江苏应能微电子有限公司|专利百科

该申请人涉及专利文献：103，涉及专利：74件

覆盖主要的IPC大类包括：H01(43)、H02(7)、G01(5)、H05(4)、A61(4)、H03(3)、G05(3)、B05(2)、G02(2)、H04(2)

专利类型分布状况：发明公开(47)、实用新型(27)

专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(45)、无效专利(15)、失效专利(11)、实质审查(3)

该领域主要的发明人有：朱伟东(60)、李振道(27)、李征(16)

详细地址：中国江苏省常州江苏省常州市钟楼经济开发区玉龙南路213 号钟楼高新技术创业服务中心8852号 213000

专利类型	专利名称	文献号
发明公开	碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法	CN115172457A
发明授权	一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路	CN113534884B
发明授权	一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法	CN112993014B
发明公开	具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构	CN114121943A
发明授权	一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法	CN113571421B
发明公开	具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法	CN113725213A
发明公开	一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路	CN113534884A
发明公开	沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件	CN113497032A
发明公开	具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件	CN113488464A
发明公开	降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法	CN113410311A
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排名	企业名称	专利
1	江苏应能微电子有限公司	103

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