专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6423290B2 成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP6423290B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2015044352
申请日：2015-03-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木祐介
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/345 , C23C14/352 , H01J37/3447

2. 发明专利

JP2017523313A 基板処理チャンバ内で使用するための冷却式プロセスツールアダプタ审中-公开
公开(公告)号：JP2017523313A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2017516639
申请日：2015-05-18
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ウィリアムアールフラクターマン , ウィリアムアールフラクターマン , マーティンリーライカー , マーティンリーライカー , キースエイミラー , キースエイミラー , アントニーインファンテ , アントニーインファンテ
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/683
CPC分类号： C23C14/345 , H01J37/32522 , H01J37/3411 , H01J37/3447
摘要：基板処理チャンバ内で使用するための冷却式プロセスツールアダプタの実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、冷却式プロセスツールアダプタは、中心開口を取り囲む環状体と、環状体内に配置された冷却剤チャネルと、中心開口内でプロセスツールを支持しやすくするための1つまたは複数の特徴と、環状体内に配置され、冷却剤チャネルに流体的に結合された入口および出口と、環状体をバイアス電源に結合するための端子を有する環状体に結合された電力接続とを含む。【選択図】図3

3. 发明专利

JP6095829B2 スパッタリング装置および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6095829B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2016087356
申请日：2016-04-25
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：石原繁紀 , 小長和也 , 戸谷寛行 , 須田真太郎 , 安松保志 , 藤本雄 , 中澤俊和 , 中村英司 , 今井慎
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/352 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3447

4. 发明专利

JP5969953B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP5969953B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013115045
申请日：2013-05-31
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：瀬川利規 , 大庭尚樹 , 黒川好徳
IPC分类号： C23C16/54 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3277 , C23C14/562 , H01J37/32513 , H01J37/32733 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01L21/67132 , H01J2237/162 , H01J2237/20278 , H01J2237/332

5. 发明专利

JPWO2013179544A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译：磁控溅射装置
公开(公告)号：JPWO2013179544A1
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014518238
申请日：2013-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：亨北田 , 亨北田 , 貫人中村 , 貫人中村 , 五味　淳 , 淳五味 , 哲也宮下 , 哲也宮下
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332
摘要：【課題】磁性材料からなるターゲットを用いてマグネトロンスパッタを行うにあたり、装置の生産性を高くすることができる技術を提供すること。【解決手段】基板上にて、当該基板の中心軸から前記基板の面に沿った方向にその中心軸が偏移して配置され、磁性材料からなるターゲットである円筒体と、この円筒体を当該円筒体の軸周りに回転させる回転機構と、前記円筒体の空洞部内に設けられたマグネット配列体と、前記円筒体に電圧を印加する電源部と、を備える装置を構成する。そして、前記マグネット配列体の前記円筒体の軸と直交する断面形状は、円筒体の周方向における両端部よりも中央部が当該円筒体の周面側に突出している。これによって、厚さが比較的大きいターゲットを用いても、ターゲットから漏洩する磁場の強度の低下を抑え、且つエロ−ジョンの局所的な進行を抑えることができる。【選択図】図1
摘要翻译：甲在使用由磁性材料制成的一个目标，提供一种技术，该技术能够提高设备的生产率进行磁控溅射。在一种基板，其从在沿所述衬底的表面的方向上的衬底的中心轴线中心轴线被布置移动，筒状体是由磁性材料制成的一个目标，所述圆柱形主体构成其周围的圆筒体，在筒状体的中空部设置的磁铁阵列，以及用于将电压施加到所述圆柱形主体的电源单元的轴线旋转的旋转机构，所述装置包括：a。垂直于磁体阵列的圆柱形主体的轴线的横截面形状，中央部突出的筒状体的比在圆柱形本体的圆周方向的两端部的外周表面上。因此，即使具有相对大的目标厚度，则抑制在磁场从目标泄漏的强度，和色情的降低 - 可以局部地抑制高级约翰。点域1

