随着工业化的发展，电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急， 能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的国家开始 实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。在国际 光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业不仅争相投入巨 资，扩大生产，还纷纷建立自己的研发机构，研究和开发新的电池项目， 提高产品的质量和转化效率。然而硅片作为基体材料制作太阳能电池单晶 硅存在微缺陷和金属杂质，这些杂质和缺陷在硅禁带中引入多重深能级，成 为少数载流子的复合中心，严重影响了太阳电池的光电转换效率。
在单晶硅中，由于杂质与杂质，杂质与缺陷之间的相互作用，重金属杂 质或微观缺陷在一定的温度下会发生迁移和再凝聚现象，利用这种现象，在 硅片的背面引入机械损伤、缺陷或沉淀某一种薄膜，也可在体内引入缺陷， 使重金属杂质从器件的工作区域富集到这些特殊的区域，即称为杂质的吸除， 前者称为外吸杂，后者为内吸杂。吸杂技术是减少硅片的加工和器件工艺过 程的污染，改善器件的性能的一种非常有效的方法。利用杂质向具有晶格的 不完整性的区域聚集的特性引入缺陷形成杂质富集区域，然后将这一层杂质 富集的损伤区域去掉，就可打到去除硅片中部分杂质的目的，减少硅片中少 数载流子复合中心，提高电池的短路电流，从而提高太阳电池光电转换效率。

本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种有效减小重掺 杂“死层”，提高电池短波响应，改进电池的Isc和Voc的硅片的磷吸杂工艺。 本发明的目的通过以下的技术方案实现：所述磷吸杂工艺包括如下步骤：
(1)预沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里进行扩散，该工序共分 六步，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
(a)、第一步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为870～880℃，炉 中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(b)、第二步扩散：扩散时间为120～180s，炉口温度为880～890℃，炉 中温度为840～850℃，炉尾温度为860～870℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(c)、第三步扩散：扩散时间为360～420s，炉口温度为870～880℃，炉 中温度为850～860℃，炉尾温度为840～860℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(d)、第四步扩散：扩散时间为1200～1300s，炉口温度为890～900℃， 炉中温度为860～880℃，炉尾温度为870～890℃，氮气的通入量为25000～26000 ml，三氯氧磷的通入量为1900～2100ml，氧气的通入量为0ml；
(e)、第五步扩散：扩散时间为300～420s，炉口温度为840～860℃，炉 中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
(f)、第六步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为840～860℃，炉 中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
待扩散完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，测量硅片的方块 电阻，控制扩散后硅片的方块电阻在100Ω～110Ω之间；
(2)去磷硅玻璃层：上述预沉积处理后的硅片表面会形成一层较薄的磷 硅玻璃层，将经过预沉积处理后的硅片放入浓度为5％～6％的氢氟酸溶液中浸 泡50～60s，去掉硅片表面上的磷硅玻璃层；
(3)再分布：将上述去掉磷硅玻璃层后的硅片再次放入扩散炉中进行高 温氧化和吸杂处理，该工序共分4步，每步的时间、温度及各种气体的通入 量详细如下：
(a)、第一步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为1020～1040℃， 炉中温度为1010～1030℃，炉尾温度为1010～1030℃，氮气的通入量为0ml， 三氯乙烷的通入量为0ml，氧气的通入量为20000～21000ml；
(b)、第二步扩散：扩散时间为1620～1800s，炉口温度为1000～1100℃， 炉中温度为1000～1100℃，炉尾温度为1000～1100℃，氮气的通入量为0ml， 三氯乙烷的通入量500ml，氧气的通入量为20000～21000ml；
(c)、第三步扩散：扩散时间为180～360s，炉口温度为1020～1040℃， 炉中温度为1010～1030℃，炉尾温度为1010～1030℃，氮气的通入量为 20000～22000ml，三氯乙烷的通入量0ml，氧气的通入量为0ml；
(d)、第四步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为1020～1040℃， 炉中温度为1000～1100℃，炉尾温度为1000～1100℃，氮气的通入量为 20000～22000ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧气的通入量为0ml；
