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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
41	氧化镓晶体的制造装置	CN202110220140.X	2021-02-26	CN113308728B	2024-04-12	干川圭吾; 小林拓实; 大冢美雄; 太子敏则
一种氧化镓晶体的制造装置，其包括：坩埚，其内部容纳氧化镓原料；坩埚支撑体，其从下方支撑坩埚；坩埚支撑轴，其从下方连接至坩埚支撑体，并且可垂直移动地支撑坩埚和坩埚支撑体；管状的炉芯管，其包围坩埚、坩埚支撑体以及坩埚支撑轴；管状的炉内管，其包围炉芯管；以及电阻加热元件，其包括放置于炉芯管与炉内管之间的空间中的发热部。炉芯管和炉内管的熔点为1900℃以上。炉芯管的在径向上位于坩埚的正旁边的部分的热导率比炉内管的热导率高。
42	一种真空镀膜用高温裂解炉	CN201910692786.0	2019-07-30	CN110273139B	2024-04-12	郭方准; 章贺磊
本发明公开一种真空镀膜用高温裂解炉，包括低温蒸发区、控制阀门、高温裂解区、加热和测温组件，低温蒸发区采用双层温区炉，两炉层之间通入冷却水，低温蒸发区内部是坩埚，高温区是裂解器，坩埚和裂解器的温度由电源控制器通过对灯丝的加热来控制，固体源装载在坩埚内，真空环境下，低温蒸发区域在300℃～400℃温度下进行加热，有机物便可不经液态，直接升华，成为蒸气，蒸气通过控制阀门直接引到高温裂解区，在850℃～1000℃的温度范围内进行裂解，最后通过喷嘴喷出。本发明主要蒸发蒸气压高但容易形成团簇的物质（比如As、Se、Sb等），适用于任何高精度的薄膜生长设备，其薄膜生长速率慢，可以每秒生长一个单原子层。
43	沉积与蚀刻处理的温度校正	CN202280056463.2	2022-07-13	CN117859197A	2024-04-09	丛者澎; 盛涛; 维恩·N·德兰
描述了一种用于校正处理腔室内的温度的方法及设备。该方法包括确定该处理腔室内的层的蚀刻速率。该处理腔室为被配置为在半导体制造期间使用的沉积腔室。该蚀刻速率被用于确定该处理腔室内的温度。随后将该处理腔室内的该温度与校正温度进行比较以确定温度偏移。该蚀刻速率是使用高温计、反射计、照相机或质量传感器中的任何一者来确定的。
44	单晶正极材料及其制备方法、锂离子电池	CN202311828351.7	2023-12-27	CN117855427A	2024-04-09	胡贻僧; 李珊珊; 宋顺林; 刘亚飞; 陈彦彬
本发明涉及锂离子电池领域，公开了一种单晶正极材料及其制备方法、锂离子电池。该单晶正极材料的单晶颗粒的尺寸分布B90＝(P90‑P10)/P50满足：0.9≤B90≤1.4；通过原子力显微镜测得的所述正极材料的杨氏模量E满足：100GPa≤E≤200GPa。该单晶正极材料的单晶颗粒具有特定的颗粒尺寸分布，能够使得该单晶正极材料具有高的压实密度，并且具有较高的杨氏模量使其在电池制备过程中能承受更高的辊压力度，从而使得包含该正极材料的锂离子电池的体积能量密度得到提升。
45	一种利用硅烷气制备单晶硅的方法	CN202310562787.X	2023-05-18	CN117845328A	2024-04-09	赵光燮; 张跃伟
本发明提供一种利用硅烷气制备单晶硅的方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将硅烷加热分解为硅，并熔化为液体硅；步骤S2、开启单晶炉，使其加热至1400～1425℃；步骤S3、在保温情况下，将液体硅通入单晶炉的石英坩埚中，同时加入掺杂剂，所述掺杂剂由镓粉末和锑粉末组成，镓粉末和锑粉末的质量比为64～65:48～49，所述锑粉末与液体硅料的质量比为12～18:330000，使镓粉末和锑粉末熔入液体硅中；步骤S4、采用连续直拉法或直拉法获得单晶硅。该方法打破现有利用多晶硅制备单晶硅的方式，采用硅烷气作为原料，具有能耗低、周期短、纯度高、控制难度低等优势。
46	拉晶控制方法、装置、设备及存储介质	CN202211230943.4	2022-10-09	CN117845321A	2024-04-09	闫颖; 李朋朋; 李靖; 李宗飞; 李锦辉; 庞利秋
