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41. 发明专利

JP5041883B2 METHOD FOR PRODUCING Iii nitride semiconductor layer, the manufacturing method of iii-nitride semiconductor light emitting device 有权
公开(公告)号：JP5041883B2
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：JP2007151670
申请日：2007-06-07
申请人：昭和電工株式会社
发明人：久幸三木 , 健彦岡部 , 泰典横山
IPC分类号： H01L21/203 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/42
CPC分类号： C23C14/0617 , C23C14/3464 , C23C14/568 , C30B23/002 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631

42. 发明专利

JP2012138524A Substrate transfer apparatus and vacuum processing apparatus 有权
标题翻译：基板传送装置和真空处理装置
公开(公告)号：JP2012138524A
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：JP2010291272
申请日：2010-12-27
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： AOKI KAZUNARI , WATANABE KAZUTO
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/00
CPC分类号： C23C14/568
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate transfer apparatus which can increase linear motor efficiency by decreasing a distance between a stator surface and a permanent magnet surface.SOLUTION: A vacuum partition wall 55 is disposed between a permanent magnet 52 and a driving magnet 50 to isolate space in which the permanent magnet 52 is disposed in a vacuum atmosphere, and space in which the driving magnet 50 is disposed in an air pressure atmosphere. The vacuum partition wall 55 has an upper plate part 59a with a flat surface on the permanent magnet 52 side, a second side wall part 59c connected airtightly with the edge of the upper plate part 59a, and a plurality of ribs 61. The plurality of ribs 61 are bridged between portions of the respective second side wall parts 59c facing each other and formed integrally on the air pressure atmosphere side of the upper plate part 59a for inhibiting deflection of the upper plate part 59a. As a result, the maximum deflection amount of the vacuum partition wall 55 can be decreased and a distance between the permanent magnet 52 and the driving magnet 50 can be decreased.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过减小定子表面和永磁体表面之间的距离可以提高线性电动机效率的衬底传送装置。解决方案：真空分隔壁55设置在永磁体52和驱动磁体50之间，以隔离在真空环境中设置永磁体52的空间，以及驱动磁体50设置在其中的空间气压气氛。真空隔壁55具有在永磁体52侧具有平坦面的上板部59a，与上板部59a的边缘气密连接的第二侧壁部59c和多个肋61.多个肋61在彼此相对的各个第二侧壁部分59c的部分之间桥接，并且一体地形成在上板部分59a的空气压力气氛侧，以防止上板部分59a的偏转。结果，可以减小真空分隔壁55的最大偏转量，并且可以减小永磁体52与驱动磁体50之间的距离。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

43. 发明专利

JP2012084861A Film forming apparatus, continuous film forming apparatus and film forming method 有权
标题翻译：电影成型装置，连续成膜装置和成膜方法
公开(公告)号：JP2012084861A
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：JP2011196959
申请日：2011-09-09
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/363 , C03B27/012 , C03C17/245 , C03C17/34 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/477 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/40 , C23C16/407 , C23C16/4401 , C23C16/50 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus for achieving a semiconductor device having stable electrical characteristics and high reliability, a film forming apparatus capable of mass-producing a semiconductor device having high reliability using a large substrate such as a mother glass, and a method for manufacturing a semiconductor device having stable electrical characteristics and high reliability by use of the film forming apparatus.SOLUTION: A film forming apparatus comprises a conveying mechanism for a substrate, a first film forming chamber for forming an oxide semiconductor along a direction of a substrate being conveyed by the conveying mechanism, a first heating chamber for performing a first heat treatment. The substrate is held such that an angle between a surface of the substrate to be formed with a film and a vertical direction is equal to 1° or more and equal to 30° or less, and can be subjected to the first heat treatment after a first film is formed thereon without being exposed to the atmosphere. An oxide semiconductor layer is formed by use of the film forming apparatus.
摘要翻译：解决的问题：为了提供一种用于实现具有稳定的电气特性和高可靠性的半导体器件的成膜设备，能够使用诸如母亲等大型基板大量生产具有高可靠性的半导体器件的成膜设备玻璃，以及通过使用成膜装置制造具有稳定的电特性和高可靠性的半导体器件的方法。＆lt; P＆gt;解决方案：一种成膜装置，包括用于基板的输送机构，用于沿着由输送机构输送的基板的方向形成氧化物半导体的第一成膜室，用于进行第一热处理的第一加热室。保持基板，使得要形成膜的基板的表面与垂直方向之间的角度等于1°以上且等于30°以下，并且可以在a 第一膜形成在其上而不暴露于大气。通过使用成膜装置形成氧化物半导体层。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

