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一种硅片缺陷的分析方法及装置

阅读：271发布：2020-05-13

IPRDB可以提供一种硅片缺陷的分析方法及装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法及装置，所述硅片缺陷的分析方法包括：对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，不需任何化学处理和抽真空操作，具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。，下面是一种硅片缺陷的分析方法及装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种硅片缺陷的分析方法，其特征在于，包括：

对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；

根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述对待检测硅片的表面的预设区域进行粒度分布检测，包括：通过颗粒计数仪对预设区域内待检测硅片的表面进行粒度分布检测；

所述确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息，包括：确定所述预设区域内最大尺寸在19nm以上的候选缺陷以及所述候选缺陷所对应的坐标。

3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷，包括：根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息；

根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷。

4.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息的步骤之前，所述方法还包括：将预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息导入至原子力显微镜测试仪中。

5.根据权利要求1或4所述的分析方法，其特征在于，所述对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量，包括：对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

6.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，在对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量的步骤之后，所述方法还包括：根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺。

7.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于，所述根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺，包括：当所述杂质元素为硼元素时，且所述目标缺陷中硼含量超过预设阈值，则在所述下一批次硅片拉晶过程中减少硼的掺杂。

8.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，在所述从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷的步骤之后，所述方法还包括：确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。

9.根据权利要求8所述的分析方法，其特征在于，所述确定所述目标缺陷的参数信息，包括：确定所述目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。

10.一种硅片缺陷的分析装置，其特征在于，包括：第一确定模块，用于对待检测硅片的表面预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；

第二确定模块，用于根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

第三确定模块，用于对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

说明书全文

一种硅片缺陷的分析方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及硅片或晶圆的加工制造领域，特别涉及一种硅片缺陷的分析方法及装置。

背景技术

[0002] 硅片的缺陷有很多种，大致包括：晶体原生缺陷(COP)、氧化诱生堆垛层错(OSF)、蛙卵形缺陷以及硅片加工过程如线锯，抛光，清洗过程引入的划伤或颗粒等，以上缺陷均会影响硅片的良率。随着半导体产业的发展，集成电路特征线宽不断减小，现今要求要达到7nm。为此，在硅片的生产过程中需要筛选出具有纳米级别缺陷的硅片，来得到无纳米级别缺陷(Defect-free)的硅片。但是，现有的硅片缺陷的检测以及分析方法无法检测纳米级别缺陷，无法满足集成电路的特征线宽要求。

发明内容

[0003] 本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法及装置，以解决现有的硅片缺陷的检测以及分析方法无法检测纳米级别缺陷的问题。

[0004] 第一方面，为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法，包括：

[0005] 对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；

[0006] 根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

[0007] 对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0008] 可选地，所述对待检测硅片的表面的预设区域进行粒度分布检测，包括：

[0009] 通过颗粒计数仪对预设区域内待检测硅片的表面进行粒度分布检测；

[0010] 所述确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息，包括：

[0011] 确定所述预设区域内最大尺寸在19nm以上的候选缺陷以及所述候选缺陷所对应的坐标。

[0012] 可选地，所述根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷，包括：

[0013] 根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息；

[0014] 根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷。

[0015] 可选地，在根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息的步骤之前，所述方法还包括：

[0016] 将预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息导入至原子力显微镜测试仪中。

[0017] 可选地，所述对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量，包括：

[0018] 对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0019] 可选地，在对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量的步骤之后，所述方法还包括：

[0020] 根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺。

[0021] 可选地，所述根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺，包括：

[0022] 当所述杂质元素为硼元素时，且所述目标缺陷中硼含量超过预设阈值，则在所述下一批次硅片拉晶过程中减少硼的掺杂。

[0023] 可选地，在所述从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷的步骤之后，所述方法还包括：

[0024] 确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。

[0025] 可选地，所述确定所述目标缺陷的参数信息，包括：

[0026] 确定所述目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。

[0027] 第二方面，本发明实施例还提供了一种硅片缺陷的分析装置，包括：

[0028] 第一确定模块，用于对待检测硅片的表面预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；

[0029] 第二确定模块，用于根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

[0030] 第三确定模块，用于对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0031] 本发明的实施例具有如下有益效果：

[0032] 在本发明实施例中，通过对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，可以对候选缺陷进行初步定位，然后再根据所述候选缺陷的位置信息，对每个候选缺陷进行扫描来确定目标缺陷，可以缩小扫描的范围和时间。最终通过对目标缺陷的形貌以及目标缺陷中所含杂质的种类和含量进行分析来确定目标缺陷的形成原因，进而根据目标缺陷的形成原因及时规避和改进工艺，来提高最终硅片产品的质量。这样，本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，不需任何化学处理和抽真空操作，并且通过对每个候选缺陷进行扫描可以得到候选缺陷的三维形貌，进而可以确定候选缺陷的损伤深度。本发明实施例的分析方法具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。

