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    • 1. 发明授权
    • Semiconductor device and electric power conversion system using the same
    • 半导体装置和电力转换系统采用相同的方式
    • US08653588B2
    • 2014-02-18
    • US13553431
    • 2012-07-19
    • So WatanabeMasaki ShiraishiHiroshi SuzukiMutsuhiro Mori
    • So WatanabeMasaki ShiraishiHiroshi SuzukiMutsuhiro Mori
    • H01L29/66
    • H01L29/7397H01L29/0696H01L29/407H01L29/66348
    • A semiconductor device includes: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type on the first semiconductor layer; trenches in the first semiconductor layer; a semiconductor protruding part on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer on the semiconductor protruding part; a fourth semiconductor layer on the third semiconductor layer; a gate insulating layer disposed along the trench; a first interlayer insulating layer disposed along the trench; a first conductive layer facing to the fourth semiconductor layer; a second conductive layer on the first interlayer insulating layer; a second interlayer insulating layer covering the second conductive layer; a third conductive layer on the third semiconductor layer and fourth semiconductor layer; a contacting part connecting the third conductive layer and third semiconductor layer; and a fourth conductive layer formed on the second semiconductor layer.
    • 半导体器件包括:第一导电类型的第一半导体层; 在第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层; 第一半导体层中的沟槽; 在所述第一半导体层上的半导体突出部; 半导体突出部分上的第三半导体层; 第三半导体层上的第四半导体层; 栅极绝缘层,沿着沟槽设置; 沿沟槽设置的第一层间绝缘层; 面向第四半导体层的第一导电层; 在第一层间绝缘层上的第二导电层; 覆盖所述第二导电层的第二层间绝缘层; 在第三半导体层和第四半导体层上的第三导电层; 连接第三导电层和第三半导体层的接触部分; 以及形成在所述第二半导体层上的第四导电层。