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一种像素电极

阅读：812发布：2021-02-22

IPRDB可以提供一种像素电极专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供了一种像素电极，其特征在于，包括两条主干电极，所述两条主干电极垂直相交将像素电极设置为多个液晶配向区，在每个所述液晶配向区中设置有多条分支电极，所述每条分支电极与所述主干电极的夹角为45度，同一液晶配向区内相邻的分支电极之间有搭桥连接，所述搭桥的方向与所述分支电极的方向成45度角，所述搭桥搭接相邻的至少两个分支电极，所述搭桥的树龄及分布根据具体设计而定，分支电极之间的搭桥连接增加了强电场的相对面积，使得在像素开口率不变的情况下，一定程度上提高了像素的穿透率，改善了大视角色偏现象。，下面是一种像素电极专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种像素电极，其特征在于，包括第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和第二主干电极垂直相交将像素电极分隔为4个液晶配向区，在每个所述液晶配向区内设置有多条分支电极，所述每条分支电极与所述第一主干电极或所述第二主干电极呈预设角度的夹角，相同的液晶配向区内相邻的所述分支电极之间有搭桥连接。

2.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述分支电极与所述第一主干电极或第二主干电极的夹角为45度。

3.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，每个所述液晶配向区内的所述多条分支电极等间隔设置。

4.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述分支电极为条状电极。

5.根据权利要求1或2的像素电极，其特征在于，每相邻两个所述液晶配向区内所述多条分支电极关于所述第一主干电极或所述第二主干电极对称，所述多条分支电极相对于所述第一主干电极与所述第二主干电极相交的中心点向外发散。

6.根据权利要求1～3任一所述的像素电极，其特征在于，所述搭桥的方向与所述分支电极的方向成45度角。

7.根据权利要求6所述的像素电极，其特征在于，所述搭桥搭接相邻的至少两条所述分支电极。

8.根据权利要求7所述的像素电极，其特征在于，第一搭桥(104a)搭接相邻的3条所述分支电极，第二搭桥(104b)搭接相邻的2条所述分支电极。

9.根据权利要求8所述的像素电极，其特征在于，所述第一搭桥(104a)数量为4个，所述第二搭桥(104b)数量为8个。

10.根据权利要求9所述的像素电极，其特征在于，每相邻两个所述液晶配向区内所述第一搭桥(104a)和所述第二搭桥(104b)关于第一主干电极(101)或第二主干电极(102)两两对称，均匀布置。

说明书全文

一种像素电极

技术领域

[0001] 本发明涉及平板显示领域，尤其涉及PSVA领域中的一种像素电极。

背景技术

[0002] 液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一，LCD包括设置有场发生电极诸如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶(LC)层。当电压被施加到场发生电极从而在LC层中产生电场，该电场决定了液晶层中的LC分子的取向，因此而调整入射到液晶层的光的偏振时，LCD显示图像。

[0003] 传统的VA模式液晶面板中，像素的穿透率主要因素包括液晶分子间隙、背光源和数据电压等因素。目前像素(pixel)的设计中，CF基板上BM的作用是遮光作用，BM CD一般大于需遮光位置的CD，防止数据线方向和扫描线方向上漏光，产生串扰等问题。因此像素的开口率大小会受到限制，要想得到更高穿透率需提高背光亮度或者增加数据电压，增加了生产成本。

[0004] 为改善广视角面板的色偏，现有的广视角面板将像素分为两个区，面板工作时，一个主区的亮度较高，另外一个副区亮度较低，以通过该两个亮度不同的区来改善面板的广视角特性。由于副区的面积较大(占像素开口区的60％左右)，整个像素的穿透率会有较大的牺牲，增加了背光的功耗，不符合现在绿色环保节能的理念。此外，由于主区内均是高亮度像素，而副区内均是低亮度像素，高亮度像素和低亮度像素分别过于集中，使得两个区的亮度差异过于明显，导致视觉效果不佳。

[0005] 常规的“米”字形像素电极，通过对像素电极结构的不断优化，进而优化了电极的电场分布，使得液晶的指向得以优化，但对像素电极的穿透率没有产生积极效果。

发明内容

[0006] 本发明要解决的技术问题是，提供一种像素电极，保证在像素开口率不变的情况下，以较低成本提高像素的穿透率，改善大视角色偏现象。

[0007] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种像素电极，其特征在于，包括第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和第二主干电极垂直相交将像素电极分隔为4个液晶配向区，在每个所述液晶配向区内等间隔设置有多条分支电极，所述每条分支电极与所述第一主干电极或所述第二主干电极呈预设角度的夹角，相同的液晶配向区内相邻的所述分支电极之间有搭桥连接。

[0008] 进一步说明，所述分支电极与所述第一主干电极或第二主干电极的夹角为45度。

[0009] 进一步说明，每相邻两个所述液晶配向区内所述多条分支电极关于所述第一主干电极或所述第二主干电极对称，所述多条分支电极相对于所述第一主干电极与所述第二主干电极相交的中心点向外发散。

[0010] 进一步说明，所述分支电极为条状电极。

[0011] 进一步说明，所述搭桥的方向与所述分支电极的方向成45度角。

[0012] 进一步说明，所述搭桥可以搭接相邻的至少两条所述分支电极。

[0013] 进一步说明，所述搭桥的数量及分布根据具体设计而定。

[0014] 本发明有益效果：本发明所提供的像素电极，由于在相邻的分支电极之间搭桥连接，增加了强电场的相对面积，使得在像素开口率不变的情况下，一定程度上提高了像素的穿透率，改善了大视角色偏现象。