本申请公开了一种拉晶控制方法、装置、设备及存储介质，其中，拉晶控制方法包括基于拉晶历史数据计算第一系数；基于拉晶历史数据和第一系数计算第二系数，第一系数为单位质量硅液对应的坩埚高度系数，第二系数为单位高度埚位对应的理论液口距系数；基于第一系数和第二系数计算理论液口距；判断理论液口距是否小于液口距阈值，若是，则停止升埚。通过拉晶历史数据计算第一系数，并通过拉晶历史数据和第一系数计算第二系数，且基于第一系数和第二系数计算理论液口距；其不受捕捉线坐标设置异常、热屏倒影不清晰等因素的影响，因此，克服了因捕捉线坐标设置异常、热屏倒影不清晰等因素造成液口距测量不准确，进而导致热屏浸硅的问题发生。
47	一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法	CN202410112396.2	2024-01-26	CN117626407B	2024-04-09	柯尊斌; 陆敏; 王晗; 吴信杠; 王欣
本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法；本发明提供了一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，包括：坩埚、提拉杆、籽晶层和清理稳定部，所述提拉杆垂直固定在籽晶层上，所述提拉杆适于驱动籽晶层插入坩埚内；所述清理稳定部固定在坩埚上方，所述清理稳定部与提拉杆和子晶层联动；其中，清理稳定部的外活动端向下移动，清理稳定部的内活动端适于与籽晶层底壁抵接；清理稳定部的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层下表面的灰尘；通过清理稳定部的设置，提高了籽晶层移动时的稳定性。
48	硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片	CN201980086166.0	2019-08-05	CN113302718B	2024-04-09	石桥昌幸; M·吉田; 丸冈大介
为了提供可抑制DIC 缺陷的硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片，本发明提供硅外延晶片的制造方法，所述制造方法是使外延层在以{110}面或自{110}面的偏离角小于1度的面为主面的单晶硅晶片的上述主面上进行气相生长，其中，将上述单晶硅晶片的温度设为1140℃～1165℃，以0.5μm/分钟～1.7μm/分钟的生长速度使上述外延层进行气相生长。
49	生产外延涂覆的单晶硅半导体晶圆的方法	CN202280055731.9	2022-08-02	CN117836475A	2024-04-05	K·曼格尔贝格尔; W·霍维泽尔
一种生产外延涂覆的单晶硅半导体晶圆的方法，该方法包括：在坩埚中提供硅的熔体；通过CZ方法，以拉制速度v从熔体的表面拉制出硅的单晶，其中在单晶中包含了氧和硼，而单晶中的氧的浓度不小于6.4×1017atoms/cm3且不大于8.0×1017atoms/cm3，并且单晶的电阻率不小于10mΩcm且不大于25mΩcm，其中没有具有氮和碳的熔体的掺杂；在拉制由热阻挡件环绕的硅的单晶期间，对熔体施加CUSP 磁场；控制拉制速度v和单晶与熔体之间的相界处的轴向温度梯度G，使得系数v/G不小于0.13mm2/℃ min且不大于0.20mm2/℃ min；借助环形加热器加热单晶，该环形加热器设置在熔体上方并环绕单晶；通过加工硅的单晶，生产出具有抛光的侧面的单晶硅衬底晶圆；以及在衬底晶圆的抛光的侧面上沉积硅的外延层，其中外延层的沉积是第一次热处理，在此过程中衬底晶圆被加热到不低于700℃的温度。
50	AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片	CN202211198994.3	2022-09-29	CN117832344A	2024-04-05	孙威威
本申请涉及一种AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片，在P型限制层远离有源层的一侧生长了P型欧姆接触层与P型AlGaInP出光层，利用P型AlGaInP出光层代替P型GaP窗口层实现了出光以及电流扩展的作用，同时，利用P型欧姆接触层代替了P型GaP窗口层实现了与P 电极的欧姆接触，这样就可以不用再在P型限制层上生长P型GaP窗口层以及P型过渡层，有利于降低AlGaInP系外延层的生长难度，提升AlGaInP系外延层的生产效率。
