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RF集成电路用绝缘硅片

阅读：859发布：2021-02-23

IPRDB可以提供RF集成电路用绝缘硅片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种RF半导体器件，其由包括多晶硅晶圆、位于该多晶硅晶圆上的隐埋氧化物层和位于该氧化物层上的硅层的起始基片制造。，下面是RF集成电路用绝缘硅片专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种RF半导体器件，其包括：

高电阻率多晶硅晶圆；

位于该多晶硅晶圆上的隐埋氧化物层；和位于该隐埋氧化物层上的硅层。

2.权利要求2的RF半导体器件，还包括RF输入端。

3.一种RF半导体器件，包括：

高电阻率多晶层；

位于该多晶层上的隐埋氧化物层；和

位于该隐埋氧化物层上的硅层。

4.权利要求3的RF半导体器件，其中该多晶层包括多晶硅层。

5.权利要求3的RF半导体器件，还包括RF输入端。

6.权利要求5的RF半导体器件，其中多晶层包括多晶硅层。

7.一种制造RF半导体器件的方法，包括：在第一晶片的表面上形成氧化物层，其中该第一晶片包括低电阻率硅；和将该第一晶片的氧化物层与第二晶片结合，其中第二晶片包括高电阻率多晶硅晶片，由此制造RF半导体器件。

8.权利要求7的方法，其中第一晶片的氧化物层与第二晶片的结合包括：将原子量低的原子嵌入第二晶片的表面中；和将第一晶片的氧化物层与第二晶片的嵌入表面结合。

9.权利要求7的方法，其中第一晶片的氧化物层与第二晶片的结合包括加热第一和第二晶片以将第一晶片的氧化物层与第二晶片结合。

10.权利要求9的方法，其中加热第一和第二晶片以将第一晶片的氧化物层与第二晶片结合包括：将原子量低的原子嵌入第二晶片的表面中；和加热第一和第二晶片以将第一晶片的氧化物层与第二晶片的嵌入表面结合。

11.权利要求7的方法，还包括加工第一晶片的硅以在其中形成RF 半导体器件的集成电路。

12.权利要求7的方法，还包括加工第一晶片的硅以形成晶体管和感应器。

13.一种制造RF半导体器件的方法，包括：在第一晶片的表面上形成第一氧化物层，其中第一晶片包括高电阻率多晶材料；

在第二晶片的表面上形成第二氧化物层，其中第二晶片包括低电阻率硅；和彼此相对结合第一氧化物层和第二氧化物层以制造RF半导体器件。

14.权利要求13的方法，其中该多晶材料包括多晶硅。

15.权利要求13的方法，还包括除去一部分第二晶片的硅。

16.权利要求15的方法，其中除去一部分第二晶片的硅包括蚀刻掉第二晶片的部分硅。

17.权利要求15的方法，其中除去一部分第二晶片的硅包括研磨掉第二晶片的部分硅。

18.权利要求15的方法，其中除去一部分第二晶片的硅包括蚀刻并研磨掉第二晶片的部分硅。

19.权利要求13的方法，其中彼此相对结合第一和第二氧化物层包括加热第一晶片和第二晶片以彼此相对结合第一氧化物层和第二氧化物层。

20.权利要求13的方法，还包括加工第二晶片的硅以在其中形成 RF半导体器件的集成电路。

21.权利要求13的方法，还包括加工第二晶片的硅以形成晶体管和感应器。

22.一种从具有顶部硅层，隐埋氧化物层和底部硅层的SOI晶片开始制造RF半导体器件的方法，该方法包括：在顶部硅层的表面上形成新的氧化物层；

在该新的氧化物层上形成高电阻率多晶硅层；

除去SOI晶片的底部硅层；和

除去SOI晶片的隐埋氧化物层以制造RF半导体器件。

23.权利要求22的方法，其中在该新的氧化物层上形成多晶硅层包括将多晶硅层沉积在该新的氧化物层上。

24.权利要求23的方法，其中除去SOI晶片的底部硅层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的底部硅层。

25.权利要求23的方法，其中除去SOI晶片的隐埋氧化物层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的隐埋氧化物层。

26.权利要求25的方法，其中除去SOI晶片的底部硅层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的底部硅层。

27.权利要求22的方法，其中除去SOI晶片的底部硅层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的底部硅层。

28.权利要求22的方法，其中除去SOI晶片的隐埋氧化物层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的隐埋氧化物层。