6. 发明专利

JP2015086438A 成膜装置审中-公开
标题翻译：胶片沉积装置
公开(公告)号：JP2015086438A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013226336
申请日：2013-10-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：五味淳 , 古川真司 , 中村貫人 , 小野一修
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3423 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要：【課題】複数のターゲットのうち一つのターゲット及び二つのターゲットをステージに対して選択的に露出させることが容易に実現可能であって、安価な成膜装置を提供する。【解決手段】略矩形の複数のターゲット20が、中心軸線AX1を中心とする円に沿って均等に配置され、シャッターが、複数のターゲットとステージとの間に設けられ、シャッターは、複数のターゲットのうち一つのターゲット20a,20b,20c,20dをステージに対して選択的に露出させることが可能な開口APを有する。このシャッターは、回転軸に結合され、回転軸は、中心軸線に沿って延在している。この成膜装置では、中心軸線を中心とする円に対する接線方向のシャッターの開口の幅W1が、複数のターゲットのうち当該中心軸線に対して周方向において隣接する二つのターゲット20a、20bのそれぞれを部分的に且つ同時に露出させる幅となっている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种廉价的成膜装置，其能够容易地相对于舞台选择性地暴露多个靶的一个目标或两个靶。解决方案：多个基本上矩形的靶20均匀地沿着围绕中心轴AX1，并且快门设置在多个目标和台之间，并且快门具有能够相对于该台选择性地暴露多个目标20a，20b，20c，20d中的一个目标的孔径AP。快门联接到旋转轴线，并且旋转轴线沿着中心轴线延伸。在成膜装置中，闸板的孔径相对于围绕中心轴的圆的切线方向的宽度W1允许在圆周方向上彼此相邻的多个靶的两个靶20a，20b中的每一个方向相对于中心轴线同时被部分地暴露。

7. 发明专利

JPWO2013047232A1 スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル有权
标题翻译：由再现方法和溅射钽线圈的再生方法得到的钽线圈
公开(公告)号：JPWO2013047232A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2012554904
申请日：2012-09-14
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：塚本　志郎 , 志郎塚本
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748
摘要：【要約書】基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、一面引き(リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまで切削)して、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法に関する。スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積(リデポ)するが、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削により除去して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。【選択図】図1
摘要翻译： [摘要]，通过切割在钽制线圈，一个侧拉（再沉积膜和滚花完全或部分地使用的线圈再现设置在所述基板和所述溅射靶的溅射之间钽制线圈的方法加工痕迹切割，直到有），其去除溅射过程中形成的，然后切割所述部分，以再现溅射钽线圈，其特征在于在施加新的滚花的方法中的沉积层。在溅射过程中，溅射沉积设置在基板和溅射靶（再沉积）之间的钽制线圈的表面上的颗粒，但是，溅射结束后，溅射粒子沉积在该花线圈通过切割除去，这有效地再现钽线圈，从而避免使新线圈的浪费，提高生产率，并提供一种能够通过相同的线圈稳定提供的技术。点域1

8. 发明专利

JP5632072B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP5632072B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2013511908
申请日：2012-04-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：雄二梶原 , 雄二梶原 , 保志安松 , 保志安松 , 和也小長 , 和也小長
IPC分类号： C23C14/34 , G11B5/851
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/3464 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3447

9. 发明专利

JP5429796B2 Mask alignment mechanism and mask alignment method, as well as vacuum processing equipment 有权
公开(公告)号：JP5429796B2
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：JP2009193748
申请日：2009-08-25
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：由光島根 , 述夫山口
IPC分类号： C23C14/50 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/682 , C23C14/042 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3485

10. 发明专利

JP5427889B2 Film deposition apparatus and a film forming method 有权
公开(公告)号：JP5427889B2
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：JP2011522850
申请日：2010-07-15
申请人：株式会社アルバック
发明人：周司小平 , 知之吉浜 , 恒吉鎌田 , 和正堀田 , 純一濱口 , 茂雄中西 , 聡豊田
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3447 , H01L21/2855

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式