51	一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法	CN202410008462.1	2024-01-02	CN117822127A	2024-04-05	李俊鹏; 朱潦亮; 任泽阳; 张金风; 陈军飞; 王晗雪; 陈兴; 沈琪; 邵语嫣; 王超群; 王东; 吴勇
本发明涉及一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，包括在所述本征硅衬底上制备预设图形结构；将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上；在与支撑结构相接触的单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。本发明提出的方法可以在金刚石表面所需区域，选择性的生长氮空位色心，更适合金刚石氮空位色心的应用。本发明提供的方法对金刚石没有破坏性，制备的具有氮空位色心的金刚石质量更高。
52	一种高质量ZTS籽晶的快速制备方法及装置	CN202311802991.0	2023-12-25	CN117822124A	2024-04-05	禹化健; 刘冰; 邱程程; 杨玉国; 王旭平
本发明属于新型金属有机配合物晶体生长所用的籽晶制备技术领域，尤其涉及一种高质量ZTS籽晶的快速制备方法及装置。该方法包括S1、饱和溶液制备；S2、降温程序的设定；S3、饱和溶液的实时补给；S4、籽晶析出并长大。制备装置包括：籽晶瓶，籽晶瓶瓶塞上置有蒸发口和补料器，籽晶瓶外是水槽，水槽内置热电偶，水槽外置加热套。本发明通过对ZTS高温下的饱和溶液进行缓慢降温，使籽晶析出，通过缓慢蒸发与实时补料相结合使籽晶不断长大，同时可有效避免晶体内部缺陷的产生，经过3天的降温蒸发与实时补料，制备出2厘米级的高质量ZTS籽晶。
53	外延生长设备	CN202311651608.6	2023-12-05	CN117822119A	2024-04-05	曹雅典
本申请涉及外延生长技术领域，具体公开一种外延生长设备，包括壳体，所述壳体内具有生长腔室，所述生长腔室内设置有转盘，所述转盘的底部连接有旋转机构，所述旋转机构包括第一旋转件、第二旋转件以及驱动件，所述第一旋转件的旋转轴固定连接所述转盘，所述第二旋转件与所述第一旋转件配合传动连接，所述第二旋转件沿第二方向旋转能够带动所述第一旋转件沿第一方向旋转，所述驱动件电性连接所述第二旋转件，用于为所述第二旋转件提供旋转驱动力。通过机械旋转方式取代了传统的气浮旋转方式，由此可以稳定控制转盘的转速，有利于外延片生长的浓度和厚度的均一性，提高了外延片的质量。
54	提升单晶硅尾部质量的方法	CN202311812793.2	2023-12-27	CN117822114A	2024-04-05	郭一辰; 林通; 闫霖; 锁涛; 闫小龙
本发明提供一种提升单晶硅尾部质量的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒尾部拉制结束后，将晶棒提断，以预定拉速将晶棒拉升至单晶炉隔离阀以上，同时迅速降温，以达到预定的冷却温度梯度；使得晶体尾部在完成后能迅速降温，避免过饱和的氧析出形成氧沉淀，进而避免滑移线、位错、层错的产生，然后再将晶棒冷却预定时间取出，使得晶棒的应力不会过大，避免晶棒破裂，进而晶棒等径后段靠近晶棒尾部处质量提高，电池片的转换效率高，进而晶棒的利用率提高。
55	一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置	CN202410019054.6	2024-01-05	CN117822106A	2024-04-05	陶伯万; 宋怡; 赵睿鹏; 陈曦
本发明涉及金属氧化物薄膜气相外延领域，具体为一种用于金属有机物化学气相沉积的一体式蒸发喷淋装置。包括U型喷淋头、蒸发室、温度调节装置，U型喷淋头弯折部与蒸发室出气口连通，以使蒸发室与U型喷淋头形成一体，蒸发室内设有用于均匀气流流速的匀气装置；温度调节装置设于蒸发室和U型喷淋头的外壁，分别连接冷却水回路和加热辐射装置，通过温度调节装置调节蒸发室温度。本发明将喷淋装置与蒸发室直接相连，省却了蒸发室与喷淋装置之间的管道连接，实现结构简化，同时节省能耗，实现薄膜连续、稳定地沉积。
