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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
61	制备氟化物的方法及装置	CN201310394910.8	2013-09-03	CN103466552A	2013-12-25	陈海清; 刘燚; 朱昌洛; 魏威; 冀成庆
本发明提供了一种制备氟化物的方法及装置。该方法包括以下步骤：步骤S1：在密闭反应容器内放入氟化物反应样品；步骤S3：使反应容器内成真空状态或将反应容器内充满保护气体；步骤S5：加热反应容器，使氟化物反应样品发生反应；步骤S7：使反应容器保持真空状态或反应容器内仍充满保护气体，冷却反应后的氟化物，取出样品。根据本发明，通过将反应容器保持为真空状态或将反应容器内充满保护气体，然后加热反应容器使反应样品发生反应，并在真空状态或保护气氛状态下，取出样品，这样就保证了生成的氟化物的纯度；同时本发明的方法只需要保持反应容器内的真空状态或保护气氛状态即可，操作简单方便。
62	同位素富集的含硼化合物及其制备和使用方法	CN201180049806.4	2011-08-16	CN103153858A	2013-06-12	R·凯姆; J·D·斯威尼; O·比尔; S·N·耶德卫; E·E·琼斯; 邹鹏; 唐瀛; B·L·钱伯斯; R·S·雷
本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。
63	制备高纯四氟化碳气体的方法及设备	CN200810053615.5	2008-06-24	CN101298318B	2012-10-10	陈光华; 倪志强
本发明公开了一种制备高纯四氟化碳气体的方法及设备，其方法包括以下步骤：氟气与高纯活性炭进行化学合成反应、除尘、水洗、碱洗、气液分离、除水、精馏、液化和收集等。其设备包括氟气储罐、反应釜、除尘器、水洗塔、碱洗塔、气液分离器、吸附塔、精馏釜、精馏柱和冷凝器等。利用本发明的方法及设备生产的四氟化碳气体纯度高、设备简单、操作方便、设备运行安全、可连续生产等优点。
64	从锂云母矿脱氟尾气中制备氟化氢及氟化物产品的方法	CN201210052443.6	2012-03-02	CN102530874A	2012-07-04	颜群轩; 何君韦; 陈进; 厉逢鹏; 伍习飞
本发明就是要提供一种从锂云母矿脱氟尾气中制备氟化氢及氟化物产品的方法，采用焙烧方法，包括焙烧后尾气的除尘、吸收和提纯，按如下方法进行：1）将锂云母矿，在水蒸汽存在下进行脱氟焙烧，得焙砂，控制焙砂中氟含量小于或等于2.0Wt%，并收集制得含氟尾气；2）将上述含氟尾气，用溶液吸收剂进行吸收处理，制得氟化物，再由氟化物制备氟化氢；所述溶液吸收剂为水或碱溶液。本发明是在从锂云母原料中提取锂、钾、铷、铯等有价金属时，对其排放出的含氟尾气进行回收，减少了对环境的污染，同时回收其中的氟进一步提升了锂云母的经济利用价值。
65	氟硅酸清洁利用生产氟化合物和硅化合物的工艺方法	CN201010252770.7	2010-08-13	CN101913637B	2012-05-09	刘德华
本发明公开了氟硅酸清洁利用生产氟化合物和硅化合物的工艺方法。该工艺方法包括将磷化工副产物氟硅酸制备成无水氟化铝产品、氟化钠产品、冰晶石产品，以及与其他工业废弃物硅渣和铝渣联合制备4A沸石产品。本发明的工艺方法对氟硅酸进行了综合利用，资源回收率高，其中氟元素的回收率达到90％以上；本发明的工艺方法中产生的二氧化硅废渣可再利来生产白炭黑和4A沸石，生产过程中产生的母液、洗涤液及废气都进行了回收再利用，降低环境污染，真正达到了零排放、无污染，完全符合清洁生产的要求；该生产工艺先进，产品质量好，价值高。其中，氟化铝的含氟量高，在63～65％之间；生产得到的白炭黑的质量指标达到化工行业的标准要求；而4A沸石产品质量达到国家标准及欧美发达国家的标准要求。