待第四步完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温后，测量硅片的 方块电阻，控制方块电阻在70Ω-80Ω之间；
(4)去氧化层：经过再分布处理后的硅片表面上形成一层蓝色的氧化膜， 将经过再分布处理后的硅片放入浓度为5％～6％的氢氟酸溶液中浸泡 300～400s，，去掉硅片表面上的氧化层；
(5)二次扩散：将上述经过清洗后去除掉表面氧化层的硅片放到扩散炉 里再次进行扩散处理，该工序共分七步，每步的时间、温度及各种气体的通 入量详细如下：
(a)、第一步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为900～910℃，炉 中温度为850～860℃，炉尾温度为850～870℃，氮气的通入量为28000～30000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为0ml；
(b)、第二步扩散：扩散时间为360～420s，炉口温度为910～920℃，炉 中温度为870～880℃，炉尾温度为880～890℃，氮气的通入量为28000～30000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为0ml；
(c)、第三步扩散：扩散时间为120～210s，炉口温度为920～930℃，炉 中温度为890～900℃，炉尾温度为890～900℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
(d)、第四步扩散：扩散时间为460～580s，炉口温度为930～940℃，炉 中温度为880～890℃，炉尾温度为890～900℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量2000～2100ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
(e)、第五步扩散：扩散时间为920～1200s，炉口温度为930～940℃，炉 中温度为880～890℃，炉尾温度为890～900℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量2200～2300ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
(f)、第六步扩散：扩散时间为300～420s，炉口温度为890～900℃，炉 中温度为850～860℃，炉尾温度为860～870℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为3000～4000ml；
(g)、第七步扩散：扩散时间为300～400s，炉口温度为900～910℃，炉 中温度为850～860℃，炉尾温度为860～870℃，氮气的通入量为22000～23000 ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通入量为0ml；
二次扩散完毕后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，测量硅片的少 子寿命及方块电阻，控制二次扩散后硅片的方块电阻在30Ω-40Ω之间。
本发明与传统工艺相比，优点在于：处理后硅片的平均少子寿命大大提 高；按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的 电池片平均转化效率进一步提高，电池片的各项电性能参数更优。

下面结合具体实施对本发明作进一步描述。
实施例1
选用生产线上效率水平在15％以下的单晶125×125型号的硅片共300 片进行磷吸杂处理，具体步骤如下：
(1)预沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里进行扩散，该工序共分 六步，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
(a)、扩散时间为360s，炉口温度为875℃，炉中温度为825℃，炉尾 温度为825℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(b)、扩散时间为150s，炉口温度为885℃，炉中温度为845℃，炉尾 温度为865℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(c)、扩散时间为390s，炉口温度为875℃，炉中温度为855℃，炉尾 温度为855℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(d)、扩散时间为1250s，炉口温度为895℃，炉中温度为870℃，炉尾 温度为880℃，氮气的通入量为25500ml，三氯氧磷的通入量为2000ml，氧 气的通入量为0ml；
(e)、扩散时间为360s，炉口温度为850℃，炉中温度为825℃，炉尾 温度为825℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为3500ml；
(f)、扩散时间为360s，炉口温度为850℃，炉中温度为825℃，炉尾温 度为825℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为3500ml；
待扩散完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用四探针测量硅片 的方块电阻，该经过扩散处理后硅片的方块电阻为105Ω；
