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研磨装置及研磨方法

阅读：150发布：2021-03-03

IPRDB可以提供研磨装置及研磨方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种可改善在基板的边缘部等获得的测量值的精确度的研磨装置以及研磨方法。膜厚测量装置(231)与终点检测器(241)根据设置于研磨台(320A)的涡电流传感器(210)的输出而监视导电膜(102)的膜厚。涡电流传感器(210)的输出包含阻抗成分，在使阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与阻抗成分对应的坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分。膜厚测量装置(231)求出坐标系上的点与圆的中心的距离，且根据阻抗成分求出膜厚，使用所获得的距离来修正所获得的膜厚。，下面是研磨装置及研磨方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种研磨装置，其特征在于，具备：

研磨台，该研磨台具有研磨面，且能够旋转；

顶环，该顶环将作为研磨对象的基板按压于所述研磨面，而能够对所述基板上的导电膜进行研磨；

涡电流传感器，该涡电流传感器设置于所述研磨台；及监控装置，该监控装置能够根据所述涡电流传感器的输出而监视所述导电膜的膜厚，所述涡电流传感器的输出包含阻抗成分，在使所述阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与所述阻抗成分对应的所述坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分，所述监控装置求出所述坐标系上的点与所述圆的中心的第一距离，且根据所述阻抗成分求出膜厚，并且能够使用所获得的所述第一距离来修正所获得的所述膜厚。

2.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述监控装置使用对应于所述第一距离的规定的修正系数而进行所述修正。

3.如权利要求1或2所述的研磨装置，其特征在于，所述监控装置对于在所述基板的周边部获得的所述膜厚进行所述修正。

4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，所述监控装置求出相当于所述圆的半径的第二距离，且使用所述第一距离与所述第二距离而进行所述修正。

5.如权利要求1至4中任一项所述的研磨装置，其特征在于，所述研磨装置具有：温度传感器，该温度传感器能够直接或间接测量研磨中的所述基板的温度；及温度修正部，该温度修正部能够使用测量出的所述温度而进一步修正经修正的所述膜厚。

6.一种研磨方法，对作为研磨对象的基板进行研磨，该研磨方法的特征在于，具有如下步骤：将作为研磨对象的基板按压于研磨面而对所述基板上的导电膜进行研磨的步骤；

为了测量所述导电膜的膜厚，在所述导电膜形成涡电流，并且检测所形成的所述涡电流的步骤；

将检测出的所述涡电流作为阻抗成分并输出的步骤；及输入所述阻抗成分，且根据所输入的所述阻抗成分监视所述导电膜的膜厚的监控步骤，在使所述阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与所述阻抗成分对应的所述坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分，所述监控步骤具有如下步骤：求出所述坐标系上的点与所述圆的中心的第一距离，且根据所述阻抗成分求出膜厚，使用所获得的所述第一距离来修正所获得的所述膜厚的步骤。

说明书全文

研磨装置及研磨方法

技术领域

[0001] 本发明关于一种研磨装置及研磨方法。

背景技术

[0002] 近年来，伴随着半导体元件的高集成化、高密度化，电路的配线已趋于微细化，多层配线的层数也日益增加。为了谋求电路的微细化同时实现多层配线，必须将半导体元件表面予以精确度良好地进行平坦化处理。

[0003] 作为半导体元件表面的平坦化技术，已知有一种化学机械研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))。用于进行CMP的研磨装置，具备：研磨台，贴附有研磨垫；及顶环，用于保持研磨对象物(例如半导体芯片等基板、或形成于基板的表面的各种膜)。研磨装置一边使研磨台旋转，一边将顶环所保持的研磨对象物按压于研磨垫，由此对研磨对象物进行研磨。

[0004] 研磨装置具备监视导电膜的膜厚的监控装置，以根据研磨对象物的膜厚而进行研磨步骤的终点检测。监控装置具备检测研磨对象物的膜厚的膜厚传感器。膜厚传感器具代表性的例如有涡电流传感器。

[0005] 涡电流传感器配置在形成于研磨台的孔等，随着研磨台的旋转一同旋转，同时在与研磨对象物相对时检测膜厚。涡电流传感器使导电膜等的研磨对象物感应涡电流，且从因为研磨对象物所感应的涡电流而产生的磁场的变化，检测研磨对象物的厚度的变化。

[0006] 日本特开2005-121616号公报揭示关于涡电流传感器的技术。此涡电流传感器具备：传感器线圈，配置于导电膜的附近；信号源，对传感器线圈供给交流信号而在导电膜形成涡电流；及检测电路，检测形成于导电膜的涡电流作为从传感器线圈观看到的阻抗。并且，将阻抗的电阻成分与电抗成分表示于正交坐标轴上。根据连结阻抗的坐标与所指定的中心点的坐标的直线与公报的图13所示的水平线所构成的角度，检测导电膜的膜厚。

[0007] 从角度求出膜厚的方法，要事前先测量公报的图13所示的角度与膜厚的关系，且利用此关系，将角度直接转换为膜厚。具体而言，求出对应导电膜的膜质的中心点(基准点)P、及该导电膜的关于多个膜厚的多个仰角θ，并存储于存储器内。依每一仰角θ获得一条预备测量直线。依据多个仰角θ，获得多个预备测量直线。之后，在基板研磨装置运转时，根据连结每一该测量的阻抗的电阻成分、电抗成分的输出值、及存储器内的中心点P而成的正式测量直线rn的仰角θ、与预备测量直线，来运算导电膜的膜厚。

[0008] 以往，在基板的中心部等，已知可与基板的边缘部等作比较，而精确度良好地测量出膜厚。这是因为涡电流传感器在基板的边缘部等的附近，涡电流传感器所产生的磁通量的一部分存在于基板的外部，而涡电流传感器所产生的磁通量的整体无法被有效地利用。在日本特开2005-121616号公报中，并未考虑在基板的边缘部等所获得的测量值的精确度降低的情形。

[0009] 现有技术文献

[0010] 专利文献]

[0011] 专利文献1：日本特开2005-121616号公报

发明内容

[0012] 本发明的一方式为了解决这种问题而完成，其目的为提供一种可改善在基板的边缘部等所获得的测量值的精确度的研磨装置、以及研磨方法。

[0013] 用于解决问题的手段

[0014] 为了解决上述问题，在方式1中，采用一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨台，该研磨台具有研磨面，且能够旋转；顶环，该顶环将作为研磨对象的基板按压于所述研磨面，而能够对所述基板上的导电膜进行研磨；涡电流传感器，该涡电流传感器设置于所述研磨台；及监控装置，该监控装置能够根据所述涡电流传感器的输出而监视所述导电膜的膜厚，所述涡电流传感器的输出包含阻抗成分，在使所述阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与所述阻抗成分对应的所述坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分，所述监控装置求出所述坐标系上的点与所述圆的中心的第一距离，且根据所述阻抗成分求出膜厚，并且能够使用所获得的所述第一距离来修正所获得的所述膜厚。