66	一种表面配体环氧化制备两亲性功能化稀土纳米材料的方法	CN200810039600.3	2008-06-26	CN101302362B	2012-05-09	李富友; 胡鹤; 黄春辉
本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种表面配体环氧化制备两亲性功能化稀土纳米材料的方法。本发明通过环氧化试剂将纳米材料上带有的表面活性剂中的C＝C双键氧化得到三元环氧化合物，再利用环氧化物在酸性或碱性下开环与含羟基、氨基等活性基团的化合物反应，制得两亲性和功能化稀土纳米材料。本方法工艺简单，使用范围广泛，反应产率高，成本低廉。
67	一种制造金属氟化物的方法	CN201010255724.2	2010-08-18	CN102372261A	2012-03-14	朴赞镐
本发明公开了一种制造金属氟化物的方法，包括在反应器中分别加入氟化物与金属原料，然后在室温条件下，使上述反应物在机械力作用下发生机械化学反应，制得具有特定的粒径分布并且粒径均匀的金属氟化物的纳米级粒度粉末。本发明所述制造金属氟化物的方法，不仅实现了利用机械化学方法制造氟族化合物，尤其是金属氟化物的目的，而且克服了机械化学反应中难于控制粒径的缺点；同时，所述方法与液相法相比，不需要进行去除反应副产物的清洗工序就能获得高纯度的氟族化合物，制造工序简单，利于进行工业生产。
68	氟化纳米金刚石和其分散液、及其制作方法	CN200980123936.0	2009-06-03	CN102066246A	2011-05-18	八尾章史
本发明提供一种以氧元素与氟元素的元素比(O/F)为0.06～0.20为特征的氟化纳米金刚石、该氟化纳米金刚石分散于含醇类的分散介质中而得到的氟化纳米金刚石分散液、以及该氟化纳米金刚石分散液的制作方法。
69	一种氟化石墨的制备方法	CN201010256264.5	2010-08-17	CN101927981A	2010-12-29	刘建远; 申士富; 刘海营
本发明公开了一种氟化石墨的制备方法，采用无机复合氟化剂和石墨原料在高纯氮气存在下加热反应制得氟化石墨，其中所述无机复合氟化剂为六氟锰酸钾和五氟化锑的混合物。采用本发明的方法，最终得到的氟化石墨氟含量可达59％，可作为锂离子电池的正极材料和固体润滑材料，固相法制备的氟化石墨产品纯度大于99％，利用价值大；本发明的工艺操作简单，安全性高，不需要外接氟气，六氟锰酸钾和五氟化锑在常温下性质稳定，因此安全性高。
70	三元复合氟化物ABF3的低温合成方法	CN200810054269.2	2008-08-25	CN101343041B	2010-06-09	杨秋华; 曲建强
本发明涉及三元复合氟化物ABF3的低温合成方法。其步骤：1)将氟化物AF和BF2固体充分混合研细后，室温下加入到溶剂中，于溶剂沸点温度下回流4-8小时室温下冷却、静置；2)将混合液进行常压过滤，与溶剂分离后用蒸馏水洗涤，再用少量无水乙醇洗涤至颗粒分散后干燥，即得产物。本发明的有益效果是：以溶剂回流法合成复合氟化物ABF3，工艺简单，对仪器设备的腐蚀性小，不产生HF气体，可以直接以市售商品为起始原料合成目标产物，并且该方法适合多种复合氟化物的合成，所合成的产物具有单一的晶体结构。