附图说明

[0033] 图1为本发明实施例的硅片缺陷的分析方法的流程示意图之一；

[0034] 图2为本发明实施例的目标缺陷的形貌示意图；

[0035] 图3为本发明实施例的硅片缺陷的分析方法的流程示意图之二；

[0036] 图4为本发明实施例的硅片缺陷的分析装置的结构示意图。

具体实施方式

[0037] 为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

[0038] 本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

[0039] 参见图1，本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法，该分析方法可以检测分析纳米级别的缺陷的形貌以及缺陷中杂质元素的种类和含量。该分析方法的具体步骤包括：

[0040] 步骤101：对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息。

[0041] 在本发明实施例中，待检测硅片的表面需要满足粒度分布检测的要求，待检测硅片可以为表面经过抛光或者化学刻蚀的硅片。

[0042] 在一些实施方式中，所述预设区域可以为待检测硅片表面上的至少部分区域。可以理解的是，可以将待检测硅片的整个表面作为预设区域，或者将部分的待检测硅片的表面作为所述预设区域。需要说明的是，可以根据需要选择所述预测区域的范围大小，在本发明实施例中不具体限定所述预设区域的范围大小。

[0043] 在本发明实施例中，粒度分布检测是用于检测所述待检测硅片表面上的不同粒径颗粒占颗粒总量的百分数。粒度分布检测可以有区间分布和累计分布两种形式。区间分布又称为微分分布或频率分布，它表示一系列粒径区间中颗粒的百分含量。累计分布也叫积分分布，它表示小于或大于某粒径颗粒的百分含量。

[0044] 进一步的，可以通过颗粒计数仪对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，颗粒计数仪可以为激光颗粒计数仪。

[0045] 其中，颗粒计数仪(Particle Counter SP5)的基本原理是：将光(例如：激光)照射到待检测硅片的表面，由于待检测硅片的表面的不同位置的形貌不同，且不同的表面形貌对光的反射和散射不同。可以理解的是，若在待检测硅片的表面上存在缺陷时，待检测硅片的表面对光的反射和散射会发生变化，进而可以通过检测光的变化，来检测出缺陷所存在的位置。另外，通过颗粒计数仪还可以检测硅片表面上颗粒的个数等。

[0046] 具体的，候选缺陷可以为纳米级别的缺陷，例如：所述候选缺陷为待检测硅片表面的预设区域内最大尺寸在19nm以上的缺陷。进一步的，所述候选缺陷的位置信息可以为所述候选缺陷所在区域的中心的相对坐标，可以将待检测硅片的表面上任意一点作为坐标原点，例如可以将待检测硅片的圆心作为原点。

[0047] 步骤102：根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

[0048] 在本发明实施例中，可以首先根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪(Atomic Force Microscope，AFM)依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息；然后再根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷，如图2所示。

[0049] 其中，原子力显微镜测试仪的基本原理是：将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定，另一端有一微小的显微探针，显微探针的针尖可以与待检测硅片的表面轻轻接触，当原子间距离减小到一定程度以后，原子间的作用力将迅速上升。因此，通过显微探针受力的大小就可以直接换算出待检测硅片的表面的高度，从而获得待检测硅片表面的三维形貌的信息。

[0050] 可以理解的是，通过原子力显微镜测试仪可以显示每个候选缺陷的三维形貌。通过候选缺陷的三维形貌可以得知在待检测硅片表面上的二维形貌以及在垂直于待检测硅片表面方向上的缺陷深度，其中在垂直于待检测硅片表面方向上的缺陷深度可以理解为硅片损伤的深度。

[0051] 另外，还可以通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)确定每个候选缺陷的形状信息。但是，当采用SEM对待检测硅片进行扫描时，需要一个高真空的环境才能测出高分辨率的图像，高真空需要很高的电压和很长的抽取时间才能达到。如果想要通过SEM测试纳米级别尺寸的缺陷，需要更高的分辨率，此种方法因测试条件苛刻，时间较长受限。并且，该方式只能检测到候选缺陷的二维形貌，却无法给出候选缺陷的三维形貌，也就无法检测候选缺陷的深度。如果要观测到深处的候选缺陷，需要经过多次化学处理，处理工序繁琐，可控性不强，也会带来人员安全问题。