44. 发明专利

JPWO2010029702A1 磁気抵抗素子の製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2010029702A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2010528610
申请日：2009-08-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：孝二恒川 , 孝二恒川 , 佳紀永峰 , 佳紀永峰 , 伸二山形 , 伸二山形
IPC分类号： H01L43/12 , C23C14/34 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , C23C14/081 , C23C14/225 , C23C14/3414 , C23C14/568 , H01L43/12
摘要：従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。基板の上に、磁化固定層、磁化自由層、及び該磁化固定層と該磁化自由層との間に位置するトンネルバリア層を成膜する工程を有する磁気抵抗素子の製造方法において、基板の直径よりも直径が小さく、酸化マグネシウム焼結体を含有した相対密度90%以上のターゲットを、基板の被成膜面に向けて傾斜させ、基板を回転させながらスパッタリング法により酸化マグネシウム層を成膜し、トンネルバリア層を形成する。

45. 发明专利

JPWO2010026725A1 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2010026725A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010527688
申请日：2009-08-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：正樹栗林 , 正樹栗林 , ジュリアントジャヤプラウィラダビッド , ジュリアントジャヤプラウィラダビッド
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/13 , H01F10/16 , H01F41/18 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , C23C14/165 , C23C14/3414 , C23C14/568 , H01L43/12
摘要：従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。基板と、結晶性第一強磁性体層、トンネルバリア層、結晶性第二強磁性体層、非磁性中間層、結晶性第三強磁性体層を有する磁気抵抗素子であって、第一強磁性体層がCo原子、Fe原子及びB原子を含有する合金からなり、トンネルバリア層が結晶性酸化マグネシウム層又は結晶性ボロンマグネシウム酸化物層を有し、第二強磁性体層及び第三強磁性体層がCo原子、Fe原子及びB原子を含有する合金又はCo原子とFe原子を含有する合金からなる。

46. 发明专利

JP2012502177A Deposition apparatus and deposition method to use this 有权
公开(公告)号：JP2012502177A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2011525975
申请日：2009-09-01
申请人：エスエヌユープレシジョンカンパニー,リミテッドSnu Precision Co., Ltd.
发明人：ホカン，チャン , ククォン，ヒョン , クァンソン，ソン , テナムクン，ソン
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/547 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/568
摘要：本発明による蒸着装置は反応空間を形成する工程チャンバと、工程チャンバに連結された移送チャンバと、工程チャンバ内に位置して基板を安置する基板安置手段と、基板安置手段と対向配置されて原料物質を保存する蒸着源と、移送チャンバに設置されて基板に蒸着された蒸着膜の実際の厚さを直接測定する厚さ測定手段を含む。
本発明は厚さ測定手段を備える蒸着装置を利用して薄膜が蒸着される基板に形成された蒸着膜の実際の厚さを直接測定してモニタリングできる。これに、基板に蒸着された蒸着膜の実際の厚さをリアルタイムにモニタリングして、前記蒸着膜の実際の厚さを制御する蒸着制御の厚さをリアルタイムに補正することで、蒸着膜の厚さを正確に制御することができる。これにより、基板に形成される素子の信頼性及び生産収率を進めることができる。

47. 发明专利

JP2011243257A Substrate rotating device and vacuum processing device as well as film forming method 有权
标题翻译：底片旋转装置和真空加工装置，如薄膜成型方法
公开(公告)号：JP2011243257A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010115162
申请日：2010-05-19
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： YAMADA SATOSHI , ISHIDA MASAAKI
IPC分类号： G11B5/84 , C23C14/50 , G11B5/851
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/568
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate rotating device that contributes to cost reduction of a mechanism for rotating a substrate.SOLUTION: A substrate rotating device rotates a substrate 9 having a center hole to change a support position of the substrate 9 supported by a carrier. The substrate rotating device comprises a shaft linked to a drive source and capable of an advance or retreat motion, an up or down motion and a left or right motion, and a pick 32 fixed to an end side of the shaft and provided a support groove opened upward on which an edge inside the center hole is placed and which supports the substrate 9 in a vertical attitude. By changing a distance between a rotation center of the pick 32 and the pick 32 with the up and down motion of the shaft, a change of the position of the substrate relative to the carrier can be suppressed before and after the rotation of the pick to prevent a wiper-like movement of the substrate 9.
摘要翻译：解决的问题：提供有助于降低用于旋转基板的机构的成本降低的基板旋转装置。解决方案：基板旋转装置旋转具有中心孔的基板9，以改变由载体支撑的基板9的支撑位置。基板旋转装置包括连接到驱动源并能够前进或后退运动，向上或向下运动和左或右运动的轴和固定到轴的端侧的拾取器32，并且设置有支撑槽向上打开中心孔内部的边缘，并以垂直方式支撑基板9。通过随着轴的上下运动改变拾取器32的旋转中心和拾取器32之间的距离，可以在拾取器旋转之前和之后抑制衬底相对于载体的位置的改变防止基板9的刮水器状运动。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP4763711B2 Sputtering apparatus and film forming method 有权
公开(公告)号：JP4763711B2
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：JP2007540917
申请日：2006-10-05
申请人：株式会社アルバック
发明人：禎之浮島 , 暁石橋 , 典明谷 , 悟高澤
IPC分类号： C23C14/35 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347
摘要： A sputtering apparatus for ensuring high target utilization efficiency is provided. The sputtering apparatus 1 of the present invention comprises a moving means 28a, 28b so that first and second magnet members 23a, 23b can be moved by the moving means 28a, 28b in planes parallel to the surfaces of first and second targets 21a, 21b. When the first and second magnet members 23a, 23b move, magnetic field lines as well as deeply eroded regions on the surfaces of the first and second targets 21a, 21b also move, whereby large areas on the surfaces of the first and second targets 21a, 21b are sputtered.