71	高纯纳米氟化锂的制备方法	CN200610136831.7	2006-12-08	CN101195495B	2010-05-26	胡启阳; 李新海; 王志兴; 郭华军; 彭文杰; 张云河
一种高纯纳米氟化锂的制备方法，本发明以工业氢氧化锂和氟化铵为原料，先将氢氧锂水溶解、萃淋树脂色层法纯化、浓缩、喷雾干燥得到高纯单水氢氧化锂；常温下混合氢氧化锂与氟化铵，反应形成纳米氟化锂；经热处理去除杂质，得到高纯度氟化锂产品。本发明常温化学反应生成氟化锂及易于分离去除的共生产物；产品制备流程短、工序少，便于产业化；产品为纳米级，反应活性高，形貌好，能满足作为高技术新材料生产原材料的要求。
72	微波合成氟化铈纳米盘的方法	CN200710156881.6	2007-11-16	CN100522819C	2009-08-05	陈卫祥; 马琳; 李辉
本发明公开的微波合成氟化铈纳米盘的制备方法，其步骤为：首先将络合剂乙二胺四乙酸二钠溶于去离子水中，搅拌下加入硝酸铈形成溶液；然后调节溶液的pH值至5.0～7.0，搅拌下加入氟硼酸钾得到反应体系；再将反应体系在回流条件下于微波炉加热30～60分钟后自然冷却，用离心分离和去离子水充分洗涤，收集并干燥。本发明的合成方法具有工艺简单、成本低廉、快速、节能和效率高的特点。制备出的氟化铈纳米盘尺寸可控，尺寸均匀，平均直径在150～600纳米，厚度为50～200纳米。该产品有望在光学、光电子学、生物标记、催化等领域获得广泛的应用。
73	溶胶－凝胶法制备锂离子电池正极材料氟磷酸钒锂的方法	CN200810073680.4	2008-07-14	CN101315980A	2008-12-03	钟胜奎; 刘乐通; 王健; 刘洁群; 姜吉琼
本发明公开了一种溶胶－凝胶法制备锂离子电池正极材料氟磷酸钒锂的方法。向五氧化二钒粉末中加入体积比为10－25％的H2O2，搅拌反应4－16h形成棕红色溶液，然后往溶液中加入磷酸盐、有机酸、锂盐和氟盐混合均匀后，在惰性气体的保护下于400℃－700℃烧结4－16h，冷却后即为成品LiVPO4F；本发明简单方便、易于控制、成本低；降低了合成温度，提高了样品的充放电性能和循环性能。
74	制备高纯四氟化碳气体的方法及设备	CN200810053615.5	2008-06-24	CN101298318A	2008-11-05	陈光华; 倪志强
本发明公开了一种制备高纯四氟化碳气体的方法及设备，其方法包括以下步骤：氟气与高纯活性炭进行化学合成反应、除尘、水洗、碱洗、气液分离、除水、精馏、液化和收集等。其设备包括氟气储罐、反应釜、除尘器、水洗塔、碱洗塔、气液分离器、吸附塔、精馏釜、精馏柱和冷凝器等。利用本发明的方法及设备生产的四氟化碳气体纯度高、设备简单、操作方便、设备运行安全、可连续生产等优点。
75	一种制备氟化铈空心纳米结构材料的方法	CN200710134623.8	2007-11-05	CN101172637A	2008-05-07	吴强; 胡征; 王喜章
制备氟化铈空心纳米结构材料的方法：振荡反应体系为溴酸钾或溴酸钠－有机酸或糖－铈源－硫酸体系，其浓度分别为0.06±0.04、0.06±0.04、0.02±0.02、0.6±0.4mol/L；所用的氟源为NaF，浓度保持在0.1－0.5mol/L范围；所述的水热反应制备过程是在110－170℃的温度区间内进行的。所用的铈源可以是K7Ce6F31粉末、硝酸铈铵或硫酸铈铵；有机酸或糖可用丙二酸、草酸、蔗糖、葡萄糖等有机物代替柠檬酸；制备空心纳米结构所需的时间为12－100小时，在聚四氟乙烯罐为内衬的高压釜内反应。本发明可通过控制水热反应的温度，分别制备得到截面为六边形和圆形的空心纳米结构材料。
