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1. 发明专利

TW201811995A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201811995A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106114759
申请日：2017-05-04
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA , 塙洋祐 , HANAWA, YOSUKE , 灘原壮一 , NADAHARA, SOICHI , 上田大 , UEDA, DAI , 北川広明 , KITAGAWA, HIROAKI , 奧村勝弥 , OKUMURA, KATSUYA
IPC分类号： C11D7/30 , C11D7/26 , C11D11/00 , B08B3/08 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要：本發明係一種基板處理裝置，其特徵在於：具備對基板W之圖案形成面供給含有熔解狀態之昇華性物質之處理液的供給機構、使上述處理液於上述形成面上凝固而形成凝固體的凝固機構、使上述凝固體昇華而自上述形成面去除的昇華機構，並且上述昇華性物質含有氟碳化合物。
简体摘要：本发明系一种基板处理设备，其特征在于：具备对基板W之图案形成面供给含有熔解状态之升华性物质之处理液的供给机构、使上述处理液于上述形成面上凝固而形成凝固体的凝固机构、使上述凝固体升华而自上述形成面去除的升华机构，并且上述升华性物质含有氟碳化合物。

2. 发明专利

TW201921470A 基板處理裝置以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201921470A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125730
申请日：2018-07-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田大 , UEDA, DAI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明係提供一種能夠防止霜附著到冷卻噴嘴的吐出口之基板處理裝置及基板處理方法。在冷卻噴嘴30為對基板吐出冷卻氣體的動作狀態時，第一擋門35將吐出口37開放並且第二擋門36將洩漏開口38封閉，藉此被饋送至冷卻噴嘴30的冷卻氣體係從吐出口37被吐出。另一方面，在冷卻噴嘴30為待機狀態時，第一擋門35將吐出口37封閉並且第二擋門36將洩漏開口38開放，藉此被饋送至冷卻噴嘴30的冷卻氣體係從洩漏開口38被釋放出。在待機狀態時，由於僅從不同於吐出口37的洩漏開口38釋放出冷卻氣體，因此能夠防止霜附著到冷卻噴嘴30的吐出口37。
简体摘要：本发明系提供一种能够防止霜附着到冷却喷嘴的吐出口之基板处理设备及基板处理方法。在冷却喷嘴30为对基板吐出冷却气体的动作状态时，第一挡门35将吐出口37开放并且第二挡门36将泄漏开口38封闭，借此被馈送至冷却喷嘴30的冷却气体系从吐出口37被吐出。另一方面，在冷却喷嘴30为待机状态时，第一挡门35将吐出口37封闭并且第二挡门36将泄漏开口38开放，借此被馈送至冷却喷嘴30的冷却气体系从泄漏开口38被释放出。在待机状态时，由于仅从不同于吐出口37的泄漏开口38释放出冷却气体，因此能够防止霜附着到冷却喷嘴30的吐出口37。

3. 发明专利

TW202030776A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202030776A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108144021
申请日：2019-12-03
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 上田大 , UEDA, DAI
IPC分类号： H01L21/02 , B08B3/08
摘要：本發明之基板處理方法包含：處理液供給工序，其係朝向基板之表面供給具有溶質及溶劑之處理液；處理膜形成工序，其係使已供給至上述基板之表面之上述處理液固化或硬化，而於上述基板之表面形成保持存在於上述基板之表面的去除對象物之處理膜；剝離工序，其係藉由對上述基板之表面供給剝離液形成液而使上述剝離液形成液接觸上述處理膜而形成剝離液，利用上述剝離液將保持有上述去除對象物之狀態之上述處理膜自上述基板之表面剝離；及去除工序，其係藉由於上述處理膜剝離後繼續供給上述剝離液形成液，於使上述去除對象物保持於上述處理膜之狀態下，將上述處理膜洗除而自上述基板之表面去除。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：处理液供给工序，其系朝向基板之表面供给具有溶质及溶剂之处理液；处理膜形成工序，其系使已供给至上述基板之表面之上述处理液固化或硬化，而于上述基板之表面形成保持存在于上述基板之表面的去除对象物之处理膜；剥离工序，其系借由对上述基板之表面供给剥离液形成液而使上述剥离液形成液接触上述处理膜而形成剥离液，利用上述剥离液将保持有上述去除对象物之状态之上述处理膜自上述基板之表面剥离；及去除工序，其系借由于上述处理膜剥离后继续供给上述剥离液形成液，于使上述去除对象物保持于上述处理膜之状态下，将上述处理膜洗除而自上述基板之表面去除。

4. 发明专利

TW201826341A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201826341A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106144716
申请日：2017-12-20
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：塙洋祐 , HANAWA, YOSUKE , 上田大 , UEDA, DAI , 佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , F26B5/04
摘要：本發明提供一種可減少基板上之圖案之倒塌之基板處理方法及基板處理裝置。本發明之基板處理方法之特徵在於：包含對基板W之圖案形成面供給含有熔解狀態之昇華性物質之處理液的供給步驟S13、使上述處理液於上述圖案形成面上凝固而形成凝固體63的凝固步驟S14、使凝固體63昇華而自上述圖案形成面去除的昇華步驟S15、以及將凝固體63昇華時於昇華界面析出之有機物去除的有機物去除步驟S16、S17，且有機物去除步驟S16、S17與昇華步驟S15至少重疊進行。
简体摘要：本发明提供一种可减少基板上之图案之倒塌之基板处理方法及基板处理设备。本发明之基板处理方法之特征在于：包含对基板W之图案形成面供给含有熔解状态之升华性物质之处理液的供给步骤S13、使上述处理液于上述图案形成面上凝固而形成凝固体63的凝固步骤S14、使凝固体63升华而自上述图案形成面去除的升华步骤S15、以及将凝固体63升华时于升华界面析出之有机物去除的有机物去除步骤S16、S17，且有机物去除步骤S16、S17与升华步骤S15至少重叠进行。