[0052] AFM与SEM相比具有许多优点，具体可以有以下优点：

[0053] 1)AFM可以检测出候选缺陷的三维形貌，即可以检测出候选缺陷的大小和深度。

[0054] 2)AFM可以在常压下进行工作，不需任何化学处理和抽真空操作。

[0055] 3)AFM可以测量出纳米级别的缺陷。

[0056] 综合考虑AFM和SEM的优缺点，本发明实施例选用AFM来确定候选缺陷的形状信息，该方式具有工艺简单，容易操作的优点。

[0057] 需要说明的是，在对所有候选缺陷进行扫描之前，需要将预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息导入至原子力显微镜测试仪中，原子力显微镜测试仪根据每个候选缺陷所对应的位置信息依次对每个候选缺陷进行扫描，这样可以减少扫描时间，尤其对于大尺寸的硅片。

[0058] 在本发明实施例中，可以将步骤101得到的候选缺陷的位置信息导入原子力显微镜测试仪中，其中候选缺陷的位置信息至少包括候选缺陷的坐标数据。将待检测硅片放入AFM中，并AFM根据每个候选缺陷的位置信息对每个候选缺陷进行逐个扫描，进而得到每个候选缺陷的形状信息(例如：三维形貌)，最终根据每个候选缺陷的形状信息确定形状为蛙卵形的目标缺陷。

[0059] 另外，由于不同客户对硅片缺陷的要求也是不同的，在确定目标缺陷之后，还可以确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。进而可以根据不同客户的不同要求，对目标缺陷的参数信息进行限定。

[0060] 进一步地，所述目标缺陷的位置信息是与目标缺陷的位置相关的信息，例如：所述目标缺陷在待检测硅片表面上的位置坐标。所述形状信息是与目标缺陷形状相关的信息，通过形状信息可以得到所述目标缺陷的形状以及尺寸大小。例如：形状信息至少包括：目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。从而可以根据客户要求对目标缺陷的最大深度、周长和/或面积进行进一步限定。

[0061] 需要说明的是，以上有关所述参数信息的描述只是示例并非限定，可以理解的是，本发明实施例中并不具体限定所述参数信息的种类。

[0062] 步骤103：对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0063] 在一些实施方式中，可以对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，来确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。通过X射线能谱分析可以对待检测硅片表面上的杂质元素进行定性和定量的分析，可以更加准确的分析目标缺陷的成因。进而可以根据杂质元素的含量，来调整下一批次硅片的生产工艺，这样可以提高硅片的质量。

[0064] 其中，X射线能谱分析的基本原理是：不同元素所发出的X射线波长不同，可以统计所述目标缺陷处所发出的元素特征X射线波长和强度，并通过对比不同元素谱线的强度可以测定所述目标缺陷中元素的含量。

[0065] 在发明实施例中，所说杂质元素可以为金属元素和非金属元素，当所述杂质元素为金属元素时，所述杂质元素可以为铜，铁，镍等。当所述杂质元素为非金属元素时，所述杂质元素可以为硼、氧或碳等。需要说明的是，在本发明实施例中并不具体限定所述杂质元素的种类。

[0066] 在本发明实施例中，通过对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，可以对候选缺陷进行初步定位，然后再根据所述候选缺陷的位置信息，对每个候选缺陷进行扫描来确定目标缺陷，可以缩小扫描的范围和时间。最终通过对目标缺陷的形貌以及目标缺陷中所含杂质的种类和含量进行分析来确定目标缺陷的形成原因，进而根据目标缺陷的形成原因及时规避和改进工艺，来提高最终硅片产品的质量。这样，本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，不需任何化学处理和抽真空操作，并且通过对每个候选缺陷进行扫描可以得到候选缺陷的三维形貌，进而可以确定候选缺陷的损伤深度。本发明实施例的分析方法具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。

[0067] 参见图3，本发明实施例还提供了另一种硅片缺陷的分析方法，该分析方法可以检测分析纳米级别的缺陷的形貌以及缺陷中所含杂质元素的种类和含量。该分析方法的具体步骤包括：

[0068] 步骤301：通过激光颗粒仪对预设区域内待检测硅片的表面进行粒度分布检测，确定所述预设区域内最大尺寸在19nm以上的候选缺陷以及所述候选缺陷所对应的坐标。

[0069] 在本发明实施例中，步骤301的实施原理与步骤101的实施原理相似，相似之处不再赘述。

[0070] 步骤302：根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的坐标，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息。

[0071] 在本发明实施例中，步骤302的实施原理与步骤102的实施原理相似，相似之处不再赘述。

[0072] 步骤303：根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷。

[0073] 在本发明实施例中，步骤303的实施原理与步骤102的实施原理相似，相似之处不再赘述。

[0074] 步骤304：对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0075] 在本发明实施例中，步骤304的实施原理与步骤103的实施原理相似，相似之处不再赘述。

[0076] 步骤305：根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺。

[0077] 经过试验研究表明，对形状为蛙卵形的目标缺陷进行X射线能谱分析，得到所述目标缺陷中杂质元素的含量，并且所述目标缺陷中的硼含量较高，进而可以得知，形状为蛙卵形的目标缺陷是由于在拉晶过程中，掺杂硼不均匀所导致的缺陷。

