本发明涉及半导体集成电路器件，尤其是具有用在其生产过程中的 诸如对准标记的附加图形的半导体集成电路器件。

半导体集成电路器件的典型实例是动态随机存取存储器件。半导体 动态随机存取存储器件在存储单元中存储数据位，一晶体管及一电容器 是最典型的存储单元。一晶体管及一电容器存储单元已经发展到三维结 构。三维的结构所占据的空间比二维结构要窄，适用于大的存储密度。 通过减少分配给每个存储单元的空间可获得大的存储密度。虽然分配给 每个存储单元的空间变窄了，存储电容器需要具有大于某一数值的电容 值，用于保证数据存储特性，而三维结构保证生产者扩大使用存储单元 的空间。

在半导体动态随机存储器件中，叠层型电容器是很流行的。叠层型 电容器的一个吸引人的特征在于其具有对抗来自外围电路的阿尔法粒子 和噪声的大的阻力。大的阻值导致最小电容量的降低，而相应的，保证 生产者进一步减少分配给每个存储单元的空间。因此，叠层型电容器 适用于在0.12微米设计原则下生产的4吉位的半导体动态随机存储器 件。叠层型电容器已经得到发展，片型结构，柱状结构和半球形粒状结 构是所改进的叠层形电容器的实例。

在生产者在硅基片上生产半导体动态随机存储器件时，各种的图形 和图像被从光掩膜分别光转印到在不同的生产步骤沉积到硅基片上的导 电层和绝缘层上，而导电层和绝缘层被制作成半导体动态随机存储器件 的元件层。因此，图形转换需要光刻和蚀刻技术。

导电图形和绝缘图形需要彼此对准，附加图形随形成半导体结构 一部分的主要图形一起被转印换到半导体结构上。此种的附加图形用于 各种的对准工作，叠层精度的测量和几何图形的测量。附加图形影响半 导体的结构，尤其是在半导体结构的形成过程中。被附加图形所影响的 半导体结构的部分不会形成存储单元，也不会形成外围电路。此部分的 半导体结构以下被称作“非基本的半导体结构”。另一方面，主要图形 同样影响半导体结构，并形成存储单元的元件或外围电路的元件。被主 要图形所影响的半导体结构的部分在下面被称为“基本的半导体结构”。

图1A到1F描述了用于生产具有片型存储电容器的半导体动态随机 存储器件的现有技术的生产过程。现有技术的工艺从制备P-型硅基片1 开始。场氧化层2被选择生长在P-型硅基片1的正面上，并在正面内限 定出有源区。有源区被热氧化，分别在有源区上生长栅氧化层3。导电 材料被沉积到所形成的半导体结构的整个表面上，通过光刻技术和蚀刻 技术有选择去除导电材料。其结果，导电材料层被制作成在场氧化层2 和栅氧化层3上延伸的栅极线4。

n-型掺杂杂质以自准直的方式离子注入到带有栅极线4和场氧化层 2的有源区，并形成n-型源极区5和n-型漏极区6。硅的氧化物被沉 积到所形成的半导体结构的整个表面上，并形成如图1A所示的夹层绝 缘层7。

硼-磷-硅酸盐玻璃被沉积到夹层绝缘层7上，并形成如图1B所示 的隔离层8。用于节点接孔的图形被用光刻技术从光掩膜(未示出)转 换为隔离层8上的光刻胶层，隔离层8和夹层绝缘层7被选择蚀刻掉， 从而节点接孔9形成在夹层绝缘层7和隔离层8内。如图1C所示，n- 型源极区9从节点接孔9暴露出来。

在隔离层8的整个表面上沉积掺磷的多晶硅。掺磷的多晶硅填充节 点接孔9，并在隔离层8上形成掺磷的多晶硅层。光刻胶被覆在掺磷的 多晶硅层上，并通过软焙烧形成光刻胶层。用于积蓄电极的图形和其他 的用于对准标记的图形被从光掩膜(未示出)转印到掺磷的多晶硅层， 而用于积蓄电极的潜像和另一个用于对准标记的潜像形成在光刻胶层 内。潜像被显影，光刻胶蚀刻掩膜(未示出)形成在掺磷的多晶硅层上。