49. 发明专利

JP2011127190A In-line film forming apparatus, method for producing magnetic recording medium, and gate valve 审中-公开
标题翻译：在线成膜装置，生产磁记录介质的方法和门阀
公开(公告)号：JP2011127190A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：JP2009287679
申请日：2009-12-18
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社
发明人： TSUNODA YUKITAKA , UENO SATOSHI
IPC分类号： C23C14/34 , G11B5/85 , G11B5/851
CPC分类号： G11B5/85 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/568 , F16K3/184 , F16K51/02 , H01L21/67126
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an in-line film forming apparatus capable of suppressing generation of vibrations accompanying an open/close operation of a gate valve and opening and closing the gate valve at a high speed.
SOLUTION: Just before a piston 114 in a cylinder 115 reaches an end in one direction, a second valve 117a is fully closed to discharge air through only a second flow rate control valve 117b; and just before the piston 114 in the cylinder 115 reaches an end in the other direction, a first valve 116a is fully closed to discharge air through only a first flow rate control valve 116b. Thereby, shocks due to the contact between the end of the cylinder 115 and the piston 114 are reduced, and generation of vibrations can be suppressed.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制伴随闸阀的打开/关闭操作产生的振动并且高速打开和关闭闸阀的在线成膜设备。解决方案：在气缸115中的活塞114在一个方向上达到端部之前，第二阀117a完全关闭，仅通过第二流量控制阀117b排出空气; 并且在气缸115中的活塞114在另一方向上达到端部之前，第一阀116a完全关闭，仅通过第一流量控制阀116b排出空气。因此，由于气缸115的端部和活塞114之间的接触引起的冲击减小，并且可以抑制振动的产生。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

50. 发明专利

JP2011509347A Multi-path vacuum coating system 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2011509347A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：JP2010540917
申请日：2008-12-29
申请人：エグザテック・リミテッド・ライアビリティー・カンパニーExatec,LLC.
发明人：スティーブンエムガスワース
IPC分类号： C23C16/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/568 , C23C16/4408 , C23C16/4409 , C23C16/54 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32816 , H01J2237/3321 , H01L21/67173 , H01L21/67745
摘要：システムを横断して搬送される基板に複数のコーティングを塗布するマルチパスコーティングシステムおよび方法。本システムは、システム内で大気圧より低い圧力を確立すべく本システムに結合された少なくとも１個の真空ポンプを含んでいる。本システムはまた、基板にコーティング層を塗布するための少なくとも１個のコーティングゾーンを含み、基板が通過することによりシステム外部の大気圧とシステム内部の大気圧より低い圧力との間を遷移する少なくとも１個の転送ロックを含んでいる。本システムは、システムを通過して基板を搬送するために、基板がシステムから出る前にコーティングゾーンを少なくとも２回通過して基板を搬送すべく構成された搬送機構を含んでいる。
摘要翻译：一种用于将多个涂层施加到穿过该系统的基底的多遍涂覆系统和方法。该系统包括至少一个耦合到系统的真空泵，以在系统内建立次大气压力。该系统还包括至少一个涂层区域，其中将涂层施加到基底上并且包括至少一个转移锁定物，基底通过该转移锁定物在系统外部的大气压力与系统内的次大气压力之间转变。为了将基板移动通过系统，系统包括传送机构，其构造成在基板从系统退出之前将基板移动至少两次穿过涂覆区域。

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