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C30B：单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
21	一种SiC液相长晶炉液位的检测方法及装置	CN202311769377.9	2023-12-21	CN117889934A	2024-04-16	李辉; 王守琛; 毛瑞川
本发明公开了一种SiC液相长晶炉液位的检测方法及装置，所述方法包括：步骤1、不在坩埚内添加熔融料，旋转坩埚，测量坩埚处于空锅状态下的电压U01；步骤2、在坩埚内添加熔融料，并使籽晶不与熔融料接触，旋转坩埚，测得长晶炉坩埚内带有熔融料且籽晶不与熔融料接触时的电压U02；步骤3、将籽晶与熔融料调整为接触状态，使坩埚与籽晶相向旋转，测得籽晶与熔融料接触状态下的电压U03；步骤4、炉内长晶一定时间后，使坩埚与籽晶相向旋转，测量待测状态下坩埚及坩埚内熔融料的电压U0x；步骤5、根据测得的U01、U02、U03、U0x，计算待测状态下熔融料的转动惯量J料x；步骤6、根据转动惯量J料x计算得出待测状态下熔融料的料液深度hx。
22	一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺	CN202311779218.7	2023-12-22	CN117888205A	2024-04-16	马向阳; 吴德凡; 赵统; 陈昊; 杨德仁
本发明公开了一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺，属于半导体技术领域。所述内吸杂工艺包括：(1)将重掺磷直拉硅片置于保护气氛下在1100～1280℃条件下高温预处理20～120min，冷却至室温得到预处理硅片；(2)将预处理硅片置于保护气氛下在550～950℃条件下进行低温普通热处理。本发明提供的内吸杂工艺仅依赖重掺磷硅片内部的磷浓度，通过形成SiP沉淀进行内吸杂，可以有效地解决重掺磷硅片氧沉淀难以形成或氧沉淀内吸杂结构吸杂能力较弱的问题，可以在较低的热预算下形成具有良好吸杂能力的内吸杂结构。相比传统的氧沉淀吸杂结构，本发明与集成电路的工艺兼容性更好，能够极大的缩短热处理时间，减少企业成本。
23	一种驱动传动装置及外延设备反应装置	CN202311864961.2	2023-12-29	CN117888201A	2024-04-16	许崇毅; 肖蕴章; 陈炳安; 钟国仿
本申请提供了一种驱动传动装置，用于外延设备技术领域，具体为一种驱动传动装置，包括驱动轴，驱动轴的上端与反应室内的旋转托盘相连接；驱动轴的下端与设置在反应室外的驱动部件相连接，驱动部件驱动该驱动轴进而带动旋转托盘转动。上述驱动传动装置通过转速和启停可控的驱动部件来带动旋转托盘转动，旋转托盘的转速和启停位置也是可控的，从而解决了现有技术中旋转托盘无法控制转速和启停位置的问题。本申请还提供了一种外延设备反应装置，包括上述驱动传动装置，还包括反应室和旋转托盘。本申请提供的外延设备反应装置，通过利用本申请的驱动传动装置，实现了旋转托盘可控的转速和启停位置，能够方便控制晶圆的加工过程。
24	一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料和制备方法	CN202410072378.6	2024-01-18	CN117888200A	2024-04-16	毛日华; 毛至成; 占炳奇
本发明涉及闪烁晶体技术领域，尤其涉及IPC C30B29，更具体地涉及，一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料和制备方法。本发明提供了一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料，其通式为：AxBi4‑xGe3O12；其中0.0001≤x≤5；A为Ce、Ca、La、Nd中的一种或多种组合。本发明中的锗酸铋闪烁晶体材料在大幅度提高抗辐照损伤性能的同时，不产生额外的闪烁慢分量，且闪烁余辉与仪器电子学噪声处于同一水平。可用于高能物理实验、核医学成像等对材料的抗辐照性能有极高要求的场合。