(2)去磷硅玻璃层：上述预沉积处理后的硅片表面会形成一层较薄的磷 硅玻璃层，将经过预沉积处理后的硅片放入浓度为5.5％的氢氟酸溶液中浸泡 56s，去掉硅片表面上的磷硅玻璃层；
(3)再分布：将上述去掉磷硅玻璃层后的硅片再次放入扩散炉中进行高 温氧化和吸杂处理，该工序共分4步，每步的时间、温度及各种气体的通入 量详细如下：
(a)、扩散时间为360s，炉口温度为1030℃，炉中温度为1020℃，炉 尾温度为1020℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧气的 通入量为20500ml；
(b)、扩散时间为1760s，炉口温度为1050℃，炉中温度为1050℃，炉 尾温度为1050℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量500ml，氧气的 通入量为20500ml；
(c)、扩散时间为320s，炉口温度为1030℃，炉中温度为1020℃，炉 尾温度为1020℃，氮气的通入量为21000ml，三氯乙烷的通入量0ml，氧气 的通入量为0ml；
(d)、扩散时间为360s，炉口温度为1030℃，炉中温度为1050℃，炉 尾温度为1050℃，氮气的通入量为2100ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧 气的通入量为0ml；
待第四步完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温后，用四探针测 量硅片的方块电阻，该经过再分布处理后硅片的方块电阻为75Ω左右；
(4)去氧化层：经过再分布处理后的硅片表面上形成一层蓝色的氧化 膜，，将经过再分布处理后的硅片放入浓度为5.5％的氢氟酸溶液中浸泡350s， 去掉硅片表面上的氧化层；
(5)二次扩散：将上述经过清洗后去除掉表面氧化层的硅片放到扩散炉 里再次进行扩散处理，该工序共分七步，每步的时间、温度及各种气体的通 入量详细如下：
(a)、扩散时间为360s，炉口温度为905℃，炉中温度为855℃，炉尾 温度为860℃，氮气的通入量为29000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(b)、扩散时间为390s，炉口温度为915℃，炉中温度为875℃，炉尾 温度为885℃，氮气的通入量为29000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(c)、扩散时间为180s，炉口温度为925℃，炉中温度为895℃，炉尾 温度为895℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为3500ml；
(d)、扩散时间为520s，炉口温度为935℃，炉中温度为885℃，炉尾 温度为895℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量2050ml，氧气 的通入量为3500ml；
(e)、扩散时间为1080s，炉口温度为935℃，炉中温度为885℃，炉尾 温度为895℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量2250ml，氧气 的通入量为3400ml；
(f)、扩散时间为360s，炉口温度为895℃，炉中温度为855℃，炉尾温 度为865℃，氮气的通入量为22500ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为3300ml；
(g)、扩散时间为380s，炉口温度为905℃，炉中温度为855℃，炉尾 温度为865℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
二次扩散完毕后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用少子寿命仪 测量硅片的少子寿命，用四探针测量硅片的方块电阻；经测量，本发明的工 艺处理后硅片的平均少子寿命比传统工艺扩散后的少子寿命高6.0μs左右， 硅片的方块电阻为35Ω左右。
按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的 电池片平均转化效率达到16.26％，比传统工艺提高了2％左右。
实施例2
选用生产线上效率水平在15％以下的单晶125×125型号的硅片共300 片进行磷吸杂处理，具体步骤如下：
(1)预沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里进行扩散，该工序共分 六步，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
(a)、扩散时间为300s，炉口温度为870℃，炉中温度为820℃，炉尾 温度为823℃，氮气的通入量为22100ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(b)、扩散时间为120s，炉口温度为880℃，炉中温度为840℃，炉尾 温度为860℃，氮气的通入量为22100ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(c)、扩散时间为360s，炉口温度为870℃，炉中温度为850℃，炉尾 温度为840℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(d)、扩散时间为1200s，炉口温度为890℃，炉中温度为860℃，炉尾 温度为870℃，氮气的通入量为25000ml，三氯氧磷的通入量为1900ml，氧 气的通入量为0ml；