使用光刻胶蚀刻掩膜把掺磷的多晶硅有选择地蚀刻掉，在隔离层8 上形成积蓄电极10和对准标记11。对准标记11用于晶片的对准，不会 形成安装在现有技术的半导体动态随机存储器件中的电路构件的一部 分。因此，所形成的半导体结构包括非基本的子结构ISB和基本的半导 体结构SB，如图1D中所示。

隔离层8被暴露到诸如氢氟酸酐的蚀刻剂中，蚀刻剂从半导体结构 去除隔离层。其结果，积蓄电极9的电荷积蓄部分9a及对准标记11与 图1E中所示的内层绝缘层7隔开。虽然为了增大存储电容器的电容在 内层绝缘层7与电荷积蓄部分9a间需要间隙，对准标记11与非基本的 半导体子结构ISB是分开的，并且可移动。

在清洗阶段，对准标记11被移到基本的半导体结构SB处，并可与 积蓄电极9等基本半导体子结构SB的构件相黏结。

随后，用介电层12盖住积蓄电极9，并如图1F所示，用介电层12 覆盖掺磷的多晶硅层11a。单元片电极(未示出)通过介电层12与积蓄 电极9相对。对准标记11是引起存储电容器间短路的原因，并使存储 单元损坏。因此，对准标记11损坏了现有技术的半导体动态随机存储 器件，且生产的成品率很低。

上文已针对带有片型积蓄电极9的半导体动态随机存储器件对现有 技术的进行了描述。附加的图形对所有的超大规模的集成电路造成了困 难，并使其成品率降低。

本发明的一个重要目的是提供一种半导体集成电路器件，其附加图 形在生产过程中不易断裂。

为实现上述目的，本发明的目的是通过接孔将附加图形黏结到下层 上。

根据本发明的一方面，在半导体基片上生产的半导体集成电路器件 包含基本的半导体子结构，该结构包含至少一个在半导体基片的第一 部分上生产的并构成半导体集成电路一部分的电路构件；及非基本的半 导体子结构，其包括在半导体基片的第二部分上形成的底层；至少覆盖 底层并具有到达底层的第一接孔的内层绝缘层及用在半导体集成电路器 件的生产中并具有形成在内层绝缘层上的制作图形部分，及通过第一接 孔从而被与底层相固定的接孔。

通过下面结合相应附图的详细描述将会对本发明的特征及优点有更 清楚的了解。

图1A到图1F为用于生产现有技术的半导体动态随机存储器件的截 面示意图；

图2为根据本发明的半导体动态随机存储器件的结构截面示意图；

图3A到图3E为生产半导体动态随机存储器件的工艺的截面示意 图；

图4为用于现有技术的半导体动态随机存储器件的附加标记的平面 图；

图5为根据本发明的用于半导体动态随机存储器件的附加标记的平 面图；

图6为根据本发明的另一个半导体动态随机存储器件的结构的截面 示意图；

图7为根据本发明的另一个半导体动态随机存储器件的截面示意 图；

图8为与图7中的中的半导体动态随机存储器件对应的现有技术的 半导体动态随机存储器件的截面示意图；

图9为根据本发明的另一个半导体动态随机存储器件的结构截面示 意图；

图10为与图9的半导体动态随机存储器件对应的现有技术的半导 体动态随机存储器件的截面示意图；

图11为安装在半导体动态随机存储器件中的附加图形的布线图；

图12A到图12D为沿图11的线A-B的表示半导体动态随机存储器 件的生产工艺的截面示意图；

图13为根据本发明的构成半导体动态随机存储器件的一部分的电 容器的截面示意图。

参考图2，在P-型硅基片21上制造体现本发明的半导体动态随机 存储器件。在P-型硅基片的正面上有选择地生长场氧化层22，并在P- 型硅基片21的正面上限定有源区。