[0015] 在本实施方式中，所述监控装置求出所述坐标系上的点与所述圆的中心的第一距离，且从所述阻抗成分求出膜厚，并且可使用获得的所述第一距离来修正获得的所述膜厚。在基板的中心部等的相较于基板的边缘部等可精确度良好地测量出膜厚的部位获得的测量值位于圆(阻抗曲线)上。然而，本实施方式着眼的点在于：在基板的边缘部等的相较于基板的中心部等向来无法精确度良好地测量出膜厚的场所所获得的测量值未位于此圆上。

[0016] 针对在基板的边缘部等的可精确度良好地测量出膜厚的部位获得的测量值，利用圆的中心至测量值的第一距离，作为精确度降低了多少的指标。结果是，能够与公知相比，改善在基板的边缘部等所获得的测量值的精确度。就修正方法而言，例如，可对于所获得的膜厚，乘上将在基板的中心部所获得的测量值与圆(阻抗曲线)的中心的后述的第二距离除以第一距离所得到的比。

[0017] 在方式2中，采用如方式1所述的研磨装置的构成，其中，所述监控装置使用对应于所述第一距离的规定的修正系数而进行所述修正。要与获得的所述膜厚相乘的规定的修正系数，例如使用基板而针对多个不同的第一距离事先测量。修正系数以函数、表格等形式保存于存储部。

[0018] 在方式3中，采用如方式1或方式2所述的研磨装置的构成，其中，所述监控装置对于在所述基板的周边部获得的所述膜厚进行所述修正。修正可针对基板整体进行，但较佳为对于在基板的周边部(边缘部)所获得的膜厚进行修正。

[0019] 在方式4中，采用如方式1至方式3中任一方式所述的研磨装置的构成，其中，所述监控装置求出相当于所述圆的半径的第二距离，且使用所述第一距离与所述第二距离而进行所述修正。在此，所谓相当于圆的半径的第二距离，指圆的半径、或实质上等于圆的半径的距离。所谓实质上等于圆的半径的距离，指例如为在所述基板的所述周边部以外的所述基板的部分获得的关于所述阻抗成分的所述坐标系上的点与所述圆的中心的距离。这是因为，在基板的周边部以外的基板的部分所获得的关于阻抗成分的坐标系上的点，实质上位于圆上。

[0020] 在方式4的一实施方式中，例如，从第一距离及在基板的中心部等以往可精确度较佳地测量出膜厚的部位获得的测量值与圆的中心的第二距离的比率，来算出精确度降低的程度，以算出修正系数。使用修正系数修正膜厚，例如对于膜厚进行修正系数的乘法、加法、除法、及/或减法的运算。

[0021] 在方式4的一实施方式中，所述监控装置求出在所述基板的所述周边部以外的所述基板的部分获得的关于所述阻抗成分的所述坐标系上的点与所述圆的中心的第二距离，且使用所述第一距离与所述第二距离，而对于在所述基板的所述周边部所获得的所述膜厚进行所述修正。

[0022] 在方式5中，采用如方式1至方式4中任一方式所述的研磨装置的构成，其中，所述研磨装置具有：温度传感器，该温度传感器能够直接或间接测量研磨中的所述基板的温度；及温度修正部，该温度修正部能够使用测量出的所述温度而进一步修正经修正的所述膜厚。

[0023] 在本实施方式中，进行了温度修正。要进行温度修正的理由如下所述。在监控装置要从阻抗成分求出膜厚时，利用了阻抗成分与膜厚的对应信息。以金属膜而言，当温度因为研磨而上升时，电性传导率就降低。对应信息有时会在研磨前事先求出。求出对应信息时的金属膜的温度，与之后进行研磨且利用对应信息而求出膜厚时的金属膜的温度不同。因此，利用对应信息而测量膜厚时的温度，有时会比事先求出对应信息时的温度更高或更低。当温度较高时，就会测出比实际的膜厚更薄。通过使用由可直接或间接测量出基板的温度的温度传感器所获得的温度来修正膜厚的测量值，可算出更正确的膜厚值。

[0024] 在方式6中，采用一种研磨方法，对作为研磨对象的基板进行研磨，该研磨方法的特征在于，具有如下步骤：将作为研磨对象的基板按压于研磨面而对所述基板上的导电膜进行研磨的步骤；为了测量所述导电膜的膜厚，在所述导电膜形成涡电流，并且检测所形成的所述涡电流的步骤；将检测出的所述涡电流作为阻抗成分并输出的步骤；及输入所述阻抗成分，且根据输入的所述阻抗成分监视所述导电膜的膜厚的监控步骤，在使所述阻抗成分的电阻成分和电抗成分分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时，与所述阻抗成分对应的所述坐标系上的点的至少一部分形成圆的至少一部分，所述监控步骤具有如下步骤：求出所述坐标系上的点与所述圆的中心的第一距离，且从所述阻抗成分求出膜厚，使用所获得的所述第一距离来修正所获得的所述膜厚的步骤。