5. 发明专利

TWI700740B 基板處理裝置以及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TWI700740B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107125730
申请日：2018-07-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田大 , UEDA, DAI
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明专利

TWI690989B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI690989B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108104885
申请日：2019-02-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田大 , UEDA, DAI , 佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA , 塙洋祐 , HANAWA, YOSUKE , 北川広明 , KITAGAWA, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

TWI611502B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI611502B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105141210
申请日：2016-12-13
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：北川廣明 , KITAGAWA, HIROAKI , 上田大 , UEDA, DAI , 宮勝彥 , MIYA, KATSUHIKO
IPC分类号： H01L21/68 , G02F1/135 , G02F1/1333 , B08B3/02
CPC分类号： F25B21/02 , B05D3/10 , B08B7/0014 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/68764

8. 发明专利

TW202004893A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202004893A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118479
申请日：2019-05-29
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD. , 德商馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI , 上田大 , UEDA, DAI , 張松 , ZHANG, SONG , 長原達郎 , NAGAHARA, TATSURO , 絹田貴史 , KINUTA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/306 , B08B3/04
摘要：本發明之基板處理方法包含：處理液供給步驟，其係對具有存在凹凸之圖案面之基板之上述圖案面供給處理液；處理膜形成步驟，其係使供給至上述圖案面之上述處理液固化或硬化，以追隨該圖案面之凹凸之方式形成保持上述圖案面上存在之去除對象物之處理膜；及去除步驟，其係對上述圖案面供給剝離液，將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述圖案面剝離，邊維持上述去除對象物被上述處理膜保持之狀態邊將上述處理膜自上述基板去除。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：处理液供给步骤，其系对具有存在凹凸之图案面之基板之上述图案面供给处理液；处理膜形成步骤，其系使供给至上述图案面之上述处理液固化或硬化，以追随该图案面之凹凸之方式形成保持上述图案面上存在之去除对象物之处理膜；及去除步骤，其系对上述图案面供给剥离液，将上述去除对象物与上述处理膜一并自上述图案面剥离，边维持上述去除对象物被上述处理膜保持之状态边将上述处理膜自上述基板去除。

9. 发明专利

TWI645030B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI645030B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106114759
申请日：2017-05-04
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA , 塙洋祐 , HANAWA, YOSUKE , 灘原壮一 , NADAHARA, SOICHI , 上田大 , UEDA, DAI , 北川広明 , KITAGAWA, HIROAKI , 奧村勝弥 , OKUMURA, KATSUYA
IPC分类号： C11D7/30 , C11D7/26 , C11D11/00 , B08B3/08 , H01L21/67 , H01L21/02

10. 发明专利

TW201838063A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201838063A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107105297
申请日：2018-02-13
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田大 , UEDA, DAI , 長谷川愛子 , HASEGAWA, AIKO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30 , H01L21/306
摘要：包括有在基板上表面形成液膜再使其凝固之製程的基板處理技術，能在短時間內使液膜良好地凝固至基板周緣部。基板處理裝置1係具備有：基板保持部11、處理液供應部84及冷媒供應部86；上述基板保持部11係保持著基板W之周緣部，一邊將基板W呈水平姿勢支撐，一邊使基板圍繞平行於鉛直方向的旋轉軸進行旋轉；上述處理液供應部84係朝基板W的上表面供應處理液，使處理液的液膜形成；上述冷媒供應部86係從基板W下方朝基板W下表面供應較處理液凝固點更低溫之流體冷媒，而使液膜凝固；其中，冷媒供應部86係在開始朝基板W下表面的旋轉中心供應既定流量冷媒後，使朝基板W下表面之周緣部所供應之冷媒的流速與供應量之至少其中一項經時性增加。
简体摘要：包括有在基板上表面形成液膜再使其凝固之制程的基板处理技术，能在短时间内使液膜良好地凝固至基板周缘部。基板处理设备1系具备有：基板保持部11、处理液供应部84及冷媒供应部86；上述基板保持部11系保持着基板W之周缘部，一边将基板W呈水平姿势支撑，一边使基板围绕平行于铅直方向的旋转轴进行旋转；上述处理液供应部84系朝基板W的上表面供应处理液，使处理液的液膜形成；上述冷媒供应部86系从基板W下方朝基板W下表面供应较处理液凝固点更低温之流体冷媒，而使液膜凝固；其中，冷媒供应部86系在开始朝基板W下表面的旋转中心供应既定流量冷媒后，使朝基板W下表面之周缘部所供应之冷媒的流速与供应量之至少其中一项经时性增加。

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