在有源区上生长栅氧化层23，栅极线24在场氧化层22及栅氧化层 23上延伸。在有源区内以与栅极线24和场氧化层22自准直的方式形成 n-型源极区25和n-型漏极区26。栅氧化层23，栅极线24,n-型源极 区25及n-型漏极区26作为一个整体构成n-型增强型存取晶体管27。 虽然图2中未示出，在其他有源区上生产外围电路的电路构件(未示 出)。

用氧化硅的内层绝缘层28盖住n-型增强型存取晶体管27。有源区 上所形成的半导体结构的一部分为基本半导体子结构SB，而场氧化层22 上的所形成的半导体结构的另一部分为非基本的半导体子结构ISB。

在内层绝缘层27中形成接孔28a/28b。在基本半导体子结构SB中 形成接孔28a，在非基本半导体子结构ISB中形成其他的接孔28b。

在内层绝缘层27上形成积蓄电极29，而每个积蓄电极29都具有一 个芯柱部分29a及一个电荷积蓄部分29b。积蓄电极29由掺磷的多晶硅 或掺砷的多晶硅构成。芯柱部分29a穿过接孔28a，并被保持与n-型源 极区25接触。电荷积蓄部分28b与内层绝缘层27隔开，并与芯柱部分 29a成为一体。

另一方面，诸如对准标记30等附加图形形成在内层绝缘层27上。 对准标记30由掺磷的多晶硅或掺砷的多晶硅构成，并与积蓄电极30一 起被制作图形。对准图形30具有一个锚栓30a和一个标记部分30b。标 记部分30b突出到内层绝缘层27的上面，并与锚栓30a成为一体。锚 栓30a穿过接孔28b，并被与P-型硅基片21的正面相固定。锚栓30a 的下表面保持与P-型硅基片21接触，标记部分30b与内层绝缘层27隔 开。因此，对准部分30与P-型硅基片21的正面相固定，并不再与非基 本半导体子结构ISB分离。

用介电层31覆盖延伸到内层绝缘层27上面的积蓄电极29，同样用 介电层31覆盖延伸到内层绝缘层27上面的对准标记30。单元片电极CP 通过介电层31与积蓄电极29相对，单元片电极CP，介电层31，及积 蓄电极29作为一个整体构成片型存储电容器32。

下面参考图3A到3E描述半导体动态随机存储器件的生产工艺。现 有技术的工艺从制备P-型硅基片1开始。场氧化层22有选择地生长在 P-型硅基片21的正面上，并在正面内限定出有源区。有源区被热氧化， 分别在有源区上生长栅氧化层23。导电材料被沉积到所形成的半导体结 构的整个表面上，通过光刻技术和蚀刻技术选择去除导电材料。其结果， 导电材料层被制作成在场氧化层22和栅氧化层23上延伸的栅极线24。

n-型杂质是以自准直方式被注入带有栅极线24和场氧化层22的有 源区，并形成n-型源极区25和n-型漏极区26。栅氧化层23，栅极线 24的一部分，n-型源极区25及n-型漏极区26作为一个整体构成n-型 增强型存储晶体管27。

硼-磷-硅化玻璃及硅的氧化物被连续沉积到所形成的半导体结构的 整个表面上，并形成如图3A所示的内层绝缘层28。硼-磷-硅化玻璃层 的厚度为1微米量级。硼-磷-硅化玻璃层在内层绝缘层27上被沉积到300 纳米厚，并形成如图3B所示的隔离层SP。

光刻胶溶液被涂到隔离层SP上，并进行烘烤，从而在隔离层SP上 形成光刻胶层。用于节点接孔的图形和用于锚栓接孔的图形被从光掩膜 (未示出)转印到光刻胶层，而用于接孔的主潜像和另一个用于锚栓 接孔的潜像形成在光刻胶层内。潜像被显影，光刻胶蚀刻掩膜PH形成 在隔离层SP上。在基本的半导体结构SB中具有开孔，另一个开孔位于 非基本的半导体子结构ISB上。

使用光刻胶蚀刻掩膜PH，选择蚀刻掉隔离层SP及内层绝缘层28， 从而在内层绝缘层28及隔离层SP内形成节点接孔28a及锚栓接孔28b， n-型源极区25被暴露到节点接孔28a，锚栓接孔28b如图3C所示通过 场氧化层22到达p-型硅基片21的正面。光刻胶蚀刻掩膜PH被去除。