附图说明

[0025] 图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的整体构成的俯视图。

[0026] 图2是表示研磨装置的整体构成的示意图。

[0027] 图3A是清洗单元的俯视图。

[0028] 图3B是清洗单元的侧视图。

[0029] 图4是表示可测量出阻抗的涡电流传感器的构成例的方块图。

[0030] 图5是图4的方块图的等效电路图。

[0031] 图6是表示涡电流传感器的传感器线圈的构成例的立体图。

[0032] 图7是表示图6的传感器线圈的连接例的电路图。

[0033] 图8是表示传感器线圈输出的同步检波电路的方块图。

[0034] 图9是表示伴随导电膜的厚度变化所产生的阻抗坐标面中的电阻成分(X)与电抗成分(Y)的圆轨迹的曲线图。

[0035] 图10是使图9的曲线图图形逆时针旋转90度，再使其平行移动所得到的曲线图。

[0036] 图11是表示与相当于所使用的研磨垫的厚度的距离对应的坐标X、Y的圆弧轨迹变化的情形的曲线图。

[0037] 图12是说明不管研磨垫的厚度的差异而角度α均相同的图。

[0038] 图13是表示在基板W的中心部与边缘部的测量值、与圆轨迹的关系的曲线图。

[0039] 图14是表示基板的边缘部中的涡电流传感器所产生的磁通量。

[0040] 图15是在图13中图示出第一距离。

[0041] 图16是表示阻抗坐标面中的圆的中心与测量点的距离的一例。

[0042] 图17是说明修正系数的算出方法的图。

[0043] 图18是表示修正前的膜厚的曲线图。

[0044] 图19是表示修正后的膜厚的曲线图。

[0045] 图20是表示使用AI的第一研磨单元的控制的方块图。

[0046] 图21是表示使用AI的第一研磨单元的控制的方块图。

[0047] 图22是表示使用AI的第一研磨单元的控制的方块图。

[0048] 符号说明

[0049] 56 温度传感器

[0050] 60 测量点

[0051] 62 圆

[0052] 64 测量点

[0053] 70 边缘部

[0054] 76 中心

[0055] 78 距离

[0056] 80 半径

[0057] 102 研磨对象物

[0058] 104 研磨面

[0059] 140 控制部

[0060] 150 研磨部

[0061] 231 膜厚测量装置

[0062] 234 角度算出部

[0063] 238 膜厚算出部

[0064] 241 终点检测器

[0065] 1000 基板处理装置

[0066] 300A 第一研磨单元

[0067] 310A 研磨垫

[0068] 320A 研磨台

[0069] 330A 顶环

具体实施方式

[0070] 以下参照图来说明本发明的实施方式。另外，在以下的各实施方式中，对于相同或相等的构件，有时赋予相同符号而省略重复的说明。此外，各实施方式所示的特征，只要未相互矛盾，也可应用于其他实施方式。

[0071] ＜基板处理装置＞

[0072] 图1基板处理装置的俯视图。如图1所示，基板处理装置1000具备：装载/卸载单元200；研磨单元300；及清洗单元400。此外，基板处理装置1000具备用于控制装载/卸载单元
200、研磨单元300、及清洗单元400的各种动作的控制单元500。以下针对装载/卸载单元
200、研磨单元300、清洗单元400进行说明。

[0073] ＜装载/卸载单元＞

[0074] 装载/卸载单元200为用于将进行研磨及清洗等处理前的基板交递至研磨单元300，并且从清洗单元400接收进行研磨及清洗等处理后的基板的单元。装载/卸载单元200具备多台(在本实施方式中4台)前装载部220。前装载部220中，分别搭载有用于贮存基板的承载器222。

[0075] 装载/卸载单元200具备：轨道230，设置于框体100的内部；及多个(在本实施方式中2台)搬运机械人240，配置于轨道230上。搬运机械人240将进行研磨及清洗等处理前的基板，从承载器222取出并交递至研磨单元300。此外，搬运机械人240从清洗单元400接收进行研磨及清洗等处理之后的基板并送回承载器222。

[0076] ＜研磨单元＞

[0077] 研磨单元300用于进行基板的研磨的单元。研磨单元300具备：第一研磨单元300A、第二研磨单元300B、第三研磨单元300C、及第四研磨单元300D。第一研磨单元300A、第二研磨单元300B、第三研磨单元300C、及第四研磨单元300D，彼此具有相同的构成。因此，以下仅就第一研磨单元300A进行说明。

[0078] 第一研磨单元300A(研磨装置)具备：研磨台320A、及顶环330A。研磨台320A通过未图示的驱动源被旋转驱动。在研磨台320A中，贴附有研磨垫310A。顶环330A保持基板而按压于研磨垫310A。顶环330A通过未图示的驱动源被旋转驱动。基板被顶环330A固持而被按压于研磨垫310A，由此进行研磨。

[0079] 接着说明用于搬运基板的搬运机构。搬运机构具备：升降机370、第一线性输送机372、摆动输送机374、第二线性输送机376、及暂置台378。

[0080] 升降机370从搬运机械人240接收基板。第一线性输送机372将从升降机370接收的基板，在第一搬运位置TP1、第二搬运位置TP2、第三搬运位置TP3、及第四搬运位置TP4之间搬运。第一研磨单元300A及第二研磨单元300B从第一线性输送机372接收基板进行研磨。第一研磨单元300A及第二研磨单元300B将研磨过的基板交递至第一线性输送机372。

[0081] 摆动输送机374在第一线性输送机372与第二线性输送机376之间进行基板的交递接收。第二线性输送机376将从摆动输送机374接收的基板，在第五搬运位置TP5、第六搬运位置TP6、及第七搬运位置TP7之间搬运。第三研磨单元300C及第四研磨单元300D从第二线性输送机376接收基板进行研磨。第三研磨单元300C及第四研磨单元300D将研磨后的基板交递至第二线性输送机376。由研磨单元300进行过研磨处理的基板，通过摆动输送机374被置放于暂置台378。

[0082] ＜清洗单元＞

[0083] 清洗单元400用于进行被研磨单元300进行过研磨处理的基板的清洗处理及干燥处理的单元。清洗单元400具备：第一清洗室410；第一搬运室420；第二清洗室430；第二搬运室440；及干燥室450。

[0084] 被置放于暂置台378的基板，经由第一搬运室420而被搬运至第一清洗室410或第二清洗室430。基板在第一清洗室410或第二清洗室430被清洗处理。在第一清洗室410或第二清洗室430中被清洗处理后的基板，经由第二搬运室440而被搬运至干燥室450。基板在干燥室450中被干燥处理。被干燥处理后的基板，通过搬运机械人240从干燥室450取出并送回承载器222。

[0085] ＜第一研磨单元的详细构成＞

[0086] 接着说明第一研磨单元300A的详细内容。图2是第一研磨单元300A的立体图。第一研磨单元300A具备用于对研磨垫310A供给研磨液或修整液的研磨液供给喷嘴340A。研磨液例如为浆料。修整液例如为纯水。此外，第一研磨单元300A具备用于进行研磨垫310A的调节的修整器350A。此外，第一研磨单元300A具备用于将液体、或液体与气体的混合流体朝向研磨垫310A喷射的喷雾器360A。液体例如为纯水。气体例如为氮气。

[0087] 第一研磨单元300A具有用于对研磨对象物(例如半导体芯片等的基板、或形成于基板的表面的各种导电膜)102进行研磨的研磨部150。研磨部150具备：研磨台320A，可将用于研磨研磨对象物102的研磨垫310A安装于上表面；第一电动马达112，旋转驱动研磨台320A；顶环330A，可保持研磨对象物102；及第二电动马达118，旋转驱动顶环330A。

[0088] 此外，研磨部150具备用于将包含研磨材的研磨料液供给至研磨垫310A的上表面的研磨液供给喷嘴340A。第一研磨单元300A具备将关于研磨部150的各种控制信号予以输出的研磨装置控制部140。

[0089] 第一研磨单元300A具备涡电流传感器210，该涡电流传感器210配置在形成于研磨台320A的孔，且伴随着研磨台320A的旋转而沿着研磨面104检测研磨对象物102的膜厚。