附图说明

[0015] 下面结合附图和实施例对本发明作详细描述。其中：

[0016] 图1为传统4区像素电极示意图；

[0017] 图2为带搭桥4区像素电极示意图；

[0018] 图3为传统8区像素电极示意图；

[0019] 图4为带搭桥8区像素电极示意图；

[0020] 图5为正视状态下传统像素电极与带搭桥的像素电极穿透率模拟效果对比图；

[0021] 图6为大视角状态下传统像素电极与带搭桥像素电极穿透率模拟效果对比图。

具体实施方式

[0022] 以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本发明所提到的方向用语，例如[右上]等，仅是参考附加图示的方向，因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

[0023] 实施例1：

[0024] 如图1所示，为传统4区像素电极示意图，图2为对所述的带搭桥4区像素电极，包括第一主干电极101和第二主干电极102，所述第一主干电极101和所述第二主干电极102垂直相交将像素电极设置为4个液晶配向区，在每个所述液晶配向区内等间隔的设置有多条分支电极103，所述分支电极103的为宽度相等的条状电极，所述每条分支电极103与所述第一主干电极101或所述第二主干电极102的夹角优选为45度，相同的液晶配向区内相邻的所述分支电极103之间有搭桥连接。

[0025] 参照图2进一步说明，所述搭桥的方向与所述分支电极103的夹角为45度，当然，在本发明的其它实施例中，根据具体设计，所述夹角可以为其它合适角度，不限于45度。

[0026] 参照图2进一步说明，第一搭桥104a搭接相邻的3条所述分支电极，第二搭桥104b搭接相邻的2条所述分支电极，在所述4个液晶配向区内，所述第一搭桥104a数量为4个，所述第二搭桥104b数量为8个，每相邻两个所述液晶配向区内所述第一搭桥104a和所述第二搭桥104b关于第一主干电极101或第二主干电极102两两对称，均匀布置。当然，在本发明的其它实施例中，所述搭桥的数量和分布可以根据具体设计而定。

[0027] 实施例2：

[0028] 如图3所示为传统的8区像素电极，图4为副区带搭桥结构的8区像素电极，所述副区包括第一主干电极201和第二主干电极202，所述第一主干电极201和所述第二主干电极202垂直相交将像素电极设置为4个液晶配向区，在每个所述液晶配向区内等间隔的设置有多条分支电极203，所述分支电极203的为宽度相等的条状电极，所述每条分支电极203与所述第一主干电极201或所述第二主干电极202的夹角优选为45度，相同的液晶配向区内相邻的所述分支电极203之间有搭桥连接。

[0029] 参照图4进一步说明，所述搭桥的方向与所述分支电极203的夹角为45度，当然，在本发明的其它实施例中，根据具体设计，所述夹角可以为其它合适角度，不限于45度。

[0030] 参照图4进一步说明，第一搭桥204a搭接相邻的3条所述分支电极，第二搭桥204b搭接相邻的2条所述分支电极，在所述4个液晶配向区内，所述第一搭桥204a数量为4个，所述第二搭桥204b数量为8个，每相邻两个所述液晶配向区内所述第一搭桥204a和所述第二搭桥204b关于第一主干电极201或第二主干电极202两两对称，均匀布置。当然，在本发明的其它实施例中，所述搭桥的数量和分布可以根据具体设计而定。

[0031] 实施例1和实施例2中，所述分支电极优选为条状电极，当然，在本发明的其它实施例中，根据具体设计，所述分支电极不限于条状电极，可以为其它具体形状的分支电极。

[0032] 图5显示了正视情况下，传统像素电极和带搭桥像素电极的穿透率模拟对比效果，曲线51为带搭桥像素电极的电压-穿透率曲线，曲线52为传统像素电极的电压-穿透率曲线，对比所述曲线51与所述曲线52可以看出，当电压大于6V时，在同样的电压下，带搭桥像素电极的穿透率高于传统像素电极，穿透率提高约1.9％。

[0033] 图6显示了大视角情况下，传统像素电极和带搭桥像素电极的穿透率模拟对比效果，曲线61为带搭桥像素电极的电压-穿透率曲线，曲线62为传统像素电极的电压-穿透率曲线，对比所述曲线61与所述曲线62可以看出，当电压大于6V时，在同样的电压下，带搭桥像素电极的穿透率高于传统像素电极，穿透率提高约4％。

[0034] 最后说明的是，以上实施例仅用于说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

标题	发布/更新时间	阅读量
像素-专利编号CN110364554A	2020-05-12	849
像素-专利编号CN106486060A	2020-05-11	693
像素结构-专利编号CN109686299B	2020-05-13	213
像素结构-专利编号CN111090198A	2020-05-13	76
像素阵列-专利编号CN111009185A	2020-05-13	400
像素-专利编号CN104834141A	2020-05-11	547
像素-专利编号CN101183196B	2020-05-11	648
像素-专利编号CN104834141B	2020-05-12	549
像素-专利编号CN107038999A	2020-05-12	507
像素-专利编号CN108231001A	2020-05-11	557

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