设在第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，且位于芯轴进气口和芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且芯轴与充气部在沿气流方向上能相对移动，通过凸起部调节经第一气流通道流向侧面出气口和第二气流通道的气流比例。本发明能够实现对坩埚上端面的温度调控，保证坩埚上端面温度均匀，提高单晶的生长稳定性，从而利于单晶的优质生长。
80	圆筒形硅锭的制造方法	CN202311166953.0	2023-09-11	CN117779177A	2024-03-29	薛光熙; 李瑞桓
本发明涉及一种圆筒形硅锭的制造方法，其包括：向坩埚内部供给硅原料，通过加热上述坩埚使上述硅原料熔化的步骤；将一端紧固于晶种轴上的晶种供给到坩埚内部的步骤；及通过使坩埚相对于晶种轴在一个方向上旋转，并使晶种轴在另一个方向上旋转并上升，以将晶种从坩埚的下部移动到上部的步骤。根据本发明，由于生长环状晶种，因此可以制造圆筒形硅锭，并且形成具有内径的圆筒形硅锭，从而可以由铸锭制造晶圆保持环而无需取芯工作，因此可以通过减少添加于坩埚的原材料量，以降低成本，使工人伤害最小化，减少工艺步骤，提高工艺速度和效率，使缺陷率最小化，降低制造成本。

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