[0090] 第一研磨单元300A当将研磨对象物102进行研磨时，将包含研磨颗粒的研磨浆料从研磨液供给喷嘴340A供给至研磨垫310A的上表面，且通过第一电动马达112而旋转驱动研磨台320A。并且，第一研磨单元300A在使顶环330A绕着与研磨台320A的旋转轴为偏心的旋转轴旋转的状态下，将被顶环330A所保持的研磨对象物102按压于研磨垫310A。由此，研磨对象物102被保持着研磨浆料的研磨垫310A所研磨，而被平坦化。

[0091] 接收部232经由旋转接头连接器160、170而与涡电流传感器210连接。接收部232接收从涡电流传感器210所输出的信号，且作为阻抗而输出。后述的温度传感器56经由旋转接头连接器160、170而与研磨装置控制部140连接。

[0092] 如图2所示，膜厚测量装置231对从接收部232输出的阻抗进行规定的信号处理而输出至终点检测器241。

[0093] 终点检测器241根据从膜厚测量装置231输出的信号而监视研磨对象物102的膜厚的变化。膜厚测量装置231与终点检测器241构成监控装置。终点检测器241与进行关于第一研磨单元300A的各种控制的研磨装置控制部140连接。终点检测器241当检测研磨对象物102的研磨终点时，将表示其内容的信号输出至研磨装置控制部140。研磨装置控制部140当从终点检测器241接收到表示研磨终点的信号时，结束第一研磨单元300A进行的研磨。研磨装置控制部140在研磨中根据膜厚而控制研磨对象物102的按压力。

[0094] 在本实施方式中，涡电流传感器210的输出包含阻抗成分。在使阻抗成分的电阻成分与电抗成分分别对应于具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴时，对应阻抗成分的坐标系上的点的至少一部分，形成圆的至少一部分。监控装置求出坐标系上的点与圆的中心的第一距离，且从阻抗成分求出膜厚，再使用所获得的第一距离来修正所求出的膜厚。

[0095] 在监控装置要从阻抗成分求出膜厚时，必须事先求出从涡电流传感器210的输出获得的数据与膜厚的对应关系。在本实施方式中，从涡电流传感器210的输出求出角度α。角度α的定义及求解方式的详细内容将于后陈述。

[0096] 如后所述，从角度α算出的1/tanα与膜厚t，在膜厚较厚的时候成比例。也即，当设1/tanα＝Ta时，具有膜厚t＝A_th×Ta的关系。在此，A_th比例系数。在膜厚的实际的测量中，可从涡电流传感器210的测量值获得Ta。

[0097] 因此，膜厚较厚时，只要在事前的涡电流传感器210的校准中，求出膜厚t＝A_th×Ta的涡电流传感器210的输出与膜厚的对应关系中的比例系数A_th即可。若求出比例系数A_th，则在校准后的本测量中，当从涡电流传感器210的输出求出角度α时，可算出膜厚。当膜厚较薄时，涡电流传感器210的输出与膜厚的对应关系为非线形的关系。另外，涡电流传感器210的输出可包含后述的阻抗(X、Y)、或上述的角度α、tanα、1/tanα、Ta等。

[0098] 监控装置使用对应于第一距离的规定的后述的修正系数而进行修正。监控装置对于在基板W的周边部所获得的膜厚进行修正。监控装置求出第二距离，也即求出圆的半径、或在基板W的周边部以外的基板W的部分所获得的关于阻抗成分的坐标系上的点与圆的中心的距离。监控装置使用第一距离与第二距离，而算出修正系数，且对于在基板W的周边部所获得的膜厚进行修正。这些处理在后述的膜厚算出部238中进行。

[0099] 图4表示第一研磨单元300A具备的涡电流传感器210。涡电流传感器中，从其传感器线圈观看到导电膜侧的阻抗会变化，而从该阻抗变化检测膜厚。涡电流传感器210将传感器线圈配置在检测对象的研磨对象物102的附近，该线圈连接有交流信号源124。在此，检测对象的研磨对象物102，例如为形成于半导体芯片W上的厚度为0至2μm左右的铜镀覆膜(也可为Au、Cr、W等金属材料的蒸镀膜)。传感器线圈配置在相对于检测对象的导电膜例如为0.5至5mm左右的附近。同步检波电路126检测包含从传感器线圈侧观看到的检测对象的研磨对象物102的阻抗Z(其成分为X、Y)(详细内容将于后陈述)。

[0100] 在图5所示的等效电路中，交流信号源124的振荡频率固定，当研磨对象物102的膜厚变化时，从交流信号源124观看到传感器线圈侧的阻抗Z变化。也即，在图5所示的等效电路中，流动于研磨对象物102的涡电流I2，依据研磨对象物102的等效的电阻R2及自感L2来决定。当膜厚变化时，涡电流I2变化，经由与传感器线圈侧的互感M，被视为是从交流信号源124侧观看到的阻抗Z的变化。在此，L1是传感器线圈的自感成分，R1是传感器线圈的电阻成分。

[0101] 以下具体说明涡电流传感器。交流信号源124使用1至50MHz左右的固定频率的振荡器，例如水晶振荡器。并且，通过由交流信号源124所供给的交流电压，使电流I1流动于传感器线圈。由于电流流通于配置在研磨对象物102附近的线圈，使得其磁通量与研磨对象物102交链，从而在其间形成互感M，而使电流I2流动于研磨对象物102中。在此，R1为包含传感器线圈的一次侧的等效电阻，L1同样地为包含传感器线圈的一次侧的自感。在研磨对象物
102侧，R2为相当于涡电流损耗的等效电阻，L2为该自感。从交流信号源124的端子128、130观看到传感器线圈侧的阻抗Z，随着形成于研磨对象物102中的涡电流损耗的大小而变化。

[0102] 图6表示本实施方式的涡电流传感器中的传感器线圈的构成例。传感器线圈将用于在导电膜形成涡电流的线圈与用于检测导电膜的涡电流的线圈进行分离，通过卷绕于绕线筒311的三层线圈所构成。在此，中央的激磁线圈312连接于交流信号源124的激磁线圈。此激磁线圈312通过从交流信号源124供给的电压所形成的磁场，而在配置于附近的半导体芯片W上的研磨对象物102形成涡电流。在绕线筒311的上侧(导电膜侧)配置有检测线圈
313，以检测因为形成于导电膜的涡电流而产生的磁场。并且，在与激磁线圈312的与检测线圈313的相反侧，配置有平衡线圈314。

[0103] 图7表示各线圈的连接例。检测线圈313与平衡线圈314如上所述构成反相的串联电路，其两端连接于包含可变电阻316的电阻桥接电路317。线圈312连接于交流信号源203，通过产生交替磁通量，而在作为配置于附近的导电膜的研磨对象物102形成涡电流。通过调整可变电阻VR1、VR2的电阻值，由线圈313、314构成的串联电路的输出电压在不存在导电膜时可调整成零。