[0078] 在步骤305中，当所述杂质元素为硼元素时，且所述目标缺陷中硼含量超过预设阈值，则在所述下一批次硅片拉晶过程中减少硼的掺杂，这样可以减少目标缺陷的产生，从一定程度上可以提高硅片的质量。

[0079] 在步骤303之后，所述方法还包括：确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。进一步地，确定所述目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。

[0080] 在本发明实施例中，通过颗粒计数仪对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，可以对候选缺陷进行初步定位，然后通过原子力显微镜测试仪根据所述候选缺陷的位置信息依次对每个候选缺陷进行扫描，可以缩小扫描的范围和时间。并根据每个候选缺陷的形状信息确定目标缺陷，最终通过对目标缺陷的形貌以及目标缺陷中所含杂质元素的种类和含量进行分析，来确定目标缺陷的形成原因，进而根据目标缺陷的形成原因及时规避和改进工艺，来提高最终硅片产品的质量。这样，本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，并且不需任何化学处理和抽真空操作，通过原子力显微镜测试仪对每个候选缺陷进行扫描来确定每个候选缺陷的形状信息，即可以得到候选缺陷的三维形貌，进而可以确定候选缺陷的损伤深度。本发明实施例的分析方法具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。

[0081] 为了解决现有的硅片缺陷的检测以及分析方法无法检测纳米级别缺陷的问题，本发明实施例还提供了一种硅片缺陷的分析装置，该分析装置的实施原理与如上所述的分析方法的实施原理相似，相似之处不再赘述。

[0082] 参见图4，本发明实施例还提供了一种硅片缺陷的分析装置400，包括：

[0083] 第一确定模块401，用于对待检测硅片的表面预设区域进行粒度分布检测，确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息；

[0084] 第二确定模块402，用于根据所述候选缺陷的位置信息，对待检测硅片的表面进行扫描，从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷；

[0085] 第三确定模块403，用于对所述目标缺陷进行能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0086] 可选地，所述第一确定模块401包括：

[0087] 第一确定单元，用于通过颗粒计数仪对预设区域内待检测硅片的表面进行粒度分布检测；

[0088] 第二确定单元，用于确定所述预设区域内最大尺寸在19nm以上的候选缺陷以及所述候选缺陷所对应的坐标。

[0089] 可选地，所述第二确定模块402包括：

[0090] 第三确定单元，用于根据预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息，通过原子力显微镜测试仪依次对每个候选缺陷进行扫描，确定每个候选缺陷的形状信息；

[0091] 第四确定单元，用于根据每个候选缺陷的形状信息，将形状为蛙卵形的候选缺陷确定为目标缺陷。

[0092] 可选地，所述硅片缺陷的分析装置，还包括：

[0093] 导入模块，用于将预设区域内的每个候选缺陷所对应的位置信息导入至原子力显微镜测试仪中。

[0094] 可选地，所述第三确定模块403包括：

[0095] 第五确定单元，用于对所述目标缺陷进行X射线能谱分析，确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。

[0096] 可选地，所述硅片缺陷的分析装置，还包括：

[0097] 调整模块，用于根据所述目标缺陷中杂质元素的含量，调整下一批次硅片的生产工艺。

[0098] 可选地，所述调整模块包括：

[0099] 调整单元，用于当所述杂质元素为硼元素时，且所述目标缺陷中硼含量超过预设阈值，则在所述下一批次硅片拉晶过程中减少硼的掺杂。

[0100] 可选地，所述硅片缺陷的分析装置，还包括：

[0101] 第四确定模块，用于确定所述目标缺陷的参数信息，所述参数信息包括：位置信息和/或形状信息。

[0102] 可选地，所述第四确定模块包括：

[0103] 第六确定单元，用于确定所述目标缺陷的最大深度、周长和/或面积。

[0104] 在本发明实施例中，通过所述第一确定模块401可以对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测，可以对候选缺陷进行初步定位，然后再通过第二确定模块402根据所述候选缺陷的位置信息，对每个候选缺陷进行扫描来确定目标缺陷，可以缩小扫描的范围和时间。最终通过第三确定模块403对目标缺陷的形貌以及目标缺陷中所含杂质的种类和含量进行分析来确定目标缺陷的形成原因，进而根据目标缺陷的形成原因及时规避和改进工艺，来提高最终硅片产品的质量。并且，本发明实施例的分析装置可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测，不需任何化学处理和抽真空操作，通过对每个候选缺陷进行扫描可以得到候选缺陷的三维形貌，进而可以确定候选缺陷的损伤深度。本发明实施例的分析装置具有安全，快速和可控性高等优点，对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。

[0105] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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