(e)、扩散时间为300s，炉口温度为840℃，炉中温度为820℃，炉尾 温度为820℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为3000ml；
(f)、扩散时间为300s，炉口温度为840℃，炉中温度为820℃，炉尾温 度为820℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为3000ml；
待扩散完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用四探针测量硅片 的方块电阻，该经过扩散处理后硅片的方块电阻为110Ω左右；
(2)去磷硅玻璃层：去磷硅玻璃层：上述预沉积处理后的硅片表面会形 成一层较薄的磷硅玻璃层，将经过预沉积处理后的硅片放入浓度为5％的氢 氟酸溶液中浸泡60s，去掉硅片表面上的磷硅玻璃层；
(3)再分布：将上述去掉磷硅玻璃层后的硅片再次放入扩散炉中进行高 温氧化和吸杂处理，该工序共分4步，每步的时间、温度及各种气体的通入 量详细如下：
(a)、扩散时间为300s，炉口温度为1020℃，炉中温度为1010℃，炉 尾温度为1010℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧气的 通入量为20000ml；
(b)、扩散时间为1620s，炉口温度为1000℃，炉中温度为1000℃，炉 尾温度为1000℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量500ml，氧气的 通入量为20000ml；
(c)、扩散时间为180s，炉口温度为1020℃，炉中温度为1010℃，炉 尾温度为1010℃，氮气的通入量为20000ml，三氯乙烷的通入量0ml，氧气 的通入量为0ml；
(d)、扩散时间为300s，炉口温度为1020℃，炉中温度为1030℃，炉 尾温度为1010℃，氮气的通入量为20000ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧 气的通入量为0ml；
待第四步完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温后，用四探针测 量硅片的方块电阻，该经过再分布处理后硅片的方块电阻为80Ω左右；
(4)去氧化层：经过再分布处理后的硅片表面上形成一层蓝色的氧化 膜，，将经过再分布处理后的硅片放入浓度为5％的氢氟酸溶液中浸泡400s， 去掉硅片表面上的氧化层；
(5)二次扩散：将上述经过清洗后去除掉表面氧化层的硅片放到扩散炉 里再次进行扩散处理，该工序共分七步，每步的时间、温度及各种气体的通 入量详细如下：
(a)、扩散时间为300s，炉口温度为900℃，炉中温度为850℃，炉尾 温度为850℃，氮气的通入量为28000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(b)、扩散时间为360s，炉口温度为910℃，炉中温度为870℃，炉尾 温度为880℃，氮气的通入量为28030ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(c)、扩散时间为120s，炉口温度为920℃，炉中温度为890℃，炉尾 温度为890℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为3000ml；
(d)、扩散时间为460s，炉口温度为930℃，炉中温度为880℃，炉尾 温度为890℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量2000ml，氧气 的通入量为3000ml；
(e)、扩散时间为920s，炉口温度为930℃，炉中温度为880℃，炉尾 温度为890℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量2200ml，氧气 的通入量为3000ml；
(f)、扩散时间为300s，炉口温度为890℃，炉中温度为850℃，炉尾温 度为860℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为3000ml；
(g)、扩散时间为300s，炉口温度为900℃，炉中温度为850℃，炉尾 温度为860℃，氮气的通入量为22000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
二次扩散完毕后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用少子寿命仪 测量硅片的少子寿命，用四探针测量硅片的方块电阻；经测量，本发明的工 艺处理后硅片的平均少子寿命比传统工艺扩散后的少子寿命高4.6μs左右， 硅片的方块电阻为40Ω左右。
按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的 电池片平均转化效率达到15.80％，比传统工艺提高了1.6％左右。
实施例3
选用生产线上效率水平在15％以下的单晶125×125型号的硅片共300 片进行磷吸杂处理，具体步骤如下：
(1)预沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里进行扩散，该工序共分 六步，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