[0104] 图8表示从交流信号源203侧观看到传感器线圈202侧的阻抗Z的测量电路例。在此图8所示的阻抗Z的测量电路中，可取出伴随膜厚的变化所形成的阻抗平面坐标值(X、Y)、(也即电抗成分(X)、电阻成分(Y))、阻抗(Z＝X+iY)、及相位输出(θ＝tan-1R/X)。因此，通过使用这些信号输出，例如可通过阻抗的各种成分的大小测量膜厚等，进行更多方面的处理的进行状态的检测。

[0105] 综上所述，对于配置在成膜有检测对象的研磨对象物102的半导体芯片W附近的传感器线圈供给交流信号的信号源203是由水晶振荡器构成的固定频率的振荡器。交流信号源203例如供给1至50MHz的固定频率的电压。由信号源203所形成的交流电压经由带通滤波器(BPF)302而供给至激磁线圈312。由传感器线圈的端子128、130所检测的信号经由高频放大器(RF Amp)303及相位移位电路304而输入至由cos同步检波电路305及sin同步检波电路306所构成的同步检波部。通过同步检波部取出检测信号的cos成分(X成分)与sin成分(Y成分)。在此，从由信号源203形成的振荡信号，通过相位移位电路304，形成信号源203的同相成分(0°)与正交成分(90°)的两个信号。这些信号分别被导入cos同步检波电路305与sin同步检波电路306，以进行上述的同步检波。

[0106] 经过同步检波后的信号通过低通滤波器(LPF·AF AMP)307、308，去除信号成分以上的无用的例如5KHz以上的高频成分。经过同步检波后的信号是属于cos同步检波输出的X成分输出及属于sin同步检波输出的Y成分输出。此外，通过矢量运算电路309，从X成分输出与Y成分输出，获得阻抗Z的大小(X2+Y2)1/2。此外，通过矢量运算电路(θ处理电路)310，同样-1地从X成分输出与Y成分输出获得相位输出(θ＝tan Y/X)。在此，这些滤波器是为了去除传感器信号的噪声成分所设置的，设定有对应于各种滤波器的截止频率。

[0107] 接着，通过图9，来说明研磨对象物102与涡电流传感器210之间的距离不同时所获得的阻抗所对应的阻抗平面坐标系上的点(坐标值(X、Y))，形成不同的圆的情形。不同的圆的各自的中心位于相同的直线(第二直线)上。对于不同的圆，有共通的一个点。将其称为第一点。对此进行说明。

[0108] 在图5所示的传感器侧电路与导电膜侧电路中，分别成立下式。

[0109] R1I1+L1dI1/dt+MdI2/dt＝E (1)

[0110] R2I2+L2dI2/dt+MdI1/dt＝0 (2)

[0111] 在此，M是互感，R1是传感器侧电路的等效电阻，L1是传感器侧电路的自感。R2是涡电流所感应的导电膜的等效电阻，L2是涡电流所流动的导电膜的自感。

[0112] 在此，设In＝Anejωt(正弦波)，上述式(1)、(2)表示如下。

[0113] (R1+jωL1)I1+jωMI2＝E (3)

[0114] (R2+jωL2)I2+jωMI1＝0 (4)

[0115] 从这些式(3)、(4)，导出下一式(5)。

[0116] I1＝E(R2+jωL2)/{(R1+jωL1)(R2+jωL2)+ω2M2}

[0117] ＝E/{(R1+jωL1)+ω2M2/(R2+jωL2)}

[0118] (5)

[0119] 因此，传感器侧电路的阻抗Z，以下式(6)来表示。

[0120] Z＝E/I1＝{R1+ω2M2R2/(R22+ω2L22)}

[0121] +jω{L1-ω2L2M2/(R22+ω2L22)}

[0122] (6)

[0123] 在此，将Z的实部(阻抗成分的电阻成分)、虚部(阻抗成分的感应电抗成分)分别设为X、Y，上述式(6)将成为下式。

[0124] Z＝X+jωY (7)

[0125] 在此，若设Rx＝ω2L2M2/(R22+ω2L22)，(7)式成为：

[0126] X+jωY＝[R1+R2Rx]+Jω[L1-L2Rx]

[0127] 因此，成为：

[0128] X＝R1+R2Rx Y＝ω[L1-L2Rx]

[0129] 将此针对R2、L2求解，则为：

[0130] R2＝ω2(X-R1)M2/(ωL1-Y)2+(X-R1)2)

[0131] (8)

[0132] L2＝ω(ωL1-Y)M2/(ωL1-Y)2+(X-R1)2)

[0133] (9)

[0134] 图9所示的记号k为结合系数，下一个关系式(10)成立。

[0135] M＝k(L1L2)1/2 (10)

[0136] 将此应用于(9)时，则为

[0137] (X-R1)2+(Y-ω(1-(k2/2))L1)2＝(ωL1k2/2)2 (11)

[0138] 这是圆的方程式，表示X、Y形成圆，也即，表示阻抗Z形成圆。

[0139] 涡电流传感器210将包含涡电流传感器210的线圈的电气电路的阻抗的电阻成分X及感应电抗成分Y予以输出。这些电阻成分X及感应电抗成分Y为反映出膜厚的膜厚信号，其随着基板上的导电膜的厚度而变化。

[0140] 图9是表示将随着导电膜的厚度变化的X、Y绘制于XY坐标系上所描绘的曲线的图。点T∞的坐标是膜厚为无限大时，也即R2为0时的X、Y。点T0的坐标是，若可忽视基板的导电率，则膜厚为0时，也即R2为无限大时的X、Y。根据X、Y的值所定位的点Tn，随着导电膜的厚度减少，一边描绘圆弧状的轨迹一边朝向点T0行进。

[0141] 图10是表示使图9的曲线图形绕逆时针旋转90度，再使其平行移动而成的曲线图的图。如图10所示，随着膜厚减少，根据X、Y的值所定位的点Tn一边描绘圆弧状的轨迹一边朝向点T0行进。结合系数k为通过一方的线圈所产生的磁场，传递至另一方的线圈的比例。k＝1为最大，当线圈间的距离拉开时，也即研磨垫310A变厚时，k将会变小。