76	以三氟化氮为氟化剂合成氟化石墨或氟化碳的工艺	CN200610105043.1	2006-08-24	CN100384715C	2008-04-30	刘志超; 党海军; 李辉; 陈广宇; 曾斌; 刘文元
本发明是一种以三氟化氮为氟化剂合成氟化石墨及氟化碳的工艺，包括以下步骤：将固体原料装填入反应器，抽空反应系统；将NF3气体通入反应器；加热反应器，维持在反应温度；开启气体循环泵，保持气体流量；反应4至30小时，停止加热；待反应器冷却到常温后，打开反应器，取出氟化石墨或氟化碳。本发明工艺采用三氟化氮替代氟气作为氟化剂与不同炭素反应合成氟化石墨和氟化碳，解决了现有工艺安全性差、设备使用寿命短、产品成本高的缺点，具有安全性高、设备使用寿命长、不易发生爆炸、生产成本低的优点。
77	制造氟化锰的方法	CN200580030394.4	2005-09-08	CN101014541A	2007-08-08	冈正和; 浅贺直树; 福世知行
公开了制造氟化锰的方法，包括：步骤(1)，使已经在不低于100℃的温度干燥的锰化合物(例如MnF2)与氟化剂(例如F2)在50至250℃的温度反应，和步骤(2)，进一步使步骤(1)中获得的产物与氟化剂在250至450℃的温度反应。根据该方法，可以在不经过升华和凝固步骤的情况下，在低温和低压条件下容易并廉价地大规模制造能够生成氟气的氟化锰。
78	三氟化氮气体的纯化方法	CN200510085395.0	2005-07-27	CN1328160C	2007-07-25	付嫚; 李本东; 隋希平
本发明涉及一种去除三氟化氮(NF3)气体中N2F2杂质的方法。以电解法制备的NF3气体含有0.1～2%的N2F2杂质气体，N2F2很不稳定，在高温下很容易分解。本发明利用其高温分解的特性，将一个装有铁、不锈钢、铜、镍、蒙乃尔或上述一种以上金属填料的裂解塔加热到100～400℃后通入含有N2F2杂质的NF3气体，使N2F2杂质分解去除。本发明方法能够很安全、有效地去除N2F2杂质而又不引起NF3气体的大量分解。
79	以三氟化氮为氟化剂合成氟化石墨及氟化碳的工艺	CN200610105043.1	2006-08-24	CN1915801A	2007-02-21	刘志超; 党海军; 李辉; 陈广宇; 曾斌; 刘文元
本发明是一种以三氟化氮为氟化剂合成氟化石墨及氟化碳的工艺，包括以下步骤：将固体原料装填入反应器，抽空反应系统；将NF3气体通入反应器；加热反应器，维持在反应温度；开启气体循环泵，保持气体流量；反应4至30小时，停止加热；待反应器冷却到常温后，打开反应器，取出氟化石墨或氟化碳。本发明工艺采用三氟化氮替代氟气作为氟化剂与不同炭素反应合成氟化石墨和氟化碳，解决了现有工艺安全性差、设备使用寿命短、产品成本高的缺点，具有安全性高、设备使用寿命长、不宜发生爆炸、生产成本低的优点。
80	三氟化氮气体的纯化方法	CN200510085395.0	2005-07-27	CN1727279A	2006-02-01	付嫚; 李本东; 隋希平
本发明涉及一种去除三氟化氮(NF3)气体中N2F2杂质的方法。以电解法制备的NF3气体含有0.1~2％的N2F2杂质气体，N2F2很不稳定，在高温下很容易分解。本发明利用其高温分解的特性，将一个装有铁、不锈钢、铜、镍、蒙乃尔或上述一种以上金属填料的裂解塔加热到100~400℃后通入含有N2F2杂质的NF3气体，使N2F2杂质分解去除。本发明方法能够很安全、有效地去除N2F2杂质而又不引起NF3气体的大量分解。

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