29.权利要求28的方法，其中除去SOI晶片的底部硅层包括研磨和/或蚀刻掉SOI晶片的底部硅层。

30.权利要求22的方法，还包括加工SOI晶片中剩余的硅以在其中形成RF半导体器件的集成电路。

31.权利要求22的方法，还包括加工SOI晶片中剩余的硅以形成晶体管和感应器。

说明书全文

技术领域

本发明涉及RF集成电路用绝缘硅(SOI)片。

发明背景

对在特定应用中使用的硅的初步加工的材料要求受该应用的驱动。对于RF应用，这些材料要求非常严格。标准的体硅片或绝缘硅片使用在高频率下导致高损耗和串扰的低电阻率基片。例如，使用具有低电阻率基片的硅片或绝缘硅片制造的感应器的Q′s低。因此，为了获得更高的Q′s，使用具有接地平面(ground plane)的多能级金属。然而，这些耦合技术(coupling technique)导致串扰。此外，由于基片的电阻低导致在较高的频率下损耗增加。
使用高电阻率硅(HRS)基片可以减少RF应用中的损耗和耦合(串扰)。与通常使用的硅基片的约10Ω-cm的ρ相比，这种基片具有104 Ω-cm的最大电阻率ρ。然而，HRS的电阻率比通常用于RF应用的GaAs基片低3-4个数量级。此外，在RF应用中使用高电阻率硅基片有问题。即，如图1和2中的图所示，在后加工的过程中，热产生的供体使SiO2/Si界面处和晶片背面处的电阻率都下降。
图1是隐埋氧化物(buried oxide)与基片之间的界面(即，SiO2/Si界面)处的电阻分布，其中假设基片为n-型基片。图1的y轴表示电阻率，x轴表示深入基片中的深度。x＝0的点位于界面处。如图1所示，基片的电阻率仅在界面以下是最低的。
图2是p-型晶片的电阻分布。图2的y轴表示电阻率，x轴表示深入晶片中的深度。x＝0的点位于晶片的前面。如图2所示，在一定条件下，晶片的背面实际上可以经受类型转化(在这种情况下，从p型转化为n型)。也已观察到，在其它状态下，在隐埋氧化物以下的晶片区域也可以经受类型转化。
可以通过研磨除去晶片背面处的分解。然而，界面处的分解产生更高的损耗，增加耦合(串扰)，降低感应器Q，因此不容易补救。本发明解决了这些问题中的一个或多个。
发明概述
根据本发明的一个方面，RF半导体器件包括高电阻率多晶硅晶圆 (handle wafer)、位于该多晶硅晶圆上的隐埋氧化物层和位于该隐埋氧化物层上的硅层。
根据本发明的另一个方面，RF半导体器件包括高电阻率多晶层、位于该多晶层上的隐埋氧化物层和位于该隐埋氧化物层上的硅层。
根据本发明的再一个方面，制造RF半导体器件的方法包括以下步骤：在第一晶片的表面上形成氧化物层；将第一晶片的氧化物层与第二晶片结合，由此制造RF半导体器件，其中第一晶片包括低电阻率硅，第二晶片包括高电阻率多晶硅晶片。
根据本发明的又一个方面，制造RF半导体器件的方法包括以下步骤：在第一晶片的表面上形成第一氧化物层；在第二晶片的表面上形成第二氧化物层；将该第一氧化物层与第二氧化物层彼此相对结合以制造RF半导体器件，其中第一晶片包括高电阻率多晶材料，第二晶片包括低电阻率硅。
而且，根据本发明的另一个方面，提供一种从具有顶部硅层、隐埋氧化物层和底部硅层的SOI晶片开始制造RF半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在顶部硅层的表面上形成一新的氧化物层；在该新的氧化物层上形成高电阻率多晶硅层；除去SOI晶片的底部硅层；和除去SOI晶片的隐埋氧化物层以制造RF半导体器件。
附图简述
当结合附图及本发明的详细描述时，本发明的这些及其它特征和优点将变得更明显，其中：
图1说明了在常规绝缘硅片的隐埋氧化物与基片之间的界面处的电阻分布；
图2说明了在标准的CMOS加工后常规p-型晶片的电阻分布；
图3说明了有利地使用本发明的RF器件；
图4显示了可以在图3的RF器件中使用的本发明晶片；
图5a、5b和5c说明了制备图4中所示的RF基片20的方法；
图6a、6b和6c说明了制备图4中所示的RF基片20的另一种方法；和
图7a、7b、7c、7d和7e说明了制备图4中所示的RF基片20的又一种方法。