25	一种高纯块体单晶金属钛的制备方法	CN202311853993.2	2023-12-28	CN117888193A	2024-04-16	李鹤; 郑瑞晓; 鲁园园; 刘茂文; 马朝利
本发明公开了一种高纯块体单晶金属钛的制备方法，包括下述制备步骤：(1)制备多晶钛块材；(2)氢气环境下进行还原热处理；(3)多晶钛块材进行高压烧结，得到高纯高致密度等轴晶粒多晶钛块体；(4)高温热处理；(5)低温热处理；(6)高/低温循环热处理3～5次；(7)将步骤(6)得到的钛块体进行低温退火热处理；(8)钛块体进行酸洗干燥并切割，得到块体单晶钛。本发明的有益效果为：不仅解决了现有技术中块体单晶钛制备工艺复杂，成本过高的问题，而且制得的单晶钛纯度高，成分均匀。
26	一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法	CN202311662946.X	2023-12-06	CN117888187A	2024-04-16	董增印; 张力江; 王英民; 赖占平; 程红娟; 张嵩; 李贺; 孙科伟; 王再恩
本发明公开了一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法。在高温条件下，该方法采用腐蚀性气体对氧化镓多晶进行腐蚀，氧化镓多晶被分解成金属镓、氯化镓和水，并随着尾气一同排出HVPE腔室，达到去除石英件及基座上附着氧化镓多晶的目的。该方法简单、有效，不仅能够保证腔室的洁净度，避免氧化镓多晶掉落在样品表面，也有利于提升内衬石英管和基座的重复利用次数，降低了实验成本。该方法也可以用来去除LPCVD、Mist‑CVD、MOCVD等氧化镓外延设备中基座或者石英件上附着的氧化镓多晶。
27	一种碳化硅长晶炉测温法兰	CN202311756635.X	2023-12-19	CN117888185A	2024-04-16	陈士利; 赖章田; 唐明; 陶煜; 夏孝平
本发明提供一种碳化硅长晶炉测温法兰，包括炉顶盖，炉顶盖包括一中心法兰，中心法兰上方安装有测温法兰，测温法兰的底部开设有密封圈槽，密封圈槽内填充有第二密封圈，测温法兰与炉顶盖之间真空密封，测温法兰与炉顶盖之间通过螺栓连接；测温法兰的上端开设有观察窗，观察窗与测温法兰之间安装有第一密封圈，观察窗的上部通过压板法兰压紧，且观察窗与压板法兰之间设有密封垫片；测温法兰的下端为双层水冷结构，双层水冷结构上开设有进水口和出水口，测温法兰的内壁设有吹扫气口，吹扫气口倾斜向上开设，吹扫气口的开设方向朝向观察窗。本发明测温法兰为双层结构，中间隔层通冷却水，可以保护密封圈不受高温环境影响，保持良好密封性能。
28	一种炉底盘及坩埚自动升降控制设备	CN202210636782.2	2022-06-07	CN115161769B	2024-04-16	刘海; 高树良; 王人松

29	化合物三硼酸铷和三硼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途	CN202210070033.8	2022-01-21	CN114381805B	2024-04-16	潘世烈; 杨云; 马文娟

30	具有控制热间隙的基座和盖子约束件布置的晶圆载体组件	CN202280058976.7	2022-08-29	CN117881819A	2024-04-12	S·克里希南; B·米特洛维奇; E·A·阿穆尔; Y·拉什科夫斯基; R·S·马克斯韦尔; M·J·范·多伦
本公开的晶圆载体组件改善了其整个顶面的热控制，以保持高度受控的沉积位置和厚度。
31	一种籽晶与底托的固定方法	CN202211238140.3	2022-10-11	CN117867661A	2024-04-12	肖琳琳; 刘闯; 王玉栋; 屠厚宣
本申请公开了一种籽晶与底托的固定方法，包括：向坩埚底部放入与第一籽晶的成分相同的第一晶化陶瓷料；将第一底托、第一籽晶和覆盖片放至第一晶化陶瓷料的上方，使第一底托位于第一晶化陶瓷料的上方，第一籽晶位于第一底托的上方且第一籽晶的非生长面与第一底托相接触放置，覆盖片包覆住第一籽晶的生长面且覆盖片为不与第一籽晶化学反应的片体；对坩埚进行加热，控制第一籽晶处的温度小于第一晶化陶瓷料处的温度。本申请一方面能够有效地抑制籽晶生长面的分解，一方面能够抑制二次形核，增大提升籽晶的使用效果。