[0142] 涡电流传感器210的线圈与基板W之间的距离G，随着介在于它们之间的研磨垫310A的厚度而变化。结果是，如图11所示，坐标X、Y的圆弧轨迹会随着相当于所使用的研磨垫310A的厚度的距离G(G1至G3)而变化。从图11可得知，若不管线圈与研磨对象物102之间的距离G，将相同膜厚的坐标X、Y以直线(以下称等膜厚直线)连结时，该等膜厚直线会在交点P交叉。点P为第一点T0。这些膜厚直线m(n：1、2、3、…)在图11中，相对于通过第一点的圆的直径H，会以对应于导电膜(研磨对象物102)的厚度的角度α(阻抗角度)倾斜。通过第一点的圆的直径不管距离G如何而均相同。

[0143] 角度α为第一直线与通过第一点(T0)的圆的直径所成的角的角度，该第一直线连结膜厚为零时的阻抗所对应的第一点(T0)与膜厚不为零时的阻抗所对应的第二点(Tn)。当导电膜的厚度相同时，不管研磨垫310A的厚度的差异，角度α均相同。关于此点，通过图12来说明。所谓规定的直线也是连结第一点(T0)与点T∞的直线。

[0144] 使用图12所示的角度α来表示点Tn的坐标(X、Y)。自图12可得知：

[0145] X＝R1+ω(k2/2)L1sinα (12)

[0146] Y＝ω(1-(k2/2)L1-ω(k2/2)L1coaα (13)

[0147] 从所述的(8)、(9)可得知：

[0148] R2/L2＝ω(X-R1)/(ωL1-Y)

[0149] 将(12)、(13)代入此式，得出

[0150] R2/L2＝ωsin2α/(1+cos2α)＝ωtanα (14)

[0151] R2/L2仅依存于膜厚，而且不依存于结合系数k，因此不会依存于涡电流传感器210与研磨对象物102之间的距离，也即不会依存于研磨垫310A的厚度。R2/L2仅依存于膜厚，因此，角度α也仅依存于膜厚。膜厚算出部238算出角度α的正切，且利用(14)的关系，而从正切求出膜厚。

[0152] 针对角度α的算出方法及膜厚的算出方法进一步具体说明。图2的膜厚测量装置231，在为了测量研磨对象物的膜厚，通过涡电流传感器210检测可形成于研磨对象物102的涡电流作为阻抗时，从接收部232输入阻抗。从所输入的阻抗求出膜厚。膜厚测量装置231具备角度算出部234及膜厚算出部238。

[0153] 角度算出部234例如最初从包含所测量的第一点T0的圆上的三个阻抗成分的测量点(对应于不同膜厚的三点)，求出圆的中心。角度算出部234从第一点T0与圆的中心，求出通过圆的中心的直径12。角度算出部234算出第一直线10与通过第一点T0的圆的直径12所成的角的角度α，该第一直线10连结膜厚为零时的阻抗所对应的第一点T0与膜厚不为零时的阻抗所对应的第二点Tn。膜厚算出部238算出角度α的正切，且从正切求出膜厚。

[0154] 接着说明从正切求出膜厚的膜厚算出部238。在本实施方式中，利用正切的倒数与膜厚的关系。首先说明正切的倒数与膜厚的关系。

[0155] 当膜厚较厚时，在正切与金属膜的电阻值之间，有已述的(14)的关系，也即[0156] R2/L2＝ωtan α (14)

[0157] 在此，R2金属膜的电阻值。因此，R2与tan α成比例。再者，当膜厚较厚时，R2与膜厚具有以下的关系。

[0158] R2＝ρL/t W (15)

[0159] 在此，ρ：电阻率 L、W：金属膜的长度及宽度 t：膜厚

[0160] 从(14)、(15)，可得知膜厚t与角度α为以下的关系。

[0161] R2∝(1/t)∝ωtanα

[0162] 也即，1/tan α∞t

[0163] 由此，1/tan α与膜厚t成比例。若事先求出已述的比例系数，可从1/tan α求出膜厚t。当膜厚较薄时，(15)不成立，因此1/tan α与膜厚t的关系以非线形的关系来表示。

[0164] 接着说明膜厚算出部238对于以上述方式所获得的膜厚t进行的使用对应于第一距离的规定的后述的修正系数所作的修正。首先，通过图13、图14来说明需要修正的理由。在基板的中心部等，已知相较于基板的边缘部等可更精确度良好地测量出膜厚。图9至图12所示的圆是通过在基板W的中心部等的可精确度良好地测量出膜厚的基板W上的部位通过测量所获得的。在可精确度良好地测量出膜厚的基板W上的部位，不管膜厚的大小，对应于阻抗的点均在圆上。

[0165] 另一方面，在基板的边缘部等中，无法精确度良好地测量膜厚。图13表示此情形。本图为表示在基板W的中心部与边缘部的测量值与圆轨迹的关系的曲线图。在本图中，测量点60是通过在基板W的中心部等的测量所获得的，其位于圆62上。另一方面，在被椭圆72包围的范围内的测量点64是通过在基板的边缘部等的测量所获得的，其未位于圆62上。轨迹
66与轨迹74是根据针对不同的基板W通过在基板的边缘部等的测量所获得的测量值而作成的轨迹。

[0166] 通过图14来说明在基板W的边缘部等的测量点64未位于圆62上的理由。图14表示基板W的边缘部70中的涡电流传感器210所产生的磁通量68。如本图所示，涡电流传感器210在基板W的边缘部70等的附近，涡电流传感器210所产生的磁通量68的一部分存在于基板W的外部。由此可得知，这是因为涡电流传感器210所产生的磁通量68的整体未被有效地利用，也即未被完整地利用。结果是，涡电流传感器210的输出降低。

[0167] 在本实施方式中，以如下方式进行修正。利用圆62的中心76至测量点64的距离78(第一距离)，作为在基板W的边缘部等的测量点64相较于测量点60有多少程度的不完整的指标。图15表示距离78。图15为图13中图示出第一距离的图。设距离78与阻抗的圆62的半径80(第二距离)的比率设为不完整的程度。从不完整的程度，来算出修正系数。

[0168] 也可将其与图17所示的距离88的比率设为不完整的程度，其中，该距离88是从圆62的中心76至磁通量68的整体被有效利用(也就是可认为是完整的值)的测量点60为止的距离。距离88与阻抗的圆62的半径80理论上一致。然而，如图15所示，存在若干测量上的误差。

[0169] 图16表示距离78的测量例。本图是针对通过涡电流传感器210所获得的阻抗平面坐标系上的测量点求出距离78，而将距离78予以图示而完成的。本图的横轴表示测量点与基板W的中心90(参照图2)的距离(mm)。将基板W的半径设为L。±L是基板W的端部。纵轴表示距离78。纵轴为无单位，也即无次元量。纵轴的高度82表示阻抗的圆62的半径80。从本图可得知，距离78在基板W的边缘部70中与半径80不同，在边缘部70所获得的测量点64，未位于圆62上。