56	一种钙钛矿微米片的制备方法及其在信息加密上的应用	CN202311855905.2	2023-12-29	CN117822100A	2024-04-05	甘志星; 盛雨航; 郑玉斌
本发明公开了一种全无机钙钛矿微米片的制备方法和激光微图形化的加工参数，可应用于光信息微加密领域中。其制备方法采用化学气相沉积法，生长衬底为蓝宝石，得到高质量的钙钛矿微米片具有规则的矩形结构与光滑平整的表面，以及均匀明亮的绿色荧光。将具有图案的掩模版，覆盖在钙钛矿微米片上，利用波长405纳米激光器，进行持续照射加工，从而对钙钛矿部分区域荧光猝灭实现图案化。在加工条件中，激光器功率大小为80至150毫瓦，曝光时间为5至12分钟。本发明制备工艺简单，加工设备廉价，加工精度高，生产成本低，技术要求低，可应用于各类微防伪、信息微加密等领域。
57	一种碳化硅晶体生长装置以及生长工艺	CN202311631889.9	2023-11-30	CN117822098A	2024-04-05	张新峰; 吴志亮; 杜陈; 高欣
本发明公开一种碳化硅晶体生长装置，包括生长炉；坩埚；坩埚的顶部开口，坩埚设置在生长炉内；第一旋转组件；第一旋转组件设置在生长炉的底部，坩埚安装在第一旋转组件上且第一旋转组件可以驱动坩埚转动；加热组件；加热组件套在坩埚的外围四周且加热组件的内壁与坩埚的外壁之间留有间距；第二旋转组件；第二旋转组件设置在生长炉的顶部且位于坩埚开口的正上方，第二旋转组件的底部设有放置籽晶的晶托。本发明的有益效果是：本技术方案生长速度快，温度稳定，压力稳定，生长的碳化硅晶体缺陷少且碳化硅晶体电阻率低且整片电阻率差值小，因此生长出的碳化硅晶体质量好，良品率高。
58	一种超高长径比纤维亚纳米材料的制备技术及其工艺流程	CN202111496411.0	2021-12-09	CN117822088A	2024-04-05	黄玲; 刘明理; 薛健
本发明是一种利用固体废弃物——磷石膏制备超高长径比纤维亚纳米材料的制备技术及其工艺流程。其涉及利用固体废弃物磷石膏制备超高长径比硫酸钙纤维亚纳米材料的制备技术领域及其独特的工艺流程。其主要方法是，首先将固体废弃物磷石膏经过清洗、过滤、除去杂质后，再将其与盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、等酸性混合溶液配制成浓度为24.52％～41.21％的浆液，然后将此浆液在90～130℃的条件下进行水热反应，经反复搅拌溶合反应后，再在混合均匀的条件下使其反应转型并转换成结晶体，然后再将转换成结晶体的浆液进行过滤、清洗、再过滤、再清洗后进行干燥及表面修饰，最终得到超高长径比纤维亚纳米(微米)级(硫酸钙晶须)材料。
59	正极材料的制备方法及系统	CN202311869325.9	2023-12-29	CN117822087A	2024-04-05	周茜; 崔舒丽; 陈飞; 高琦; 黄亚祥; 甄学乐
本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种正极材料的制备方法及系统。正极材料的制备方法，包括以下步骤：将锂源、镍钴锰复合氢氧化物前驱体和水的混合物进行超声处理，得到第一混合浆料；将所述第一混合浆料进行真空预烧结处理，得到第一物料；对所述第一物料进行悬浮动态烧结处理，再进行分离处理。本发明的正极材料的制备方法，通过超声处理，利于多晶体在相对低的烧结温度下烧结碎裂成一次颗粒；采用真空预烧结处理，减少能耗，可去除粉体材料表面的氧化物等杂质，提高材料纯度、单晶体强度；通过悬浮动态烧结处理，可提高单位质量物料的氧化效率，颗粒间有明显的距离，可避免二次颗粒因静态烧结收缩导致的固桥板结。
60	一种用于制备半导体材料的反应釜	CN202311691586.6	2023-12-11	CN117385445B	2024-04-05	请求不公布姓名
本发明提供了一种用于制备半导体材料的反应釜，属于半导体材料制造设备技术领域，通过在釜体内的圆形空腔内设置特殊设计的位置切换结构和衬套结构，能够方便内部衬套的更换和维修，提高釜体的使用率，同时也提高了单个衬套的使用寿命；顶盖处的密封可调，确保了生产的正常进行。

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