32	一种钙钛矿单晶及其制备方法和应用	CN202311790809.4	2023-12-21	CN117867659A	2024-04-12	徐帆; 张俊森; 田港旗; 韩明月; 张梦; 李子坤; 黄友元
本申请公开了一种钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述钙钛矿单晶的分子式为AaObBcXy，其中a的取值范围为1～3的整数；b的取值范围为0～3的整数；c的取值范围为1～3的整数；y的取值范围为1～10的整数；A包括第一卤素取代的有机阳离子；O为氧元素；B包括金属阳离子；X包括第二卤素阴离子。本申请由于晶胞体积大，有机阳离子与金属卤化物晶链存在较大的空间从而降低应变和错位；由于第一卤素取代的有机阳离子中第一卤素的存在，能够在保证维度调控的目的上尽量缩小晶胞体积，提升结构稳定性、降低应变；拥有较强偶极矩的吡咯烷盐分子能够很容易吸引并生长单晶晶体，该过程同时最大程度降低周边杂质分子的进入，因而降低杂相。
33	一种非心极性晶体K4ZnV5O15Cl的制备及其应用	CN202311116699.3	2023-09-01	CN117867657A	2024-04-12	耿磊; 孔文思; 李汶霏; 韩培高
本发明公开了一种非中心对称的极性晶体材料，其化学式为K4ZnV5O15Cl，分子量为751.92，属于四方晶系空间群P4，晶胞参数为a=b=8.9~9.0Å，c=5.3~5.4Å，α=β=γ=90°，Z=1，采用高温固相反应法合成。本发明中制备的K4ZnV5O15Cl具有很强的非线性光学效应，采用波长1064 nm的脉冲激光泵浦K4ZnV5O15Cl粉末晶体，其倍频效率为KDP（磷酸二氢钾）的8.5倍，在2μm脉冲激光泵浦下倍频效率为AgGaS2的0.8倍，并且可以实现相位匹配，透过光谱范围包含了从可见光到中红外波段的0.5~10μm，是一种性能优秀的红外非线性光学材料，在激光频率变换、激光通信、激光医疗等领域具有潜在应用。
34	一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法	CN202311785890.7	2023-12-22	CN117867653A	2024-04-12	李星星; 张志伟; 高武; 刘礼祥
本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法。涉及半导体制备技术领域。上述基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法，包括以下步骤：S1在金属箔上生长h‑BN二维原子晶体薄膜；S2将上述h‑BN二维原子晶体薄膜转移到衬底上，得到h‑BN衬底；S3在上述h‑BN衬底表面远程外延生长VO2单晶薄膜。本发明制备过程简单，制备成本低，且具有严格意义上的可控性，能够为进一步实现大面积、高质量VO2/h‑BN 异质结材料器件的集成提供帮助。
35	一种碳化硅外延设备的控制方法	CN202311627435.4	2023-11-30	CN117867652A	2024-04-12	曹毅; 闫鸿磊; 张哲伟; 严鹏; 杜昌; 王威威; 王骜
本申请公开一种碳化硅外延设备的控制方法，该控制方法包括预处理阶段、第一涂层生长阶段、第二涂层生长阶段以及开腔暴气阶段，通过预处理阶段得到一个有利于Coating生长的良好环境，第一涂层生长阶段基于喷淋组件向反应腔内通入第一碳硅比的反应气体，并在第二预设温度下持续第二预设时间，以生长一定厚度的第一涂层，第二涂层生阶段长基于喷淋组件向反应腔通入掺杂气体和第二碳硅比的反应气体，在第三预设温度下持续第三预设时间，在第一涂层上生长一定厚度的第二涂层，使的第二涂层的附着效果更好，减少颗粒掉落的影响，在开腔暴气阶段使第二涂层与空气中的水氧反应，有利于稳定反应腔内环境，有利于改善腔体的掺杂环境，提高腔体起始调整的均匀性。
36	一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法	CN202311602994.X	2023-11-28	CN117867646A	2024-04-12	王琦琨; 雷丹; 吴亮; 韩康泽