[0170] 接着通过图17来说明从不完整的程度算出修正量的方法。此方法可为各种方法。例如，如已述的方式从测量点64求出本图所的角度α，而从角度α的正切的倒数求出膜厚t。
将半径80除以距离78所得出的比，乘上所获得的膜厚t。作为另一方法，使用基板W且依据距离78而事先测量出对应于所获得的膜厚t进行乘法运算等的修正系数。修正系数能够以函数、表格等的形式保存于存储部。

[0171] 再以图17来说明再另一方法。关于边缘部70的测量值，主要考虑在基板W的中心附近的膜厚的输出与完全不存在基板W的导电膜时的输出混合地输出。假定涡电流传感器210的输出位于连结基板W的中心附近的测量点60与点T0而成的直线84上。如图17所示，实际上测量点64虽未位于直线84上，但假定位于直线84上。并且，以直线84与中心76的距离86即距离78中的最小的距离86为基准来考虑修正量。

[0172] 具体的计算顺序如下。以下的计算程序例如由膜厚算出部238执行。点T0的坐标、作为圆弧中心的中心76的坐标、圆弧的半径在算出角度α而转换为膜厚的过程中获得。将未受到边缘部70的影响的基板W的中心附近的测量点60的在阻抗坐标面的坐标的平均设为平均输出AveragePt进行计算。算出平均输出AveragePt的方法，例如将多个测量点60的在阻抗坐标面的多个X坐标与多个Y坐标分别进行平均。在求出平均输出AveragePt时，由使用者来指定将从基板W的中心至何处设为中心范围。例如，以在从基板W的中心至-100mm至100mm的范围的圆区域所获得的测量点60为对象。

[0173] 接着，从作为点T0的坐标、圆弧的中心76的坐标、测量点60的坐标的平均的平均输出AveragePt计算最小的距离86。具体而言，从点T0的坐标、与平均输出AveragePt的坐标求出直线84的方程式。接着，求出圆弧的中心76与直线84的距离。

[0174] 接着，在边缘部70的各个测量点64中使用圆62的距离中心76的距离78，而计算以下的修正系数Coeff(修正量)。

[0175] Corff＝1-A×(R_idle-R)/R_idle-R_idle_min)

[0176] 在此，A：调整系数

[0177] R_idle：半径80

[0178] R：距离78

[0179] R_idle_min：距离86。

[0180] 关于该修正系数Coeff，对于存在于不为边缘部70的阻抗圆弧上的点例如测量点60，为R＝R_idle，因此修正系数成为1。因此，修正系数Coeff仅会对于边缘部70附近以外的测量点64产生影响，因此可视为是适当的修正。

[0181] 修正系数Coeff对于修正前的膜厚t进行乘法运算。也即，通过下式进行修正。

[0182] Adjusted Thickness(r)＝Thickness(r)×Coeff (16)

[0183] 在此，r：测量点60、64的距离基板W的中心76的距离

[0184] Adjusted Thickness(r)：作为距离r的函数的修正后的膜厚

[0185] Thickness(r)：作为距离r的函数的修正前的膜厚t

[0186] Coeff(r)：修正系数Coeff。

[0187] 在此式中，将Adjusted Thickness(r)、Thickness(r)设为距离r的函数。

[0188] 设为距离r的函数的理由，如图16所示，是因为取决于距离r。

[0189] 另外，适用考虑了距离86的修正的基板W上的范围，可限定为边缘部70，也可为基板W的整体。

[0190] 图18、图19表示应用(16)式进行修正后的结果。图18表示修正前的膜厚t((16)式的Thickness(r))。图19表示通过(16)式修正图18所示的膜厚t之后的膜厚((16)式的Adjusted Thickness(r))。图18、图19的横轴表示测量点60、64的距离基板W的中心90(参照图2)的距离(mm)。设基板W的半径为L。±L为基板W的端部。纵轴表示膜厚t(nm)。从图19可得知，在基板W的边缘部70中通过修正，膜厚变大，(16)式的修正是妥当的。

[0191] 另外，也可在研磨结束后通过设置于第一研磨单元300A或基板处理装置1000的外部的膜厚测量机来测量基板W的膜厚，且将关于所获得的边缘部70的膜厚的信息输入至膜厚算出部238等，而进行调整系数A的逐次最佳化。此外，也可通过云端/雾端上的计算机来实施该逐次最佳化。再者，也可将该数据应用于使用了相同种类的芯片的其他传感器(其他半导体制造装置用处理腔室内的其他传感器)。作为膜厚测量机，若可测量膜厚t，可使用公知的任意方式的测量机。例如为电磁式膜厚仪、涡电流式膜厚仪、光学式膜厚仪、电气阻抗式膜厚仪、涡电流相位式膜厚仪等。也可通过以电子显微镜观察剖面来测量膜厚t。

[0192] 对作为研磨对象的基板进行研磨的研磨方法以如下方式实施。将作为研磨对象的基板W按压于研磨面104而对基板W上的导电膜进行研磨。为了测量导电膜的膜厚，通过涡电流传感器210而形成涡电流于导电膜，并且检测所形成的涡电流。涡电流传感器210将所检测的涡电流作为阻抗成分予以输出。膜厚测量装置231输入阻抗成分，且从所输入的阻抗成分而监视导电膜的膜厚。在使阻抗成分的电阻成分与电抗成分分别对应于具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴时，阻抗成分所对应的坐标系上的点的至少一部分形成圆62的至少一部分。膜厚测量装置231求出坐标系上的测量点64与圆62的中心76的第一距离78，且从阻抗成分求出膜厚t，及使用所获得的第一距离78来修正所获得的膜厚t。

[0193] 接着说明第一研磨单元300A具有可直接或间接测量研磨中的基板W的温度的温度传感器56、与可使用所测量的温度来修正所求出的膜厚的终点检测器241(温度修正部)的实施例。第一研磨单元300A包含用于监控第一研磨单元300A内的温度的温度传感器56。在图2中，配置成监控研磨垫310A或研磨垫310A上的基板W的温度。温度传感器56为了测量基板W的温度，也可配置于顶环330A的内部。温度传感器56为了监控研磨垫310A或基板W的表面的温度，也可与研磨垫310A或基板W的表面直接接触。温度传感器56也可为非接触传感器(例如红外线传感器)。温度在膜厚测量时使用。

[0194] 利用研磨垫310A的温度而修正膜厚计算的理由如下所述。以基板W上的金属膜而言，当基板W的温度上升时，电性传导率降低。因此，在涡电流传感器210的正式测量时，一般而言，基板W的温度比经过校准时的温度上升，而被误测量为较实际的膜厚为薄。