发明详述
如图3所示，RF器件10结合入集成电路12，并具有RF输入端14 和输出端16。可以在制造集成电路12的过程中使用的RF基片20示于图4中。RF基片20包括高电阻率多晶硅晶圆22、在该多晶硅晶圆22 上形成的隐埋氧化物层24和在该隐埋氧化物层24上形成的硅层26。然后，加工RF基片20的硅层26以形成RF元件如晶体管、电容器、二极管、变容二极管和感应器，它们结合到一起从而形成RF器件10。
隐埋氧化物层24可以是SiO2或Al2O3。或者，AlN层或Si3N4层可以代替隐埋氧化物层24。可以提供附加层28以控制应力并减少RF基片20的任何扭曲，并起阻挡层的作用抵抗污染杂质。例如，可以通过氧化多晶硅晶圆22的多晶硅或通过将Si3N4沉积在多晶硅晶圆22上来提供附加层28。
多晶硅晶圆22的多晶硅具有高的电阻率ρ，如大于106Ω-cm的电阻率ρ。并且，多晶硅不易于发生迄今使用的单晶材料出现的降解如类型转换。而且，高电阻率多晶硅在加工的过程中损耗较少。
在图5a、5b和5c中说明了制备RF基片20的方法，如图5 a所示，在单晶硅的第一晶片32的表面上形成氧化物层30。此氧化物层应该具有隐埋氧化物层24的所需厚度。如图5b所示，可以将原子量低的原子34如氢原子或氦原子嵌入多晶晶片36，即多晶硅晶片36的表面中。如图5c所示，例如通过热处理将第一晶片32的氧化层30和第二晶片 36的嵌入表面彼此相对结合。在加热的过程中，嵌入的原子形成大气泡，通常释放嵌入区之上的硅膜。得到的结构是可以按需要抛光的RF 基片20。可以根据需要加入附加层28。
或者，如图6a、6b和6c所示，可以通过氧化多晶材料如多晶硅的第一晶片40的表面来形成氧化物层42而制备RF基片20(图6a)。如图6b所示，氧化包括单晶硅的第二晶片44的表面以形成氧化物层 46。如图6c所示，例如通过热处理将第一晶片40的氧化层42和第二晶片44的氧化层46结合在一起。氧化物层42和46的组合深度应该产生所需的隐埋氧化物层24的厚度。如有必要，例如通过研磨和/或蚀刻除去第二晶片44的一部分暴露硅表面以制造所需的具有具备所需深度的顶部硅层的RF基片20。如果使用蚀刻，则结合之前，可以在单晶中使用掺杂层以在所需点停止蚀刻。可以根据需要加入附加层28。
如图7a、7b、7c、7d和7e中说明的另一种方法，可以通过从具有顶部硅层52、隐埋氧化物层54和厚的底部硅层56的标准SOI晶片 50开始制造RF基片20(图7a)。如图7b所示，氧化SOI晶片50的顶部硅层52以形成氧化物层58。如图7c所示，例如通过沉积在氧化物层58上形成多晶硅层60。例如，对于4英寸的晶片，得到的多晶硅层的厚度为500微米。如图7d所示，例如通过蚀刻和/或研磨除去原始SOI晶片50的厚的底部硅层56。最后，如图7e所示，例如通过研磨和/或蚀刻除去原始SOI晶片50的氧化物层54，留下RF基片20。可以根据需要加入附加层28。
上面已经论述了本发明的某些变化。其它的变化将会为本发明领域中的技术人员所想到。例如，本文中描述的隐埋氧化物层24和54 可以由诸如SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、钛酸盐等这样的电介质中的一种或其组合组成。可以使用诸如CVD、LPCVD、溅射、MBE、PECVD、高密度等离子体和热生长这样的沉积方法沉积隐埋氧化物。
而且，另一氧化物层可以选自诸如SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、钛酸盐等这种电介质中的一种或其组合。可以使用诸如CVD、LPCVD、溅射、MBE、PECVD、高密度等离子体和热生长这样的沉积方法沉积这些其它的氧化物层。
因此，应将本发明的说明书理解为只是说明性的，用于教导本领域技术人员实施本发明的最佳方式。在基本不偏离本发明精神的前提下，可以对细节进行改变。并保留唯一使用在后附权利要求书中范围内的所有变更的权利。

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