在隔离层SP的整个表面上沉积掺磷或掺砷的多晶硅。掺磷或掺砷 的多晶硅填充节点接孔28a及锚栓接孔28b，并在隔离层SP上形成掺杂 的多晶硅层。光刻胶被覆在掺杂的多晶硅层上，并通过软焙烧形成光刻 胶层。用于积蓄电极的图形和其他的用于对准标记的图形被从光掩膜(未 示出)转换成掺杂的多晶硅层，而用于积蓄电极的潜像和另一个用于对 准标记的潜像形成在光刻胶层内。潜像被显影，光刻胶蚀刻掩膜(未示 出)形成在掺杂的多晶硅层上。

使用光刻胶蚀刻掩膜，搀杂的多晶硅被选择蚀刻掉，在隔离层SP 上形成积蓄电极29及对准标记30。对准标记30用于晶片的对准，并不 形成半导体动态随机存取存储器件的一部分。每个积蓄电极29具有一 个穿过节点接孔28a的芯柱部分29a及设置在隔离层28上的电荷积蓄 部分29b。对准标记30为一种隔离图形，并在隔离层SP上具有固定柱 30a及标记部分30b。

积蓄电极29穿过节点接孔28a，并分别保持与n-型源极区25接触。 因此，积蓄电极29位于基本半导体子结构SB内。另一方面，锚栓30a 穿过锚栓接孔29b，并通过场氧化层22到达p-型硅基片21的正面。因 此，对准标记30被与p-型硅基片21的正面相固定，并位于如图3D所 示的基本半导体子结构ISB内。

隔离层SP被暴露到诸如氢氟酸酐的蚀刻剂中，蚀刻剂从半导体结 构去除隔离层SP。其结果，电荷积蓄部分29b及对准标记30b与图3E 中所示的内层绝缘层28隔开。在电荷积蓄/标记部分29b/30b及内层绝 缘层28的下表面间产生间隙，电荷积蓄部分29b的下表面暴露到间隙 内。因此，电荷积蓄部分29b的下表面如后面所述的可用于积蓄信号电 荷。虽然标记部分30b也与内层绝缘层28隔开，锚栓30a在下一步骤 的清洗步骤中保证标记部分30a不会移动。

在清洗步骤后，把介电材料沉积到所形成的半导体结构的整个表面 上，并形成介电层31(参见图2)。用介电层31覆盖电荷积蓄部分29b 的下表面，并可用于积蓄信号电荷。诸如多晶硅的导电物质沉积到所形 成的半导体结构的整个表面上，并形成多晶硅层。通过光刻技术在多晶 硅层上制备光刻胶蚀刻掩膜(未示出)，并将多晶硅层制作成单元片电 极CP。积蓄电极29，介电层31及单元片电极CP作为一个整体构成片 型存储电容器32。

在此情况下，p-型硅基片21的正面对应于底层，而对准标记30作 为附加图形。

从上述可以清楚的看出，诸如对准标记的附加图形与p-型硅基片21 的正面相固定，并在清洗步骤器件不会移动。并不会发生由于对准标记 30而造成的短路。因此，锚栓30a增强了半导体动态随机存取存储器件 的可靠性，并可提高成品率。

在实际的生产过程中，在生产过程中使用附加标记。虽然在如图4 所示的现有技术的半导体动态随机存取存储器件中附加标记仅设置在隔 离层SP上，在如图5所示的半导体动态随机存取存储器件中附加标记35 通过锚栓36与诸如硅基片的正面的底层相固定，锚栓孔36保证附加标 记35不会从所规定的位置移开。

第二实施例

图6示出体现本发明的另一个半导体动态随机存取存储器件的示意 图。除了附加图形41外，其与第一实施例的半导体动态随机存取存储 器件相类似，用相同标号表示的其他层和区域不再详细描述。