[0195] 通过使用研磨垫310A的温度来修正误测量，可算出正确的膜厚。终点检测器241通过下列公式进行修正。

[0196] Thickness_adj＝Thickness×(1+k×[(T-Ｔcal）×α+T])/(1+k×Tcal) (A1)[0197] 在此，Thickness_adj：修正后的膜厚t

[0198] Thickness：修正前的膜厚

[0199] T：研磨中的平台温度

[0200] Tcal：将涡电流传感器210经过校准时的研磨垫310A的温度

[0201] k：电阻率的温度数(金属固有值)

[0202] α：取决于第一研磨单元300A的系数

[0203] 例如，当在基体状态(也即具有某程度的较大体积的状态)的Cu的情形下，k＝0.0044，当经过校准时的温度为20℃时，在金属膜为50℃的环境下，当测量膜厚时，膜厚成为1/1.121倍。也即，上升10℃会被测量出约薄4％。

[0204] 依据上述的(A1)式所作膜厚计算的修正的依据如下。

[0205] 当将金属的温度为T时的膜厚设为Thickness1时，Thickness1以如下公式来表现。

[0206] Thickness1：ρ(T)/Rs

[0207] 在此，ρ(T)金属的温度为T时的金属的导电率，

[0208] ρ(T)＝ρo(1+kT) (A2)

[0209] ρo经过校准时的温度下的金属的导电率

[0210] Rs是薄膜电阻。

[0211] 当不进行温度修正时，第一研磨单元300A具有校准时的温度下的近似式，因此膜厚计算将以ρ(Tcal)进行。在此，Tcal是经过校准时的金属的温度。

[0212] 然而，当研磨中基板W的温度成为T时，应使用ρ(T)而算出膜厚。因此，可通过如下公式来修正。

[0213] Adjusted Thickness＝Calculated Thickness×ρ(T)÷ρ (Tcal)

[0214] 在此，Adjusted Thickness：使用ρ(T)所修正的膜厚

[0215] Calculated Thickness：以近似式所获得的修正前的膜厚

[0216] 将此使用(A2)式，以T来表示，则

[0217] Adjusted Thickness＝Calculated Thickness×(1+k×T)/(1+k×Tcal)[0218] 再者，研磨垫310A的温度，基本上温度较基板W的温度更低。为了修正为基板W的温度，在Tcal时，以修正系数成为1的方式，追加取决于系统的系数α。结果是，成为已述的(A1)式。

[0219] Thickness_adj＝Thickness×(1+k×[(T-Tcal)×α+T])/(1+k×Tcal) (A1)[0220] 接着使用图20至图22来说明上述的为了处理第一研磨单元300A中的信息的构成的一例。然而，在图20至图22中，第一研磨单元300A被简单地描绘，省略了具体的构成(顶环330A、研磨垫310A等)。

[0221] 图20为表示具备具有数据处理部94的控制部140A的第一研磨单元300A的一例的图。在数据处理部94中，也可搭载AI(Arrificial Intelligence，人工智能)功能。数据处理部94可为某种硬件，例如可为存储于存储介质的程序。在图20中，数据处理部94虽被描绘成与控制部140A的其他要素独立的要素，但数据处理部94也可例如被存储于控制部140A所具备的储存装置(未图示)而通过控制部140A的处理器(未图示)来控制。数据处理部94例如进行研磨轮廓的产生及取得、控制参数的更新、及以实际主力信号作为学习数据的反馈等，需要图像处理及大规模的计算的处理的方式构成。图20的结构具有可使第一研磨单元300A独立地动作的优点。

[0222] 图21表示经由路由器96而连接于云端(或雾端)97的第一研磨单元300A的一例的图。路由器96是用于连接控制部140B与云端97的装置。路由器96也可称为“具有闸道功能的装置”。云端97指通过因特网等计算机网络而提供的计算机资源。另外，当路由器96与云端97间的连接为局域网时，云端有时也被称为雾端97。例如，连接散布于地球上的多个工厂时，可使用云端97，当在某特定的工厂内建构网络时，可使用雾端97。雾端97也可进一步连接至外部的雾端或云端。在图21中，将控制部140与路由器96设为有线连接，路由器96与云端(或雾端)97设为有线连接。然而，各连接也可为无线连接。在云端97中，连接有多个第一研磨单元300A(未图示)。多个第一研磨单元300A的各者，经由路由器96而与云端97连接。各第一研磨单元300A所获得的数据(来自涡电流传感器210的膜厚数据、或其他任意信息)，聚集于云端97中。此外，图21的云端97可具有AI功能，数据的处理在云端97中进行。然而，处理也可以局部地由控制部140B来进行。图21的结构具有可根据所聚集的大量的数据而控制第一研磨单元300A的优点。

[0223] 图22为表示经由具有边缘计算功能的路由器96A而连接于云端(或雾端)97的第一研磨单元300A的一例的图。图22的云端97也连接于多个第一研磨单元300A(未图示)。图22的多个第一研磨单元300A的各者，经由路由器96A而连接于云端97。然而，路由器中的数个，也可不具有边缘计算功能(路由器中的数个也可为图21的路由器96)。在路由器96A设有控制部96B。然而，在图22中，仅代表性地在一个路由器96A图示有控制部96B。再者，在路由器96A中，可搭载有AI功能。控制部96B及路由器96A的AI功能，可将从第一研磨单元300A的控制部140C所获得的数据，在第一研磨单元300A的附近进行处理。另外，在此所称的附近，指网络上的距离的用语，而非指物理上的距离的用语。然而，大多情形是网络上的距离越近，物理上的距离就越近。因此，若路由器96A中的运算速度与云端97中的运算速度为相同程度，则路由器96A的处理会比云端97的处理更高速。即使两者的运算速度有差异时，从控制部140C所传送的信息到达路由器96A的速度，也会比从控制部140C传送的信息到达云端97的速度更快。

[0224] 图22的路由器96A，更具体而言路由器96A的控制部96B仅处理应处理的数据中的需要高速处理的数据。路由器96A的控制部96B将不需要高速处理的数据传送至云端97。图22的构成具有可兼具在第一研磨单元300A附近的高速处理、及根据所聚集的数据的控制的优点。

[0225] 综上，虽已说明了本发明的实施方式，但上述的发明的实施方式，用于易于理解本发明，非用于限定本发明。本发明在未脱离其旨趣下，可进行变更、改良，并且本发明当然包含其均等物。此外，在可解决上述的课题的至少一部分的范围、或可达成效果的至少一部分的范围内，也可进行申请专利范围及说明书所记载的各构成要素的任意的组合、或予以省略。

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吹气式研磨装置-专利编号CN105363527B	2020-05-13	484
多头高速研磨机-专利编号CN101927452A	2020-05-12	551
研磨机及其研磨方法-专利编号CN104815726B	2020-05-11	970
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