本发明公开了一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，采用异质衬底通过多层氮化铝生长获得氮化铝籽晶，再物理气相传输法制得大尺寸体块氮化铝单晶。具体的，采用硅单晶等异质衬底，生长第一氮化铝层；采用氢化物气相外延法接着生长第二氮化铝层；去除异质衬底并双面抛光；接着在第二氮化铝层表面采用金属有机化学气相沉积法生长第三氮化铝层，获得氮化铝籽晶；将该籽晶背面固定至支撑托上，采用物理气相传输法生长大尺寸体块氮化铝单晶。本发明有效解决了传统异质外延生长方法的缺陷多、晶格失配大等缺点，将可能在氮化铝籽晶层形成的大部分位错湮灭，以大尺寸氮化铝籽晶同质生长获得最后的高质量大尺寸体块氮化铝单晶。
37	一种单晶钒二铝碳材料的制备方法	CN202410284260.X	2024-03-13	CN117867644A	2024-04-12	黄庆; 肖昱琨; 张卿瑜
本发明属于无机材料技术领域，涉及一种单晶钒二铝碳材料的制备方法，包括以下步骤：将V、Al和C混合后置于管式炉中保温烧结，然后通过降温程序得到V2AlC片状单晶；将V2AlC片状单晶固定在籽晶杆上，将V、Al和C混合后放置于中频感应炉中，将V2AlC片状单晶浸没在熔融的第二原料中，保持一段时间后，向上提拉籽晶杆，获得单晶V2AlC材料。本发明采用两步法制备了具有高度取向性的大尺寸单晶V2AlC材料。本发明获得的V2AlC单晶材料将推动其在核能材料、电池的电极材料、防腐材料、耐磨材料的增强相材料等工程领域中的应用前景。
38	一种紫外双折射Ba3InB9O18制备方法、产品及应用	CN202311815953.9	2023-12-26	CN117867635A	2024-04-12	吕宪顺; 刘冰; 魏磊; 杨玉国; 禹化健; 石强
本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种紫外双折射Ba3InB9O18制备方法、产品及应用；本发明的制备方法包括助熔剂缓冷法生长法和/或助熔剂顶部籽晶法生长法，利用本发明的制备方法制备得到的紫外双折射Ba3InB9O18晶体具有良好的紫外透明度，截止波长位于195nm，在253nm处的双折射率可达Δn＝0.183，可用于制作紫外格兰棱镜；本发明的紫外双折射Ba3InB9O18晶体制备方法有效减少了晶体散射颗粒，成功消除了光路中的散射，提高了晶体光学质量，使紫外双折射晶体有了实际应用价值。
39	一种大粒径单晶锰酸锂的制备方法	CN202311861521.1	2023-12-29	CN117867634A	2024-04-12	易鑫; 刘浩; 谌红玉; 周小军; 周晓露; 王昌胤
本发明属于电化学材料技术领域，具体涉及一种大粒径单晶锰酸锂的制备方法，包括如下步骤：将D50为10.0‑15.0μm的锰源与锂源进行搅拌混合的同时均匀喷洒纳米添加剂悬浊液，然后将混合粉体进行焙烧，冷却、破碎后得到前驱体粉末；前驱体粉末继续进行搅拌的同时往前驱体粉末中均匀喷洒纳米添加剂悬浊液，再进行焙烧，冷却、破碎。该制备方法将金属元素以悬浊液形式掺杂，使金属元素分散更加均匀，焙烧后的物料蓬松不结块，利于后续处理，方法简单易行，成本低，易于工业化生产。制备得到的单晶锰酸锂为10‑18μm的大粒径颗粒；粒径分布均匀、掺杂元素分布均匀，颗粒内部无孔隙，结构稳定性好。
40	一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法	CN202111381323.6	2021-11-21	CN114075699B	2024-04-12	王振中
本发明提出了一种双层复合碳化硅衬底，所述衬底包括碳化硅单晶层和碳化硅多晶层；所述碳化硅多晶层中含有3C型晶体颗粒；所述晶体颗粒尺寸沿着垂直于衬底方向逆着碳化硅单晶层一侧渐次变小。利用化学气相沉积法在碳化硅单晶层上沉积碳化硅多晶层，控制晶体质量，提高了界面的结合强度，且兼顾了生长成本。本发明解决了碳化硅单晶和碳化硅多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底应用性能的稳定性，保证与后续垂直器件工艺的兼容性，且制备过程有效减少碳化硅单晶的损耗，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础。

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