在此情况下，附加图形41作为对准标记，并与积蓄电极29一起被 制作图形。附加图形41在内层绝缘层28上具有标记部分41a及在场氧 化层22上的将标记部分41a与导电带42相连的锚栓41b。导电带42与 栅极线24一起被制作图形，并作为底层。因此，通过锚栓41b将标记 部分41a与导电带42相固定。锚栓41b保证标记部分41a不会从原始 的指定区域移开。

第三实施例

与片型积蓄电极一起制作图形的对准标记和叠层型积蓄电极都需要 柱状锚栓30a/41b。图7示出安装在半导体动态随机存取存储器件中的 半导体动态随机存取存储单元和附加标记，动态随机存取存储单元被分 配给由在硅基片51上选择生长的场氧化层50限定的有源区。半导体动 态随机存取存储单元包含存取晶体管52和存储电容器53。存取晶体管 52包含在有源区的一部分上生长的栅氧化层54，在栅氧化层54上延伸 的栅极线55及与栅极线55和场氧化层50自准直的源/漏区56/57。用 内层绝缘层58覆盖存取晶体管52和场氧化层50，内层绝缘层58由硼- 磷-硅化玻璃层和氧化硅层构成。氧化硅的保护层59叠加到内层绝缘层 58上，且为200纳米厚。节点接孔60a及锚栓接孔60b穿过保护层59 及内层绝缘层58，并到达源极区56及硅基片51的正面。在保护层59 上制作积蓄电极61的图形，并通过节点接孔60a保持与源极区56接触。 在保护层59上同样制作对准标记62的图形，并具有保护层59上的标 记部分62a及连接在标记部分62a与硅基片51的正面间的锚栓62b。

对准标记62与安装在图8中所示的现有技术的半导体动态随机存 取存储器件中的对准标记63不同。仅在保护层59上制作对准标记63， 并不附带锚栓。虽然保护层59未被蚀刻掉，但不可忽视侧蚀，在对准 标记62/63的下表面的下面产生间隙64。当最小图形尺寸降低时，积蓄 电极/对准标记61/62/63的尺寸比会增大，间隙64会导致对准标记62/63 的分离。在此情况下，锚栓62b可防止对准标记62与保护层59相分离。

用介电层(未示出)覆盖积蓄电极61及标记部分62a，单元片电极 (未示出)通过介电层与积蓄电极61相对。

标记部分62a通过锚栓62b与硅基片51的正面相固定。因此，锚 栓62b增强了半导体动态随机存取存储器件的可靠性，并提高了成品率。

第四实施例

图9示出了体现本发明的半导体动态随机存取存储器件的示意图。 柱形积蓄电极形成安装在本发明第四实施例中的半导体动态随机存取存 储器件中的存储电容器的一部分。在硅基片61上生产半导体动态随机 存取存储器件。在硅基片61上生产半导体动态随机存取存储器件。在 硅基片61的正面上选择生长场氧化层62，并在硅基片的正面内限定有 源区。其中的一个有源区被指定给存储单元。

存储单元包含存取晶体管63及存储电容器64。存取晶体管63包含 在部分有源区上生长的栅绝缘层65，在栅绝缘层65上延伸的栅极线66 及与栅极线66和场氧化层62自准直的源/漏区67/68。存取晶体管63 及场氧化层62被内层绝缘层69所覆盖，且保护层70被叠加到内层绝 缘层69上。

在保护层70和内层绝缘层69内形成节点接孔71a及锚栓接孔71b， 锚栓接孔71b还穿过场氧化层62。柱形积蓄电极72形成在保护层70上， 并通过节点接孔71a与源极区67接触。

与柱形积蓄电极72一起在保护层70上制作诸如对准标记73的附 加图形。对准标记73具有标记部分73a和锚栓73b。标记部分73a设置 在保护层70上，并与锚栓73b构成一体。锚栓73b通过锚栓接孔71b， 并保持与硅基片61的正面相接触。由于侧蚀在柱形电荷积蓄部分72a 和保护层70间的下表面及标记部分73a和保护层70间的下表面间产生 间隙74。虽然图9中未示出，用介电层覆盖柱形电荷积蓄部分72a及标 记部分73a，单元片电极与柱形电荷积蓄部分72a相对。