(a)、扩散时间为400s，炉口温度为880℃，炉中温度为830℃，炉尾 温度为830℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(b)、扩散时间为180s，炉口温度为890℃，炉中温度为850℃，炉尾 温度为870℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(c)、扩散时间为420s，炉口温度为880℃，炉中温度为860℃，炉尾 温度为860℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷和氧气的通入量均为0ml；
(d)、扩散时间为1300s，炉口温度为900℃，炉中温度为880℃，炉尾 温度为890℃，氮气的通入量为26000ml，三氯氧磷的通入量为2100ml，氧 气的通入量为0ml；
(e)、扩散时间为420s，炉口温度为860℃，炉中温度为830℃，炉尾 温度为830℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为4000ml；
(f)、扩散时间为400s，炉口温度为860℃，炉中温度为830℃，炉尾温 度为830℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为4000ml；
待扩散完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用四探针测量硅片 的方块电阻，该经过扩散处理后硅片的方块电阻为100Ω左右；
(2)去磷硅玻璃层：上述预沉积处理后的硅片表面会形成一层较薄的磷 硅玻璃层，将经过预沉积处理后的硅片放入浓度为6％的氢氟酸溶液中浸泡 50s，去掉硅片表面上的磷硅玻璃层；
(3)再分布：将上述去掉磷硅玻璃层后的硅片再次放入扩散炉中进行高 温氧化和吸杂处理，该工序共分4步，每步的时间、温度及各种气体的通入 量详细如下：
(a)、扩散时间为400s，炉口温度为1040℃，炉中温度为1030℃，炉 尾温度为1030℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧气的 通入量为21000ml；
(b)、扩散时间为1800s，炉口温度为1100℃，炉中温度为1100℃，炉 尾温度为1100℃，氮气的通入量为0ml，三氯乙烷的通入量500ml，氧气的 通入量为21000ml；
(c)、扩散时间为360s，炉口温度为1040℃，炉中温度为1030℃，炉 尾温度为1030℃，氮气的通入量为22000ml，三氯乙烷的通入量0ml，氧气 的通入量为0ml；
(d)、扩散时间为400s，炉口温度为1040℃，炉中温度为1100℃，炉 尾温度为1100℃，氮气的通入量为22000ml，三氯乙烷的通入量为0ml，氧 气的通入量为0ml；
待第四步完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温后，用四探针测 量硅片的方块电阻，该经过再分布处理后硅片的方块电阻为70Ω左右；
(4)去氧化层：经过再分布处理后的硅片表面上形成一层蓝色的氧化 膜，，将经过再分布处理后的硅片放入浓度为6％的氢氟酸溶液中浸泡300s， 去掉硅片表面上的氧化层；
(5)二次扩散：将上述经过清洗后去除掉表面氧化层的硅片放到扩散炉 里再次进行扩散处理，该工序共分七步，每步的时间、温度及各种气体的通 入量详细如下：
(a)、扩散时间为400s，炉口温度为910℃，炉中温度为860℃，炉尾 温度为870℃，氮气的通入量为30000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(b)、扩散时间为420s，炉口温度为920℃，炉中温度为880℃，炉尾 温度为890℃，氮气的通入量为30000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
(c)、扩散时间为210s，炉口温度为930℃，炉中温度为900℃，炉尾 温度为900℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为4000ml；
(d)、扩散时间为580s，炉口温度为940℃，炉中温度为890℃，炉尾 温度为900℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量2100ml，氧气 的通入量4000ml；
(e)、扩散时间为1200s，炉口温度为940℃，炉中温度为890℃，炉尾 温度为900℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量2200～2300ml， 氧气的通入量为4000ml；
(f)、扩散时间为420s，炉口温度为900℃，炉中温度为860℃，炉尾温 度为870℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的通 入量为4000ml；
(g)、扩散时间为400s，炉口温度为910℃，炉中温度为860℃，炉尾 温度为870℃，氮气的通入量为23000ml，三氯氧磷的通入量0ml，氧气的 通入量为0ml；
二次扩散完毕后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，用少子寿命仪 测量硅片的少子寿命，用四探针测量硅片的方块电阻；经测量发现，本发明 的工艺处理后硅片的平均少子寿命比传统工艺扩散后的少子寿命高4.8μs左 右，硅片的方块电阻为30Ω左右。
按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的 电池片平均转化效率达到15.60％，比传统工艺提高了1.4％左右。