图10示出与图9中所示的半导体动态随机存取存储器件对应的现 有技术的半导体动态随机存取存储器件。现有技术的半导体动态随机存 取存储器件具有对准标记75。对准标记75对应与对准标记73。然而， 对准标记75不与硅基片61的正面固定。为此，对准标记75易于从保 护层70剥落。

因此，柱形锚栓孔73b保证标记部分73a不会从所指定的区域移开， 通过用对准标记73可使生产者保证成品率。

第五实施例

图11示出体现本发明的半导体集成电路器件的一部分。虽然图11 中未示出，在半导体基片81上生产集成电路器件的构件。电路构件形 成部分的基本半导体子结构，箱形标记图形82安装在非基本半导体子 结构中。下面重点描述非基本的半导体子结构。

箱形标记图形82在半导体集成电路器件的生产过程中用于自动对 准。箱形标记图形包含外箱标记子图形83和内箱标记子图形84。外箱 标记子图形83被埋在内层绝缘层81a中，内箱标记子图形84形成在内 层绝缘层81a上。内箱标记子图形84被外箱标记子图形83包围，且多 个箱标记85/86/87形成内箱标记子图形84。在内绝缘层81a中形成锚 栓接孔88(参见图12A到12D)，箱标记85/86/87通过锚栓接孔88与 硅基片81的正面相固定。箱标记85/86/87不会从所指定的位置移开。

如图12A到12D生产箱标记图形82。工艺从制备硅基片81开始。 虽然图中未示出，在硅基片81的正面中所限定出的有源区上生产诸如 场效应晶体管的电路构件。在硅基片81的正面上沉积氧化硅，并形成 内层绝缘层90。

通过光刻技术及适宜的蚀刻在内层绝缘层90内形成槽91及锚栓接 孔88。槽91限定出长方形区域，锚栓接孔88开向长方形区域，槽91 和锚栓接孔88填充多晶硅。槽91中的多晶硅形成外箱标记子图形83， 而锚栓接孔88中的多晶硅形成锚栓92。

在所形成结构的整个表面上沉积50纳米厚的氮化硅，并形成内层 绝缘层90上的保护层93。接着，在保护层93上沉积500纳米厚的氧 化硅，并形成绝缘层94。用光刻技术及蚀刻技术如图12A中所示在绝缘 层94及保护层93中形成凹陷95，锚栓92暴露在凹陷92中。凹陷95 为400纳米宽。

在所形成的结构的整个表面上沉积多晶硅，并形成多晶硅层96。多 晶硅层96被保持与锚栓92接触。多晶硅层96在所形成的结构上一致 的延伸，并在凹陷95中限定出第二凹陷97。如图12B所示用螺旋玻璃 98填充第二凹陷97。

如图12C中所示，用化学机械抛光从绝缘层94的上表面去除多晶 硅层96。其结果，箱标记85/86/87如图12C中所示被分别留在凹陷95 中。绝缘层94，螺旋玻璃98及保护层93被蚀刻掉，而箱标记85/86/87 被留在内层绝缘层90上，如图12D所示。箱标记85/86/87通过锚栓92 与硅基片81的正面固定，且不易从所指定的位置移开。

从上述可以清楚的看出，用在半导体集成电路器件生产中的附加图 形与底层固定，且不会从所指定的位置移开。附加图形不用跨接半导体 集成电路器件的构件，从而可提高产量。

虽然已对具体的实施例进行了详细描述，对本领域的技术人员而 言，所做的各种的修改和变更都不脱离本发明的实质和范围。

附加图形可为用在生产工艺中的另一种图形，例如用于覆盖精度的 尺规，用于自动定位的箱标记及/或用于测量的标记。附加图形可被用 于检测，例如在后面的器件生产过程中所用的精度检测和短路检测。

附加图形可与和积蓄电极不同的电路图形一起生产。

附加图形可与和位线一起形成的另一层固定。

存储电容器的积蓄电极具有图13中所示的半球形粒状结构。积蓄 电极具有电荷积蓄部分100，电荷积蓄部分的表面变糙，从而增大电荷 积蓄面积。在此情况下，附加图形可与电荷积蓄部分100具有相同的结 构。